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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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CMPA3135060S氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)

型號： CMPA3135060S

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 操作頻率 3.1 - 3.5 GHz
  • 典型輸出功率 75 W
  • 功率增益 29 分貝
  • 歐姆匹配 50
  • 塑料表面貼裝封裝 7x7 mm QFN

--- 產(chǎn)品詳情 ---

Cree 的 CMPA3135060S 是氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT) 基于單片微波集成電路 (MMIC)。 GaN具有優(yōu)越的與硅或砷化鎵相比的特性，包括更高的擊穿率電壓，更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導(dǎo)率。該 MMIC 功率放大器包含一個(gè)兩級無功匹配放大器設(shè)計(jì)方法，使高功率和功率附加效率成為采用 7mm x 7mm 表面貼裝（QFN 封裝）實(shí)現(xiàn)。 該 MMIC 設(shè)計(jì)用于 S 波段雷達(dá)功率放大器應(yīng)用。

CMPA3135060S

 


特征
3.1 - 3.5 GHz 操作
75 W 典型輸出功率
29 分貝功率增益
50 歐姆匹配，易于使用
塑料表面貼裝封裝，7x7 mm QFN

 

應(yīng)用
空中交通管制雷達(dá)
國防監(jiān)視雷達(dá)
火控雷達(dá)
軍用空中、陸地和海上雷達(dá)
天氣雷達(dá)


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