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      FDWS9509L_F085 P溝道邏輯電平PowerTrench?MOSFET

      數(shù)據(jù)：

      產(chǎn)品信息

      FDWS9509L_F085 典型RDS（on）=6.3mΩ，VGS = -10V，ID = -65 A 典型Qg（tot）= 48 nC，VGS = -10V，ID = -65 A UIS能力 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn) 符合AEC Q101要求 可濕性側(cè)翼用于自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)（AOI）