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射頻微波器件、組件一站式服務 國產(chǎn)替代選型

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C3D08065I分立碳化硅肖特基二極管

型號： C3D08065I

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 重復峰值反向電壓 650V
  • 浪涌峰值反向電壓 650V
  • 直流阻斷電壓 650V
  • 重復峰值正向浪涌電流 19-29A
  • 功耗 23.6-23.2W
  • 二極管dV/dt耐用 200 V/ns
  • 工作結溫和存儲溫度 -55to+175?C

--- 產(chǎn)品詳情 ---

C3D08065I為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二極管技術針對高性能電力電子應用進行了優(yōu)化；包括服務器電源；電動汽車充電系統(tǒng)；儲能系統(tǒng)；太陽能（PV）逆變器；和消費電子產(chǎn)品。

C3D08065I


好處
? 電氣隔離封裝
? 基本上沒有開關損耗
? 更高的效率
? 降低散熱器要求
? 沒有熱失控的并行器件

 

特征
? 650 伏肖特基整流器
? 陶瓷封裝提供 2.5kV 隔離
? 零反向恢復電流
? 高頻操作
? 與溫度無關的開關行為
? VF 上的正溫度系數(shù)


應用
? 暖通空調(diào)
? 開關模式電源 (SMPS)
? PFC 或 DC/DC 級中的升壓二極管
? 逆變器級中的續(xù)流二極管
? AC/DC 轉(zhuǎn)換器


重復峰值反向電壓:650V
浪涌峰值反向電壓：650V
直流阻斷電壓：650V
重復峰值正向浪涌電流：19-29A
功耗：23.6-23.2W
二極管 dV/dt 耐用性：200 V/ns
工作結溫和存儲溫度:-55to+175?C

 


相關型號
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