--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 典型的脈沖連續(xù)波性能 960 – 1215 兆赫
- 脈沖寬度 128 μs
- 占空比 10%
- P3dB輸出功率 1400 W
- 效率 68%
--- 產(chǎn)品詳情 ---
描述
GTVA101K4 是一款專為高效設(shè)計(jì)的 GaN on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT);高增益和寬帶寬能力。這使得 GTVA101K4 非常適合 0.96 – 1.4 GHz 頻段的應(yīng)用。該晶體管可用于從 UHF 到 1.4 GHz 的特定頻段應(yīng)用。

特征
輸入匹配
典型的脈沖連續(xù)波性能;960 – 1215 兆赫;50伏;單面;128 μs 脈沖寬度;10% 占空比;P3dB = 1400 W 時(shí)的輸出功率;效率 = 68%;增益 = 17 分貝
無鉛且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用
雷達(dá)放大器
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