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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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GTRA260502M-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

型號(hào)： GTRA260502M-V1

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 連續(xù)波性能 典型脈沖
  • 占空比 10%
  • 效率 64%
  • 輸出功率 P3dB = 50 W

--- 產(chǎn)品詳情 ---

GTRA260502M是一種50瓦(P3dB)的GaN on SiC高電子遷移率用于多標(biāo)準(zhǔn)蜂窩功率放大器應(yīng)用程序。它具有輸入匹配、效率高、熱增強(qiáng)等特點(diǎn)DFN SMD包裝。

GTRA260502M-V1

 


特征
GaN on SiC HEMT技術(shù)
典型脈沖連續(xù)波性能:10 μs脈寬，
10%占空比，2690 MHz, 48v, Doherty配置
效率= 64%
輸出功率P3dB = 50 W
人體模型1A類(根據(jù)ANSI/ESDA/JEDEC
低的熱阻
無鉛，符合RoHS要求

應(yīng)用
蜂窩功率放大器

 

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