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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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C6D10065G分立碳化硅肖特基二極管

型號(hào)： C6D10065G

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 重復(fù)峰值反向電壓 650V
  • 直流阻斷電壓 650V
  • 最大持續(xù)電流 10A
  • 總電容電荷 34 nC
  • 功耗 108W
  • 電容儲(chǔ)能 5.2µJ
  • 外殼和存儲(chǔ)溫度 -55 to +150°C

--- 產(chǎn)品詳情 ---

C6D10065G是650 V 分立碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢(shì)肖特基勢(shì)壘二極管，電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案更高的效率標(biāo)準(zhǔn)，同時(shí)還達(dá)到更高的頻率和功率密度。SiC二極管可輕松并聯(lián)以滿足各種應(yīng)用要求，而不用擔(dān)心熱失控。 結(jié)合降低冷卻要求并改善熱SiC產(chǎn)品的性能，SiC二極管能夠提供在各種不同的應(yīng)用中降低整體系統(tǒng)成本。

C6D10065G


特征
? 低正向電壓（VF) 以正面下降
溫度系數(shù)
? 零反向恢復(fù)電流/正向
恢復(fù)電壓
? 與溫度無關(guān)的開關(guān)行為
? 低電感的薄型封裝


應(yīng)用
? 企業(yè)電源、服務(wù)器和電信
電源
? 開關(guān)模式電源
? 工業(yè)電源
? 提升功率因數(shù)校正
? 自舉二極管
? LLC 鉗位

 

重復(fù)峰值反向電壓：650V
直流阻斷電壓:650V
最大持續(xù)電流：10A
總電容電荷：34 nC
功耗：108W
電容儲(chǔ)能：5.2μJ
外殼和存儲(chǔ)溫度：-55 to +150°C
最高加工溫度:325°C

 


相關(guān)型號(hào)
C6D10065G E3D30065D
C3D10065E E4D02120E
C3D10065A C4D02120E
C6D10065E C4D02120A
C6D10065A C4D05120E
C3D10065I C4D05120A
C3D12065A C4D08120E
C3D16065D1 C4D08120A
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C6D16065D C4D10120H
C3D16065A C4D10120E
C3D20065D C4D10120D
C6D20065D C4D10120A
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