--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 工作溫度 85
--- 產(chǎn)品詳情 ---
TGF2819-FL:高功率GaN on SiC RF晶體管
在高頻通信和雷達系統(tǒng)中,功率放大器的性能直接影響到信號的質(zhì)量和系統(tǒng)的整體效率。TGF2819-FL是一款高功率的GaN on SiC RF晶體管,頻率范圍覆蓋DC至4 GHz,具備出色的增益和效率,特別適合于雷達、干擾器和通信系統(tǒng)的應用。本文將詳細介紹TGF2819-FL的技術參數(shù)、優(yōu)勢及其應用領域。
產(chǎn)品概述
TGF2819-FL是一款高性能的RF晶體管,能夠在3 GHz時提供高達257 Watt的P3dB輸出功率,并在此頻率下實現(xiàn)68%的功率附加效率(PAE)。該器件支持50 Volt的偏置電壓,適用于連續(xù)波(CW)和脈沖信號的放大,靈活性極高。TGF2819-FL采用NI-360封裝,便于集成到各種射頻應用中。
主要技術參數(shù)
型號:TGF2819-FL
功率輸出:200 Watt(額定功率),257 Watt(在3 GHz時的P3dB)
頻率范圍:DC - 4 GHz
功率附加效率(PAE):68%(在3 GHz時)
偏置電壓:50 V
工作模式:CW和脈沖信號均可
封裝類型:NI-360
適用場景:雷達、干擾器和通信系統(tǒng)
客戶痛點分析
在高功率射頻應用中,用戶通常面臨以下幾種挑戰(zhàn):
功率不足:在許多應用中,尤其是雷達和通信系統(tǒng),所需的輸出功率往往較高。TGF2819-FL的高功率輸出(257 Watt)能夠滿足這些苛刻的需求,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
效率低下:傳統(tǒng)的功率放大器在高功率輸出時,往往面臨效率不足的問題,導致系統(tǒng)發(fā)熱和能量浪費。TGF2819-FL在3 GHz時實現(xiàn)了68%的高效率,顯著降低了能耗,提升了系統(tǒng)的整體性能。
集成難度:在復雜的射頻系統(tǒng)中,集成不同的組件往往會增加設計的復雜性。TGF2819-FL采用NI-360封裝,便于集成,幫助設計師簡化系統(tǒng)設計。
應用領域
TGF2819-FL廣泛應用于以下領域:
雷達系統(tǒng):為雷達信號提供強大的功率支持,確保長距離探測和高精度定位。
干擾器:在電子對抗和信號干擾中,提供所需的高功率輸出,增強干擾效果。
通信系統(tǒng):為各種通信設備提供穩(wěn)定的射頻信號放大,確保數(shù)據(jù)傳輸?shù)目煽啃院颓逦取?br>結(jié)論
TGF2819-FL作為一款高功率的GaN on SiC RF晶體管,憑借其卓越的技術參數(shù)和廣泛的應用場景,成為雷達、干擾器和通信系統(tǒng)的理想選擇。它不僅有效解決了功率不足和效率低下的問題,還為用戶提供了更高的集成靈活性。選擇TGF2819-FL,讓我們共同迎接更高效、更強大的射頻應用新時代。
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