--- 產品參數(shù) ---
- 封裝 TSSOP8
- 溝道 Common Drain-N+N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### AP9926EO-VB 產品簡介
AP9926EO-VB是一款具有共源共排的N+N溝道功率MOSFET,適用于需要雙溝道控制的應用場合。采用先進的Trench技術,具備良好的導通特性和電流承載能力。該器件封裝為TSSOP8,適合需要高度集成和空間緊湊的電路設計。
### AP9926EO-VB 詳細參數(shù)說明
- **封裝類型**: TSSOP8
- **配置**: 共源共排 N+N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 20V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 32mΩ @ VGS=2.5V
- 22mΩ @ VGS=4.5V
- **漏極電流 (ID)**: 6.6A
- **技術**: Trench
### AP9926EO-VB 應用領域和模塊
AP9926EO-VB適用于以下領域和模塊,特別是需要雙溝道控制和高效能的電源管理應用場景:
1. **電源管理**:
- 在DC-DC變換器和AC-DC轉換器中,AP9926EO-VB可以用作雙溝道功率開關,支持高效的電力轉換和穩(wěn)定的電源輸出。
2. **電池管理**:
- 在便攜式設備和電池供電系統(tǒng)中,該器件可用于充電管理和電池保護電路,確保安全和高效的電池運行。
3. **電動工具和汽車電子**:
- 在電動工具、汽車電子系統(tǒng)和電動車輛中,AP9926EO-VB可作為電機驅動器的功率開關,提升設備的性能和能效。
4. **工業(yè)自動化**:
- 在工業(yè)控制系統(tǒng)和自動化設備中,該MOSFET可用于電機控制、傳感器接口和自動化控制模塊。
5. **通信設備**:
- 在高頻率通信設備和天線驅動器中,AP9926EO-VB可用于功率放大和射頻開關,支持穩(wěn)定和高效的信號傳輸。
綜上所述,AP9926EO-VB以其雙溝道結構、低導通電阻和高電流承載能力,適合多種需要雙溝道控制和高功率要求的電源管理和驅動應用領域。
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