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深圳市宏源世紀(jì)科技有限公司

主要銷售觸摸芯片,DC-DC電源,微控制器單片機(jī),存儲(chǔ)器,MOS場(chǎng)效應(yīng)管,LED驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品。

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MICROCHIP/微芯 DSPIC33EP512MU810-E/PF TQFP100 DSP/DSC收發(fā)器

型號(hào): DSPIC33EP512MU810-E/PF

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 型號(hào) DSPIC33EP512MU810-E/PF
  • 數(shù)量 3380
  • 封裝 TQFP100
  • 品牌 MICROCHIP/微芯
  • 批次 最新批次

--- 產(chǎn)品詳情 ---

特點(diǎn)
去耦電容器要求在每對(duì)電源引腳上使用去耦電容,如VDD、VSS、VUSB3V3、AVDD和AVSS。使用去耦電容器時(shí),請(qǐng)考慮以下標(biāo)準(zhǔn):?電容器的值和類型:建議0.1μF(100 nF),10-20V。該電容器應(yīng)具有較低的ESR,并具有在20MHz及更高范圍內(nèi)的諧振頻率。建議使用陶瓷電容器。?在印刷電路板上的放置:去耦電容器應(yīng)盡可能靠近引腳。建議將電容器與設(shè)備放在電路板的同一側(cè)。如果空間受到限制,可以使用過孔將電容器放置在PCB上的另一層上;但是,確保引腳到電容器的跡線長度在四分之一英寸(6毫米)以內(nèi)。?處理高頻噪聲:如果電路板遇到幾十兆赫以上的高頻噪聲,則在上述去耦電容器的并聯(lián)上添加第二個(gè)陶瓷型電容器。第二個(gè)電容器的值可以在0.01μF到0.001μF的范圍內(nèi)。將第二個(gè)電容器放在主去耦電容器旁邊。在高速電路設(shè)計(jì)中,考慮實(shí)現(xiàn)盡可能靠近電源和接地引腳的十年電容對(duì)。例如,0.1μF與0.001μF并聯(lián)。?最大限度地提高性能:在電源電路的板布局上,先將電源和回路跡線連接到去耦電容器,然后連接到設(shè)備引腳。這確保了去耦合電容器在功率鏈中處于第一位。同樣重要的是將電容器和電源引腳之間的跡線長度保持在最小值,從而降低PCB跡線電感。


描述
基本連接要求開始使用16位DSC和微控制器需要在繼續(xù)開發(fā)之前注意一組最小的設(shè)備夾連接。以下是引腳名稱列表,必須始終連接:?所有VDD和VSS引腳(請(qǐng)參閱第2.2節(jié)“去耦電容器”)?所有AVDD和AVSS引腳(無論是否使用ADC模塊)(請(qǐng)參閱2.2節(jié)“解耦電容器”使用(參見第2.6節(jié)“外部振蕩器引腳”)此外,可能需要以下引腳:?使用USB模塊時(shí)使用VUSB3V3引腳。如果未使用USB模塊,則VUSB3V3必須連接到VDD。?當(dāng)實(shí)現(xiàn)ADC模塊的外部電壓參考時(shí),使用VREF+/VREF-引腳
 

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