Qorvo 的 QPD1009 是一種 GaN on SiC HEMT，工作頻率范圍為直流至 4 GHz。它提供 17 W 的輸出功率，增益為 24 dB，PAE 為 72%。該晶體管需要 50 V 的電源電壓并消耗高達 26 mA 的電流。它采用 3 x 3 mm QFN 封裝，是軍用雷達、干擾器、陸地移動和軍用無線電通信的理想選擇。
產品規(guī)格
產品詳情
零件號 QPD1009
制造商 科爾沃
描述 17 W GaN RF 晶體管，從 DC 到 4 GHz
一般參數
晶體管類型 HEMT
技術 碳化硅上氮化鎵、氮化鎵
應用行業(yè) 無線基礎設施、雷達、航空航天與國防、測試與測量
應用 軍事、移動無線電、通信、測試儀器、干擾器、航空電子設備
連續(xù)波/脈沖 脈沖，連續(xù)波
頻率 直流至 4 GHz
力量 41.76 分貝
功率(W) 15 瓦
飽和功率 42.3 分貝
脈沖寬度 128 我們
占空比 0.1
獲得 24分貝
電源電壓 12 至 60 伏
電壓 - 柵源 (Vgs) -2.8 伏
漏極偏置電流 26毫安
靜態(tài)漏極電流 26毫安
包裝類型 表面貼裝
包裹 3 x 3 毫米
RoHS 是的
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