--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 漏源電壓: 1200V
- 柵極-源極電壓動態(tài) -8/+19V
- 柵極-源極電壓靜態(tài) -4/+15V
- 脈沖漏極電流 20A
- 功耗: 40.8W
- 工作結(jié)溫和存儲溫度 -55to+150?C
- 焊接溫度: 260?C
--- 產(chǎn)品詳情 ---
C3M0350120J為1200 V 分立碳化硅 MOSFETT。業(yè)內(nèi)最廣泛的 1200 V SiC MOSFET 產(chǎn)品組合。1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 系列經(jīng)過優(yōu)化,可用于 UPS 等大功率應(yīng)用;電機控制和驅(qū)動;開關(guān)電源;太陽能和儲能系統(tǒng);電動汽車充電;高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器;和更多?;诘谌夹g(shù);各種各樣的導通電阻和封裝選項使設(shè)計人員能夠為他們的應(yīng)用選擇正確的部件。將的 1200 V 碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET 配對,為要求苛刻的應(yīng)用創(chuàng)造了更高效率的強大組合。
優(yōu)點
? 降低開關(guān)損耗并最大限度地減少柵極振鈴
? 更高的系統(tǒng)效率
? 降低冷卻要求
? 提高功率密度
? 提高系統(tǒng)開關(guān)頻率
特征
? 第三代 SiC MOSFET 技術(shù)
? 具有驅(qū)動源引腳的低阻抗封裝
? 漏極和源極之間的爬電距離為 7mm
? 高阻斷電壓和低導通電阻
? 低電容的高速開關(guān)
? 具有低反向恢復 (Qrr) 的快速本征二極管
? 無鹵素,符合 RoHS 標準
應(yīng)用
? 再生能源
? 高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
? 開關(guān)模式電源
? UPS
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