**1. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介：**
BSC034N03LS G-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET，封裝為 DFN8(5x6)。該 MOSFET 使用 Trench 技術(shù)，具有極低的導(dǎo)通電阻和高電流處理能力，非常適合對(duì)高效能和高密度有嚴(yán)格要求的電子應(yīng)用。
**2. 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明：**
- **封裝**: DFN8(5x6)
- **配置**: 單極性 N-Channel
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 2.5mΩ（在 VGS=4.5V 時(shí)）
- 1.8mΩ（在 VGS=10V 時(shí)）
- **漏極電流 (ID)**: 160A
- **技術(shù)**: Trench
**3. 應(yīng)用領(lǐng)域舉例：**
BSC034N03LS G-VB 適用于高電流密度和高效能的電源管理系統(tǒng)，如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、功率調(diào)節(jié)模塊、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、LED 驅(qū)動(dòng)電路以及高效能電源系統(tǒng)。其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其在高頻、高效率要求的電源和開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)突出，有助于提高系統(tǒng)的整體性能和穩(wěn)定性。
