特點(diǎn)
–128 Meg x 4 x 8個(gè)銀行x 2個(gè)等級(jí)2G4
–64 Meg x 8 x 8個(gè)銀行x 2個(gè)等級(jí)1G8
?78球FBGA封裝（無(wú)鉛）
–（9.5毫米x 11.5毫米x 1.2毫米）模具
版本：E
TRF
–（8mm x 10.5mm x 1.2mm）模具
版本：N，P
RKB
?計(jì)時(shí)-循環(huán)時(shí)間1
–1.071ns@CL=13（DDR3L-1866）-107
–1.25ns@CL=11（DDR3L-1600）-125
–1.5ns@CL=9（DDR3L-1333）-15E
?自我刷新
–標(biāo)準(zhǔn)無(wú)
?工作溫度
–商用（0°C≤TC≤95°C）無(wú)
-工業(yè)（-40°C≤TC≤95°C）IT
描述
?兩個(gè)列（包括雙CS#、ODT、CKE和ZQ
球）
?VDD=VDDQ=1.35伏（1.283–1.45伏）；向后兼容VDD=VDDQ=1.5V±0.075V
?1.35V中心端接推/拉I/O
?JEDEC標(biāo)準(zhǔn)滾球
?低姿態(tài)套裝
?TC為0°C至95°C
–0°C至85°C：64ms內(nèi)8192次刷新周期
–85°C至95°C：32毫秒內(nèi)8192次刷新周期
–可提供工業(yè)溫度（IT）
