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      NLAS5223B 模擬開(kāi)關(guān) 雙SPDT 0.5歐姆

      數(shù)據(jù)：

      NLAS5223B是采用亞微米硅柵CMOS技術(shù)制造的先進(jìn)CMOS模擬開(kāi)關(guān)。該器件是雙獨(dú)立單刀雙擲（SPDT）開(kāi)關(guān)，具有0.5歐姆的超低RON，VCC = 3.0 V。該器件還具有保證斷路前（BBM）開(kāi)關(guān)，確保開(kāi)關(guān)不會(huì)使驅(qū)動(dòng)器短路。 / div>
      特性
      • 超低RON，0.5歐姆，VCC = 3.0 V
      • NLAS5223B接口采用2.8 V芯片組，NLAS5223BL接口采用1.8 V芯片組
      • 單電源供電從1.65到4.5 V
      • 完全0到VCC信號(hào)處理能力
      • 高離子通道隔離，低待機(jī)電流，50 nA，低失真，RON平坦度為0.15歐姆
      應(yīng)用 終端產(chǎn)品
      • 手機(jī)音頻模塊
      • 揚(yáng)聲器和Earph一開(kāi)關(guān)
      • 振鈴音/芯片/放大器切換
      • 調(diào)制解調(diào)器
      • 手機(jī)

      電路圖、引腳圖和封裝圖




      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊(cè)（1） 相關(guān)資料（4）
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