HMC-XDB112 x2無(wú)源倍頻器芯片，20 - 30 GHz輸出

優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)

• 轉(zhuǎn)換損耗： 13 dB
• 無(wú)源： 無(wú)需直流偏置
• 輸入驅(qū)動(dòng)： +13 dBm

• 高Fo隔離： 30 dB
• 裸片尺寸： 2.2 x 0.65 x 0.1 mm

產(chǎn)品詳情

HMC-XDB112是一款單芯片無(wú)源倍頻器，采用GaAs異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT)技術(shù)，適用于低頻率倍頻比直接生成高頻率更加經(jīng)濟(jì)的大規(guī)模應(yīng)用。 所有焊盤(pán)和芯片背面都經(jīng)過(guò)Ti/Au金屬化，HBT器件已完全鈍化以實(shí)現(xiàn)可靠操作。

HMC-XDB112無(wú)源倍頻器MMIC可兼容常規(guī)的芯片貼裝方法，以及熱壓縮和熱超聲線焊，非常適合MCM和混合微電路應(yīng)用。 此處顯示的所有數(shù)據(jù)均是芯片在50 Ohm環(huán)境下使用RF探頭接觸測(cè)得。

應(yīng)用

• 點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無(wú)線電
• VSAT
• 測(cè)試儀器儀表
• 軍事和太空
• 時(shí)鐘發(fā)生

方框圖