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數(shù)據(jù): ISO5851 具有有源保護(hù)功能的高 CMTI 2.5A 和 5A 隔離式 IGBT、MOSFET 柵極 驅(qū)動(dòng)器 數(shù)據(jù)表 (Rev. B)
ISO5851是一款用于IGBT和MOSFET的5.7 kV RMS 增強(qiáng)型隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,具有2.5A的拉力電流能力和5A的灌電流能力。輸入端由3V至5.5V的單電源供電運(yùn)行。輸出側(cè)支持的電源電壓范圍為15V至30V。兩路互補(bǔ)CMOS輸入控制柵極驅(qū)動(dòng)器輸出狀態(tài).76ns的短暫傳播時(shí)間保證了對(duì)于輸出級(jí)的精確控制。
內(nèi)置的去飽和(DESAT)故障檢測(cè)功能可識(shí)別IGBT何時(shí)處于過(guò)載狀態(tài)。當(dāng)檢測(cè)到DESAT時(shí),柵極驅(qū)動(dòng)器輸出會(huì)被拉低為V EE2 電勢(shì),從而將IGBT立即關(guān)斷。
當(dāng)發(fā)生去飽和故障時(shí),器件會(huì)通過(guò)隔離隔柵發(fā)送故障信號(hào),以及輸入端的 FLT 輸出拉為低電平并阻斷隔離器的輸入。 FLT 的輸出狀態(tài)將被鎖存,可通過(guò) RST 輸入上的低電有效脈沖復(fù)位。
如果在由雙極輸出電源供電的正常運(yùn)行期間關(guān)斷IGBT,輸出電壓會(huì)被硬鉗位為V EE2 。如果輸出電源為單極,那么可采用有源米勒鉗位,這種鉗位會(huì)在一條低阻抗路徑上灌入米勒電流,從而防止IGBT在高電壓瞬態(tài)條件下發(fā)生動(dòng)態(tài)導(dǎo)通。
當(dāng)發(fā)生去飽和故障時(shí),器件會(huì)通過(guò)隔離隔柵發(fā)送故障信號(hào),以及輸入端的 FLT 輸出拉為低電平并阻斷隔離器的輸入。 FLT 的輸出狀態(tài)將被鎖存,可通過(guò) RST 輸入上的低電平有效脈沖復(fù)位。
如果在由雙極輸出電源供電的正常運(yùn)行期間關(guān)斷IGBT,輸出電壓會(huì)被硬鉗位為V EE2 。如果輸出電源為單極,那么可采用有源米勒鉗位,這種鉗位會(huì)在一條低阻抗路徑上灌入米勒電流,從而防止IGBT在高電壓瞬態(tài)條件下發(fā)生動(dòng)態(tài)導(dǎo)通。
柵極驅(qū)動(dòng)器是否準(zhǔn)備就緒待運(yùn)行由兩個(gè)欠壓鎖定電路控制,這兩個(gè)電路會(huì)監(jiān)視輸入端和輸出端的電源。如果任意一端電源不足,RDY輸出會(huì)變?yōu)榈碗娖?否則,該輸出為高電平。
ISO5851采用16引腳小外形尺寸集成電路(SOIC)封裝。此器件的額定工作環(huán)境溫度范圍為-40°C至+ 125°C。
所有商標(biāo)均為其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。
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Isolation Rating (Vrms) |
DIN V VDE V 0884-10 Transient Overvoltage Rating (Vpk) |
DIN V VDE V 0884-10 Working Voltage (Vpk) |
Number of Channels (#) |
Power Switch |
Enable/Disable Function |
Output VCC/VDD (Max) (V) |
Output VCC/VDD (Min) (V) |
Input VCC (Min) (V) |
Input VCC (Max) (V) |
Peak Output Current (A) |
Prop Delay (ns) |
Prop Delay (Max) (ns) |
Operating Temperature Range (C) |
Package Group |
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ISO5851 | ISO5451 |
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5700 ? ? | 5700 ? ? |
8000 ? ? | 8000 ? ? |
2121 ? ? | 1420 ? ? |
1 ? ? | 1 ? ? |
IGBT ? ? | IGBT ? ? |
N/A ? ? | N/A ? ? |
30 ? ? | 30 ? ? |
15 ? ? | 15 ? ? |
3 ? ? | 3 ? ? |
5.5 ? ? | 5.5 ? ? |
5 ? ? | 5 ? ? |
76 ? ? | 76 ? ? |
110 ? ? | 110 ? ? |
-40 to 125 ? ? | -40 to 125 ? ? |
SOIC ? ? | SOIC ? ? |