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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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GTRA362002FC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

型號(hào)： GTRA362002FC-V1

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • P3dB輸出功率 200 W
  • 效率 60%
  • 增益 12.5 分貝
  • 輸出功率 30 W (CW)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

描述
GTRA362002FC 是一款 200 瓦 (P3dB) GaN on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)，設(shè)計(jì)用于多標(biāo)準(zhǔn)蜂窩功率放大器應(yīng)用。它具有輸入匹配功能；高效率; 以及帶有無耳法蘭的熱增強(qiáng)封裝。

GTRA362002FC-V1

 

 

特征
輸入匹配
非對(duì)稱 Doherty 設(shè)計(jì)：主 P3dB 85 W Typ；峰值 P3dB 115 W 典型值
典型的脈沖連續(xù)波性能；3500兆赫；48 伏；綜合產(chǎn)出
P3dB 200 W 時(shí)的輸出功率
效率 60%
增益 12.5 分貝
能夠處理 10:1 VSWR @50 V；30 W (CW) 輸出功率
低熱阻
無鉛且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)

 

應(yīng)用
多標(biāo)準(zhǔn)蜂窩功率放大器

 

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