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深圳市聚成恒信電子科技有限公司

致力于全面服務(wù)射頻微波,毫米微波客戶,將射頻微波,毫米微波原材料聚成恒信電子秉承長期合作拉近原廠與終端用戶的距離為促進三方共贏的良性合作關(guān)系

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HMC349AMS8GETR是一款SPDT開關(guān)

型號: HMC349AMS8GETR

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 高隔離度 57 dB至2 GHz
  • 低插入損耗 0.9 dB至2 GHz
  • P1dB 34 dBm(典型值)
  • IP3 52 dBm(典型值)
  • 高功率處理 33.5 dBm(通過路徑)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

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HMC349AMS8G是一款砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率晶體管(PHEMT)、單刀雙擲(SPDT)開關(guān),額定頻率范圍為100 MHz至 4 GHz。

HMC349AMS8G非常適合蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用,可實現(xiàn)57 dB高隔離、0.9 dB低插入損耗、52 dBm高輸入IP3和34 dBm高輸入P1dB。

HMC349AMS8G采用3 V至5 V單正電源供電,提供CMOS/TTL兼容控制接口。

HMC349AMS8G采用帶exposed pad的8引腳超小型封裝。

應(yīng)用

  • 蜂窩/4G基礎(chǔ)設(shè)施
  • 無線基礎(chǔ)設(shè)施
  • 移動無線電
  • 測試設(shè)備
  • 非反射式50 ?設(shè)計
  • 高隔離度:57 dB至2 GHz
  • 低插入損耗:0.9 dB至2 GHz
  • 高輸入線性度
    • 1 dB功率壓縮(P1dB):34 dBm(典型值)
    • 三階交調(diào)截點(IP3):52 dBm(典型值)
  • 高功率處理
    • 33.5 dBm(通過路徑)
    • 26.5 dBm端接路徑 單正電源:3 V至5 V
  • CMOS/TTL兼容控制
  • 全部關(guān)斷狀態(tài)控制
  • 帶exposed pad的8引腳超小型封裝(MINI_SO_EP)

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