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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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BSP121-VB一款Single-N溝道SOT223的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: BSP121-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT223
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### BSP121-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

BSP121-VB 是一款高耐壓單N通道MOSFET,封裝在SOT223外殼中。這款MOSFET 設(shè)計用于需要高電壓和中等電流的應(yīng)用場合,提供了優(yōu)良的耐壓能力和可靠性。其最大漏極-源極電壓(VDS)為200V,柵極-源極電壓(VGS)容差為±20V,適合用于高電壓電源管理和開關(guān)應(yīng)用。BSP121-VB 的閾值電壓(Vth)為3V,確保在柵極電壓達到一定值時能夠可靠啟動。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在VGS = 10V時為1200mΩ,提供了足夠的功率傳輸能力。該MOSFET 的連續(xù)漏極電流(ID)為1A,適合處理中等電流負荷。BSP121-VB 采用先進的溝槽技術(shù),優(yōu)化了其開關(guān)性能和耐壓特性。

### BSP121-VB MOSFET 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型:** SOT223
- **配置:** 單N通道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS):** 200V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS):** ±20V
- **閾值電壓 (Vth):** 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):**
 - VGS = 10V 時為 1200mΩ
- **連續(xù)漏極電流 (ID):** 1A
- **技術(shù):** 溝槽技術(shù)

### BSP121-VB MOSFET 的應(yīng)用領(lǐng)域

BSP121-VB MOSFET 的高耐壓能力和中等導(dǎo)通電阻使其在多個領(lǐng)域中具有出色的應(yīng)用表現(xiàn)。例如,在高電壓電源管理系統(tǒng)中,這款MOSFET 可以用于高壓開關(guān)和電源調(diào)節(jié)模塊,處理高電壓負荷并確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性。在工業(yè)控制系統(tǒng)中,BSP121-VB 可以用作高電壓驅(qū)動器和保護電路,提供可靠的開關(guān)功能并提升設(shè)備的安全性。在汽車電子領(lǐng)域,它適用于高電壓電池管理和電機控制系統(tǒng),因其高耐壓特性能夠應(yīng)對汽車電氣系統(tǒng)中的各種挑戰(zhàn)。此外,該MOSFET 也適合用于電源適配器和充電器等需要高電壓耐受的應(yīng)用,提高整體性能和可靠性。

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