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      AFBR-S4N66C013 NUV-HD單硅光電倍增器

      數(shù)據(jù)：

      描述

      Broadcom® AFBR-S4N66C013是一款單硅光電倍增管（SiPM），用于單光子的超靈敏精密測(cè)量。

      有效面積為6.14倍; 6.14 mm 2 。使用穿硅通孔（TSV）技術(shù)實(shí)現(xiàn)單個(gè)芯片的高封裝密度。通過將多個(gè)AFBR-S4N66C013芯片平鋪到陣列中可以覆蓋更大的區(qū)域，幾乎沒有任何邊緣損耗。保護(hù)層由高度透明的玻璃制成，直至紫外波長，在可見光譜中產(chǎn)生廣泛響應(yīng)，對(duì)光譜的藍(lán)光和近紫外區(qū)域具有高靈敏度。

      特征

      • 420 nm時(shí)的高PDE超過55％
      • 高填充因子
      • 優(yōu)異的SPTR和CRT
      • 優(yōu)異的均勻性擊穿電壓
      • 增益均勻性
      • 采用TSV技術(shù)（4面可用）
      • 尺寸6.14 × 6.14  mm 2 n細(xì)胞間距30次; 30微米 2
      • 高度透明的玻璃保護(hù)層
      • 工作溫度范圍從– 40°C到+ 85°C
      • 符合RoHS和REACH

      應(yīng)用

      • X射線和伽馬射線檢測(cè)
      • 伽瑪射線光譜
      • 安全性
      • 核醫(yī)學(xué)
      • 正電子發(fā)射斷層掃描
      • 生命科學(xué)n流式細(xì)胞術(shù)
      • 熒光–發(fā)光測(cè)量
      • 時(shí)間相關(guān)單光子計(jì)數(shù)
      • 高能物理學(xué)
      • 天體物理學(xué)

      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊(cè)（1） 相關(guān)資料（1）
      元器件購買 AFBR-S4N66C013 相關(guān)庫存

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