--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 高隔離度 57 dB至2 GHz
- 低插入損耗 0.9 dB至2 GHz
- P1dB 34 dBm(典型值)
- IP3 52 dBm(典型值)
- 高功率處理 33.5 dBm(通過路徑)
--- 產(chǎn)品詳情 ---
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HMC349AMS8G是一款砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率晶體管(PHEMT)、單刀雙擲(SPDT)開關(guān),額定頻率范圍為100 MHz至 4 GHz。
HMC349AMS8G非常適合蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用,可實現(xiàn)57 dB高隔離、0.9 dB低插入損耗、52 dBm高輸入IP3和34 dBm高輸入P1dB。
HMC349AMS8G采用3 V至5 V單正電源供電,提供CMOS/TTL兼容控制接口。
HMC349AMS8G采用帶exposed pad的8引腳超小型封裝。
應(yīng)用
- 蜂窩/4G基礎(chǔ)設(shè)施
- 無線基礎(chǔ)設(shè)施
- 移動無線電
- 測試設(shè)備
- 非反射式50 ?設(shè)計
- 高隔離度:57 dB至2 GHz
- 低插入損耗:0.9 dB至2 GHz
- 高輸入線性度
- 1 dB功率壓縮(P1dB):34 dBm(典型值)
- 三階交調(diào)截點(IP3):52 dBm(典型值)
- 高功率處理
- 33.5 dBm(通過路徑)
- 26.5 dBm端接路徑 單正電源:3 V至5 V
- CMOS/TTL兼容控制
- 全部關(guān)斷狀態(tài)控制
- 帶exposed pad的8引腳超小型封裝(MINI_SO_EP)
ADRF5345NEW
ADRF5424NEW
ADRF5141NEW
ADRF5301NEW
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