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TLC27L1A LinCMOS? 低功耗運算放大器

數(shù)據(jù):

描述

TLC27L1運算放大器結合了多種輸入失調(diào)電壓等級,具有低失調(diào)電壓漂移和高輸入阻抗。此外,TLC27L1是TLC271可編程放大器的低偏置版本。這些器件使用德州儀器公司的硅柵LinCMOS ??該技術提供的偏移電壓穩(wěn)定性遠遠超過傳統(tǒng)金屬柵極工藝的穩(wěn)定性。

有三種偏置電壓等級可供選擇(C后綴和I后綴類型),范圍從低 - 成本為TLC27L1(10 mV)至TLC27L1B(2 mV)低偏移版本。極高的輸入阻抗和低偏置電流,以及良好的共模抑制和電源電壓抑制,使這些器件成為新的最先進設計以及升級現(xiàn)有設計的理想選擇。

一般來說,LinCMOS中有許多與雙極技術相關的功能?運算放大器,沒有雙極技術的功率損失。 TLC27L1可以輕松設計一般應用,如換能器接口,模擬計算,放大器模塊,有源濾波器和信號緩沖。這些器件還具有低電壓單電源供電,非常適合遠程和難以接近的電池供電應用。共模輸入電壓范圍包括負電壓軌。

器件輸入和輸出設計用于承受-100 mA浪涌電流而不會出現(xiàn)閂鎖現(xiàn)象。

TLC27L1內(nèi)置靜電放電(ESD)保護電路,可防止電壓高達2000 V時的功能故障,如MIL-STD-883C,方法3015.2所測試;但是,在處理這些器件時應小心,因為暴露于ESD可能會導致器件參數(shù)性能下降。

C-suffix器件的特點是工作溫度范圍為0°C至70°C。 I后綴器件的特點是在-40°C至85°C的溫度范圍內(nèi)工作。 M-suffix器件的特點是在-55°C至125°C的整個軍用溫度范圍內(nèi)工作。

特性

  • 輸入偏移電壓漂移。 。 。通常0.1μV/月,包括前30天
  • 在指定溫度范圍內(nèi)的寬范圍電源電壓:
      0°C至70°C。 。 。 3V至16V
    <40> 40℃至85℃。 。 。 4V至16V
<55> 55至125℃。 。 。 5 V至16 V
  • 單電源供電
  • 共模輸入電壓范圍延伸至負電壓軌以下(C-Suffix和I-Suffix類型)
  • 低噪音。 。 。 68 nV / Hz通常在f = 1 kHz
  • 輸出電壓范圍包括負值鐵路
  • 高輸入阻抗。 。 。 10 12 Typ
  • ESD保護電路< /li>
  • 小型封裝選項也可用于卷帶
  • 設計閂鎖抗擾度
  • LinCMOS是德州儀器。

    參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?通用 運算放大器

    ?
    Number of Channels (#)
    Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10)
    Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10)
    GBW (Typ) (MHz)
    Slew Rate (Typ) (V/us)
    Rail-to-Rail
    Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV)
    Iq per channel (Typ) (mA)
    Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz)
    Rating
    Operating Temperature Range (C)
    Package Group
    Package Size: mm2:W x L (PKG)
    Offset Drift (Typ) (uV/C)
    Features
    Input Bias Current (Max) (pA)
    CMRR (Typ) (dB)
    Output Current (Typ) (mA)
    Architecture
    TLC27L1A
    1 ? ?
    3 ? ?
    16 ? ?
    0.085 ? ?
    0.03 ? ?
    In to V- ? ?
    5 ? ?
    0.01 ? ?
    68 ? ?
    Catalog ? ?
    -40 to 85
    0 to 70 ? ?
    PDIP
    SOIC ? ?
    See datasheet (PDIP)
    8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) ? ?
    1.1 ? ?
    N/A ? ?
    60 ? ?
    94 ? ?
    1 ? ?
    CMOS ? ?

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