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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BSP107-VB一款Single-N溝道SOT223的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): BSP107-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT223
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**BSP107-VB** 是一款單通道 N 溝道 MOSFET,封裝類型為 SOT223。這款 MOSFET 采用 Trench 技術(shù),設(shè)計(jì)用于高電壓應(yīng)用。其最大漏源極電壓(VDS)為 200V,門源極電壓(VGS)最大為 ±20V,能夠在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定工作。BSP107-VB 的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在 VGS 為 10V 時(shí)為 1200mΩ,適合需要較高電壓和中等電流的應(yīng)用。該 MOSFET 的最大漏極電流(ID)為 1A,能夠處理適中的電流負(fù)載。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: BSP107-VB
- **封裝**: SOT223
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 200V
- **門源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 1200mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 1A
- **技術(shù)**: Trench 技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **高電壓開關(guān)**:
  BSP107-VB 在高電壓開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)良好,適合用于需要處理高電壓的開關(guān)電路,如電源開關(guān)和電壓保護(hù)電路。其高漏源極電壓能力使其能夠在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。

2. **電源管理**:
  在電源管理模塊中,BSP107-VB 可以用于高電壓電源的開關(guān)控制。盡管其導(dǎo)通電阻較高,但在高電壓應(yīng)用中,它能夠提供可靠的開關(guān)功能,保證電源管理系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

3. **電壓調(diào)節(jié)器**:
  在高電壓電壓調(diào)節(jié)器應(yīng)用中,BSP107-VB 可用于調(diào)節(jié)電壓并提供開關(guān)控制。其高電壓承受能力使其適用于需要高電壓處理的調(diào)節(jié)器設(shè)計(jì)中。

4. **功率保護(hù)**:
  在功率保護(hù)電路中,BSP107-VB 可以用作保護(hù)元件,防止過(guò)壓和過(guò)流情況。其高漏源極電壓和中等電流能力使其能夠有效保護(hù)電路免受高電壓損害。

這款 MOSFET 的高電壓處理能力使其在高電壓開關(guān)、電源管理和電壓調(diào)節(jié)器等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。盡管其導(dǎo)通電阻較高,但在需要高電壓控制的場(chǎng)合仍能提供可靠的性能。

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