--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 頻率 直流至 6 GHz
- 力量 45.4 dBm(Psat)
- 功率(W) 34.7 瓦(帕薩特)
- 脈沖寬度 100 我們
- 占空比 10%
--- 產(chǎn)品詳情 ---
Qorvo 的 QPD0020 是一款 GaN 射頻功率晶體管,工作頻率范圍為 DC 至 6 GHz。它提供高達 34.7 瓦的飽和輸出功率,P3dB 增益為 18.8 dB,漏極效率高達 77.8%。該器件需要 48 V 的電源電壓。這種 GaN-on-SiC HEMT 晶體管可以支持 CW 和脈沖操作模式。
該器件采用行業(yè)標準的表面貼裝 QFN 封裝,尺寸為 4x3 mm,是雷達、W-CDMA/LTE、宏蜂窩基站驅動器、小型蜂窩終端、有源天線、陸地移動和軍用無線電通信的理想選擇應用程序。
產(chǎn)品規(guī)格
產(chǎn)品詳情
零件號 QPD0020
制造商 科爾沃
描述 從 DC 到 6 GHz 的 GaN-on-SiC HEMT 晶體管
一般參數(shù)
晶體管類型 HEMT
技術 碳化硅上氮化鎵、氮化鎵
應用行業(yè) 航空航天與國防,蜂窩
應用 微蜂窩基站、W-CDMA / LTE、有源天線、Small Cell
連續(xù)波/脈沖 脈沖,連續(xù)波
頻率 直流至 6 GHz
力量 45.4 dBm(Psat)
功率(W) 34.7 瓦(帕薩特)
脈沖寬度 100 我們
占空比 10%
獲得 17.7 至 18.8 dB(3dB 壓縮)
電源電壓 48 伏
排水效率 77.8%
靜態(tài)漏極電流 30毫安
包裝類型 表面貼裝
包裹 20 引腳 QFN 封裝
方面 4 x 3 毫米
RoHS 是的
工作溫度 -40 至 85 攝氏度
貯存溫度 -65 至 150 攝氏度
相關型號
NLB-310 RFPA1012 RF7234 RF2815
RFDA0016 S518324-44Z SGA8343Z RF2312
RFDA2025 CGB-1089Z RF3376 RF2173
RFDA0026 NBB-500 NBB-310 RF5355
SBA4086Z CGA-1518Z SXE1089Z RF3378
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