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      FGH40T65UQDF 650 V, 40 A 場截止溝道 IGBT

      數(shù)據(jù)：

      產(chǎn)品信息

      安森美半導體新型場截止第 4 代 IGBT 采用創(chuàng)新型的場截止 IGBT 技術(shù)，可以提供優(yōu)越的導通和開關(guān)性能，并且易于并聯(lián)運行。
      該設(shè)備非常適合諧振或軟開關(guān)應(yīng)用，例如感應(yīng)加熱、微波爐等。
      • 最大結(jié)溫： T
      • = 175°C
      • 正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)運行
      • 高電流能力
      • 低飽和電壓： V
      • = 1.33 V（典型值） @ I
      • = 40 A
      • I
      • (1)部件100%檢測
      • 高輸入阻抗
      • 快速開關(guān)
      • 緊密的參數(shù)分布
      • 符合 RoHS 標準