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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BSC016N03LS G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): BSC016N03LS G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(5X6)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**BSC016N03LS G-VB** 是一款單通道 N 型 MOSFET,采用 DFN8(5x6) 封裝,專(zhuān)為低電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具備極低的 RDS(ON)(1.8mΩ @ VGS=10V),可在高電流(160A)下有效減少功耗,適用于高性能開(kāi)關(guān)電源和功率轉(zhuǎn)換器。其閾值電壓為 1.7V,并且具有 ±20V 的柵極-源極耐壓,確保在復(fù)雜應(yīng)用環(huán)境下穩(wěn)定工作。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: BSC016N03LS G-VB
- **封裝**: DFN8(5x6)
- **配置**: 單通道 N 型 MOSFET
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **RDS(ON)**: 2.5mΩ @ VGS = 4.5V
- **RDS(ON)**: 1.8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 160A
- **技術(shù)**: 溝道工藝 (Trench)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

**BSC016N03LS G-VB** 適用于以下領(lǐng)域和模塊:

1. **高效電源管理**:其低 RDS(ON) 和高電流處理能力使其非常適合用于高效開(kāi)關(guān)電源和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,提高能效和減少熱量。
2. **電機(jī)控制**:在電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中提供高電流開(kāi)關(guān)能力,適用于各種電動(dòng)工具和家用電器。
3. **汽車(chē)電子**:用于汽車(chē)電源管理和負(fù)載開(kāi)關(guān),能夠處理高電流并提高系統(tǒng)穩(wěn)定性。
4. **電池管理系統(tǒng)**:在電池充放電管理中,用于高電流開(kāi)關(guān),優(yōu)化電池性能和延長(zhǎng)使用壽命。
5. **數(shù)據(jù)中心電源**:在數(shù)據(jù)中心電源模塊中,減少功耗和提高效率,滿(mǎn)足高性能計(jì)算需求。

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