PN8575P 12w內(nèi)置BJT原邊反饋芯片
型號(hào):
PN8575P
特性
?內(nèi)置800V BJT
?采用多模式技術(shù)提高效率,滿足5級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)
?全電壓輸入范圍±5%的CC/CV精度
?原邊反饋可省光耦和TL431
?恒壓、恒流、輸出線補(bǔ)償外部可調(diào)
?無(wú)需額外補(bǔ)償電容
?無(wú)音頻噪聲
?智能保護(hù)功能
? 過(guò)溫保護(hù) (OTP)
? VDD欠壓&過(guò)壓保護(hù) (UVLO&OVP)
? 逐周期過(guò)流保護(hù) (OCP)
? CS開(kāi)/短路保護(hù) (CS O/SP)
? 輸入欠壓保護(hù) (BO)