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深圳市宏源世紀科技有限公司

主要銷售觸摸芯片,DC-DC電源,微控制器單片機,存儲器,MOS場效應管,LED驅(qū)動產(chǎn)品。

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AOS/萬代 AON7405 DFN8 MOSFET 場效應管

型號: AON7405

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 型號 AON7405
  • 數(shù)量 5470
  • 封裝 DFN8
  • 品牌 AOS/萬代
  • 批次 最新批次

--- 產(chǎn)品詳情 ---

特點
AON7405采用先進的溝槽技術,-30V提供低柵極電荷的出色RDS(ON)
該設備是負載開關和電池保護應用的理想選擇。?符合RoHS和無鹵素標準

描述
A.RθJA的值是用安裝在1in2 FR-4板上的裝置測量的,帶有2oz。銅,在TA=25°C的靜止空氣環(huán)境中。功率耗散PDSM基于RθJA t≤10s值和150°C的最大允許結溫。任何給定應用程序中的值都取決于用戶的特定板設計。B.功率耗散PD基于TJ(MAX)=150°C,使用結-殼熱阻,在使用額外散熱的情況下設置耗散上限更有用。C.重復額定值,脈沖寬度受結溫TJ(MAX)=150°C的限制。額定值基于低頻率和工作循環(huán),以保持初始TJ=25°C。D.RθJA是從結到情況RθJC和從情況到環(huán)境的熱阻之和。E.圖1至圖6中的靜態(tài)特性是使用<300μs脈沖獲得的,占空比最大為0.5%。這些曲線基于結-殼熱阻,該熱阻是在將設備安裝到大型散熱器上的情況下測量的,假設最大結溫度為TJ(max)=150°C。SOA曲線提供單個脈沖額定值。G.最大額定電流受封裝限制。H.這些測試是在設備安裝在1 in2 FR-4板上的情況下進行的,板上有2 oz。銅,在TA=25°C的靜止空氣環(huán)境中。

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