SN74CB3Q16211 24 通道 1:1 高帶寬模擬開(kāi)關(guān)

描述

SN74CB3Q16211是一款高帶寬FET總線開(kāi)關(guān)，利用電荷泵提升傳輸晶體管的柵極電壓，提供低而平坦的導(dǎo)通狀態(tài)阻力（ron）。低而平坦的導(dǎo)通電阻允許最小的傳播延遲，并支持?jǐn)?shù)據(jù)輸入/輸出（I /O）端口上的軌到軌切換。該器件還具有低數(shù)據(jù)I /O電容，可最大限度地減少數(shù)據(jù)總線上的電容負(fù)載和信號(hào)失真。 SN74CB3Q16211專(zhuān)為支持高帶寬應(yīng)用而設(shè)計(jì)，提供優(yōu)化的接口解決方案，非常適合寬帶通信，網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)密集型計(jì)算系統(tǒng)。

SN74CB3Q16211被組織為兩個(gè)12位總線交換機(jī)單獨(dú)的輸出使能（10E \，2OE \）輸入。它可以用作兩個(gè)12位總線開(kāi)關(guān)或一個(gè)24位總線開(kāi)關(guān)。當(dāng)OE \為低電平時(shí)，相關(guān)的12位總線開(kāi)關(guān)接通，A端口連接到B端口，允許端口之間的雙向數(shù)據(jù)流。當(dāng)OE \為高電平時(shí)，相關(guān)的12位總線開(kāi)關(guān)關(guān)閉，A和B端口之間存在高阻態(tài)。

該器件完全適用于部分?jǐn)嚯姂?yīng)用我_{關(guān)。 I _off電路可防止在斷電時(shí)損壞通過(guò)器件的電流回流。}

為了確保上電或斷電期間的高阻態(tài)，應(yīng)該綁定OE \通過(guò)上拉電阻到V _CC;電阻的最小值由驅(qū)動(dòng)器的電流吸收能力決定。

特性

德州儀器廣播公司的成員？系列
高帶寬數(shù)據(jù)路徑（最高500 MHz ）
器件上電或掉電時(shí)的5 V容差I(lǐng) /O
低和平導(dǎo)通電阻（r _on）特性超出工作范圍（r < sub> on = 5 典型的）
鐵路到 - 數(shù)據(jù)I /O端口上的軌道切換
- 0 V至5 V切換使用3.3 VV _CC
- 0 V至3.3 V切換2.5-VV _CC
具有接近零傳播延遲的雙向數(shù)據(jù)流
低輸入/輸出電容最小化加載和信號(hào)失真（C _io（OFF） = 4 pF典型值）
快速開(kāi)關(guān)頻率（f _{OE \} =最大20 MHz）
數(shù)據(jù)和控制輸入提供下沖鉗位二極管
低功耗（I _CC = 1 mA典型值）
V _{CC < /sub>工作范圍2.3 V至3.6 V}
控制輸入可以驅(qū)動(dòng)通過(guò)TTL或5 V /3.3 V CMOS輸出
I _off支持部分省電模式操作
閂鎖性能超過(guò)100 mA根據(jù)JESD 78，II類(lèi)
每個(gè)JESD測(cè)試的ESD性能22
- 2000-V人體模型（A114-B，II類(lèi)）
- 1000-V充電設(shè)備型號(hào)（C101）
支持?jǐn)?shù)字和模擬應(yīng)用：PCI接口，差分信號(hào)接口，存儲(chǔ)器交錯(cuò)，總線隔離，低失真信號(hào)門(mén)控

有關(guān)CB3Q系列性能特征的更多信息，請(qǐng)參考TI應(yīng)用報(bào)告，CBT-C，CB3T和CB3Q信號(hào)開(kāi)關(guān)系列，文獻(xiàn)編號(hào)SCDA008。

Widebus是德州儀器公司的商標(biāo)。

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?模擬開(kāi)關(guān)/多路復(fù)用器

?
Configuration
Number of Channels (#)
Power Supply Type
Vss (Min) (V)
Vss (Max) (V)
Vdd (Min) (V)
Vdd (Max) (V)
Ron (Typ) (Ohms)
Bandwidth (MHz)
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Size: mm2:W x L (PKG)
Package Group
Supply Range (Max)
Ron (Max) (Ohms)
Input/Output Continuous Current (Max) (mA)
Supply Current (Typ) (uA)
Supply Current (Max) (uA)
Features
OFF-state leakage current (Max) (μA)
ON-state leakage current (Max) (μA)
Input/Output ON-state Capacitance (Typ) (pF)
Input/Output OFF-state Capacitance (Typ) (pF)
ESD Charged Device Model (kV)
ESD HBM (kV)
VIL (Max) (V)
VIH (Min) (V)
?

SN74CB3Q16211	SN74CBT16211A	SN74CBTLV16211
1:1 SPST ? ?	1:1 SPST ? ?	1:1 SPST ? ?
24 ? ?	24 ? ?	24 ? ?
Single ? ?	Single ? ?	Single ? ?
N/A ? ?	N/A ? ?	N/A ? ?
N/A ? ?	N/A ? ?	N/A ? ?
2.3 ? ?	4 ? ?	2.3 ? ?
3.6 ? ?	5.5 ? ?	3.6 ? ?
5 ? ?	5 ? ?	5 ? ?
500 ? ?	200 ? ?	200 ? ?
Catalog ? ?	Catalog ? ?	Catalog ? ?
-40 to 85 ? ?	-40 to 85 ? ?	-40 to 85 ? ?
56BGA MICROSTAR JUNIOR: 32 mm2: 4.5 x 7(BGA MICROSTAR JUNIOR) 56SSOP: 191 mm2: 10.35 x 18.42(SSOP) 56TSSOP: 113 mm2: 8.1 x 14(TSSOP) 56TVSOP: 72 mm2: 6.4 x 11.3(TVSOP) ? ?	56SSOP: 191 mm2: 10.35 x 18.42(SSOP) 56TSSOP: 113 mm2: 8.1 x 14(TSSOP) 56TVSOP: 72 mm2: 6.4 x 11.3(TVSOP) ? ?	56SSOP: 191 mm2: 10.35 x 18.42(SSOP) 56TSSOP: 113 mm2: 8.1 x 14(TSSOP) 56TVSOP: 72 mm2: 6.4 x 11.3(TVSOP) ? ?
BGA MICROSTAR JUNIOR SSOP TSSOP TVSOP ? ?	SSOP TSSOP TVSOP ? ?	SSOP TSSOP TVSOP ? ?
3.6 ? ?	5.5 ? ?	3.6 ? ?
9 ? ?	20 ? ?	40 ? ?
64 ? ?	128 ? ?	128 ? ?
1000 ? ?	?	?
2000 ? ?	3 ? ?	10 ? ?
Powered off protection ? ?	?	Powered off protection ? ?
1 ? ?	1 ? ?	1 ? ?
?	1 ? ?	1 ? ?
10 ? ?	?	?
4 ? ?	5.5 ? ?	6.5 ? ?
1 ? ?	?	?
2 ? ?	?	2 ? ?
0.8 ? ?	0.8 ? ?	0.8 ? ?
1.7 ? ?	2 ? ?	2 ? ?