BSO051N03MS G-VB一款Single-N溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

**1. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介：**

BSO051N03MS G-VB 是一款高效能 N-Channel MOSFET，封裝為 SOP8。采用 Trench 技術(shù)，具有極低的導(dǎo)通電阻和良好的電流處理能力，適合用于高密度和高效能的電子應(yīng)用。

**2. 詳細(xì)參數(shù)說明：**

- **封裝**: SOP8
- **配置**: 單極性 N-Channel
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 5mΩ（在 VGS=4.5V 時(shí)）
 - 4mΩ（在 VGS=10V 時(shí)）
- **漏極電流 (ID)**: 18A
- **技術(shù)**: Trench

**3. 應(yīng)用領(lǐng)域舉例：**

BSO051N03MS G-VB 適用于高電流和高效能的電源管理系統(tǒng)，如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、功率調(diào)節(jié)模塊、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源開關(guān)和LED驅(qū)動(dòng)電路。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其在需要高效率和高功率的應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異，尤其適合用于高效能電源轉(zhuǎn)換和管理場(chǎng)景。