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數(shù)據(jù): LMG3410 600-V 12-A Integrated GaN Power Stage 數(shù)據(jù)表
LMG3410單通道氮化鎵(GaN)功率級包含一個(gè)70mΩ,600V GaN功率晶體管,一個(gè)優(yōu)化的驅(qū)動器,并且內(nèi)置 - 采用低電感8 mm×8 mm QFN封裝,提供保護(hù)。與基于硅FET的解決方案相比,LMG3410功率級與TI ?? sanalog和數(shù)字電源轉(zhuǎn)換控制器相結(jié)合,使設(shè)計(jì)人員能夠創(chuàng)建更小,更高效和更高性能的設(shè)計(jì)。這些優(yōu)勢在隔離的高壓工業(yè),電信,企業(yè)計(jì)算和可再生能源應(yīng)用中尤為重要。
憑借其集成的驅(qū)動器和零反向恢復(fù)電流等特性,LMG3410可在硬開關(guān)應(yīng)用中提供可靠的性能,可顯著降低開關(guān)損耗高達(dá)80%。與獨(dú)立的GaN FET不同,易于使用的LMG3410集成了內(nèi)置智能,可用于溫度,電流和欠壓鎖定(UVLO)故障保護(hù)。
最后,外部可調(diào)節(jié)的壓擺率和低電感QFN封裝可最大限度地減少開關(guān)損耗,電壓振鈴和電噪聲的產(chǎn)生
所有商標(biāo)均為其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。
? |
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Configuration |
VDS (Max) (V) |
ID (Max) (A) |
RDS (on) (Milliohm) |
Coss (pF) |
VCC (V) |
Logic Level |
Prop Delay (ns) |
Control Method |
? |
LMG3410 | LMG5200 |
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Single-Channel Power Stage ? ? | Half Bridge Power Stage ? ? |
600 ? ? | 80 ? ? |
12 ? ? | 10 ? ? |
70 ? ? | 15 ? ? |
71 ? ? | 266 ? ? |
12 ? ? | 5 ? ? |
3V to 5V CMOS and TTL ? ? | 3V to 5V CMOS and TTL ? ? |
20 ? ? | 29.5 ? ? |
External ? ? | External ? ? |