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FAN5026 雙輸出/ DDR PWM控制器

數(shù)據(jù):

FAN5026 PWM控制器為兩個(gè)輸出電壓提供高效率的調(diào)節(jié),可調(diào)范圍從0.9v至5.5V,這是高性能計(jì)算機(jī),機(jī)頂盒以及VGA卡中的電源I / O,芯片組,存儲(chǔ)器庫(kù)所必需的。同步整流有利于在較寬的負(fù)載范圍內(nèi)獲得高效率。如果使用MOSFETR DS(ON)作為電流感測(cè)組件,效率還可進(jìn)一步提高。斜坡調(diào)制,平均電流模式控制機(jī)制以及內(nèi)部反饋補(bǔ)償?shù)裙δ軐?shí)現(xiàn)了負(fù)載瞬態(tài)快速響應(yīng)。具有180°相位偏移的異相操作減少了輸入電流紋波??刂破骺赏ㄟ^(guò)激活專用引腳,轉(zhuǎn)變成完全的DDR存儲(chǔ)器電源解決方案。在DDR模式中,一個(gè)通道跟蹤另一通道的輸出電壓并提供輸出灌電流和源功能,這對(duì)于DDR芯片正確加電至關(guān)重要。還提供了此類存儲(chǔ)器所需的緩沖參考電壓.FAN5026監(jiān)控這些輸出,并在軟啟動(dòng)完成并輸出在其設(shè)定點(diǎn)的±10%內(nèi)時(shí)生成獨(dú)立的PGx(電源正常)信號(hào)。壓保護(hù)可防止輸出電壓超過(guò)其設(shè)定點(diǎn)的120%。過(guò)壓條件停止后,會(huì)自動(dòng)恢復(fù)正常操作。當(dāng)輸出在其軟啟動(dòng)序列完成后降至其設(shè)定值的75%以下時(shí),欠壓保護(hù)會(huì)閂鎖芯片??烧{(diào)過(guò)流功能通過(guò)感測(cè)較低MOSFET兩端的壓降來(lái)監(jiān)控輸出電流。需要精確電流感測(cè)時(shí),可使用外部電流感測(cè)電阻。
特性
  • 高靈活性,雙同步開(kāi)關(guān)PWM控制器包括以下模式:
  • 帶同相操作的DDR模式,用于減少通道干擾
  • 90°相位偏移的兩階DDR模式,用于減少輸入紋波
  • 雙獨(dú)立調(diào)節(jié)器,180°相位偏移
  • 完整DDR存儲(chǔ)器電源解決方案
  • V TT 跟蹤V DDQ / 2
  • V DDQ / 2 緩沖參考輸出
  • 低端MOSFET上的無(wú)損電流感測(cè)或者使用感測(cè)電阻的精確過(guò)流
  • V CC 欠壓閉鎖
  • 寬輸入范圍:3V至16V
  • 卓越動(dòng)態(tài)響應(yīng),使用電壓前饋和平均電流模式控制
  • 電源正常信號(hào)
  • 支持DDR-II和HSTL
  • 28引腳薄型小封裝
應(yīng)用
  • TBA

電路圖、引腳圖和封裝圖




技術(shù)文檔

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