BSL806N-VB一款Dual-N+N溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**型號(hào)**: BSL806N-VB  
**封裝**: SOT23-6  
**配置**: 雙N溝道MOSFET（N+N）  
**技術(shù)**: 溝槽型技術(shù)

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **VDS**: 20V (漏源極電壓)
- **VGS**: ±12V (柵源極電壓)
- **Vth**: 0.5~1.5V (柵源極閾值電壓)
- **RDS(ON)**: 
 - 28mΩ @ VGS = 2.5V
 - 22mΩ @ VGS = 4.5V
- **ID**: 6A (漏極電流)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **電源管理**: 適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和小型電源開(kāi)關(guān)，提供高效的電流控制和低導(dǎo)通電阻。
2. **消費(fèi)電子**: 用于智能手機(jī)、平板電腦等設(shè)備中的功率開(kāi)關(guān)和電源管理模塊，提升電源效率和穩(wěn)定性。
3. **便攜式設(shè)備**: 在便攜式電子產(chǎn)品中用于電源管理和開(kāi)關(guān)控制，優(yōu)化能源使用并延長(zhǎng)電池壽命。
4. **小型電機(jī)控制**: 適合小型電機(jī)和負(fù)載控制應(yīng)用，確保高效的電流開(kāi)關(guān)和負(fù)載管理。