Qorvo 的 TGF2979-SM 是一種 GaN on SiC HEMT，工作頻率范圍為直流至 12 GHz。它提供 22 瓦的輸出功率和 11 dB 的線性增益，在 9.4 GHz 時的功率附加效率為 45%。該器件采用 TQGaN25 工藝開發(fā)，采用先進的場板技術(shù)，可在高漏極偏置工作條件下優(yōu)化功率和效率。這種優(yōu)化可以通過更少的放大器陣容和更低的熱管理成本來潛在地降低系統(tǒng)成本。它采用行業(yè)標準的 3 x 4 mm 表面貼裝 QFN 封裝，非常適合軍用和商業(yè)雷達應(yīng)用。
產(chǎn)品規(guī)格
產(chǎn)品詳情
零件號 TGF2979-SM
制造商 科爾沃
描述 22 W GaN 晶體管，從 DC 到 12 GHz
一般參數(shù)
晶體管類型 HEMT
技術(shù) 碳化硅上氮化鎵、氮化鎵
應(yīng)用行業(yè) 航空航天與國防
應(yīng)用 軍事、商業(yè)、航空電子
連續(xù)波/脈沖 脈沖，連續(xù)波
頻率 直流至 12 GHz
力量 43.98 分貝
功率(W) 25 瓦
飽和功率 43.4 分貝
脈沖寬度 100 我們
占空比 0.1
獲得 11分貝
電源電壓 32 伏
電壓 - 柵源 (Vgs) -2.7 伏
靜態(tài)漏極電流 150毫安
包裝類型 表面貼裝
包裹 4 x 3 毫米
RoHS 是的
相關(guān)型號
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