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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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AP9960M-VB一款Dual-N+N溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): AP9960M-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOP8
  • 溝道 Dual-N+N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### AP9960M-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

AP9960M-VB 是一款高效能的雙N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),采用SOP8封裝,適用于要求高效能開(kāi)關(guān)和功率管理的應(yīng)用場(chǎng)合。它采用先進(jìn)的溝槽(Trench)技術(shù)制造,具備低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: AP9960M-VB
- **封裝**: SOP8
- **配置**: 雙N+N-溝道
- **漏源電壓(VDS)**: 30V
- **柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 
 - 20mΩ @ VGS = 4.5V
 - 16mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID)**: 8.5A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理模塊**:
  - 在開(kāi)關(guān)電源(SMPS)和DC-DC轉(zhuǎn)換器中,AP9960M-VB的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力能夠顯著降低功率損耗,提高轉(zhuǎn)換效率,適用于各種功率管理應(yīng)用。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制**:
  - 適用于無(wú)刷直流電機(jī)(BLDC)和步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路。其低RDS(ON)特性保證了高效能的電機(jī)驅(qū)動(dòng),提高了電機(jī)系統(tǒng)的響應(yīng)速度和能效。

3. **汽車(chē)電子**:
  - 在汽車(chē)電子控制單元(ECU)中,AP9960M-VB可用于驅(qū)動(dòng)和控制電動(dòng)汽車(chē)中的電動(dòng)機(jī)、電池管理系統(tǒng)以及其他高功率應(yīng)用,提升整體車(chē)輛的能效和性能。

4. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**:
  - 例如智能手機(jī)快速充電和筆記本電腦的高效能電源管理,AP9960M-VB能夠提供穩(wěn)定的電源輸出,保護(hù)設(shè)備不受過(guò)載或電壓波動(dòng)的影響。

AP9960M-VB MOSFET通過(guò)其卓越的性能特點(diǎn)和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,適合于多種電子設(shè)備和系統(tǒng)設(shè)計(jì),提升了系統(tǒng)的功率處理能力和效率。

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