0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

FAN3122TM1X-F085 單9 A高速

數(shù)據(jù):

FAN3121和FAN3122 MOSFET驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于通過(guò)提供高峰值電流脈沖來(lái)驅(qū)動(dòng)低側(cè)開(kāi)關(guān)應(yīng)用中的N溝道增強(qiáng)型MOSFET。這些驅(qū)動(dòng)器具有TTL輸入閾值(FAN312xT)或VDD比例CMOS輸入閾值(FAN312xC)。內(nèi)部電路通過(guò)將輸出保持在低電平直到電源電壓在工作范圍內(nèi)來(lái)提供欠壓鎖定功能。
FAN312x驅(qū)動(dòng)器在最終輸出級(jí)采用MillerDrive?架構(gòu)。這種雙極/ MOSFET組合在MOSFET導(dǎo)通/關(guān)斷過(guò)程的米勒平臺(tái)階段提供最高峰值電流。
FAN3121和FAN3122驅(qū)動(dòng)器在引腳3(EN)上實(shí)現(xiàn)了一個(gè)使能功能,此前未在行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的引腳。該引腳內(nèi)部上拉至VDD,用于高電平有效邏輯,可以保持開(kāi)路以進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)操作。
商用FAN3121 / 22采用3x3 mm 8引線熱增強(qiáng)型MLP封裝或8引腳SOIC封裝。
FAN3122TM1X-F085采用SO8封裝,帶有裸露焊盤(pán),可增強(qiáng)快速開(kāi)關(guān)應(yīng)用的散熱,例如EV / HEV中的板載充電器。
特性 優(yōu)勢(shì)
  • 帶暴露墊的SO8
  • 快速切換應(yīng)用的增強(qiáng)散熱
應(yīng)用 終端產(chǎn)品
  • 車載充電器
  • EV / HEV

電路圖、引腳圖和封裝圖




技術(shù)文檔

數(shù)據(jù)手冊(cè)(1) 相關(guān)資料(5)
元器件購(gòu)買 FAN3122TM1X-F085 相關(guān)庫(kù)存