LE25CB643TT-BH 64 kb SPI CMOS串行EEPROM

數(shù)據(jù)：數(shù)據(jù)表：64 kb SPI CMOS串行EEPROM

LE25CB643TT-BH是串行外設(shè)接口EEPROM（電可擦除和可編程ROM）。該器件采用高性能CMOS EEPROM技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了高速和高可靠性。該器件與SPI存儲(chǔ)器協(xié)議兼容，因此最適合需要可重寫(xiě)非易失性參數(shù)存儲(chǔ)器的應(yīng)用。此設(shè)備具有32字節(jié)頁(yè)面寫(xiě)入功能，用于高速數(shù)據(jù)重寫(xiě)。

高可靠性

特性	優(yōu)勢(shì)
容量：64k位（8k×8位）	寬工作電壓
單電源電壓： 2.7V至5.5V	低功耗
接口：SPI Mode0和Mode3 對(duì)應(yīng)
工作時(shí)鐘頻率：5MHz
低功耗：待機(jī)：3μA（最大）：讀：1mA （最大）：寫(xiě)：3mA（最大）
Automa tic頁(yè)寫(xiě)入模式：32字節(jié)
寫(xiě)循環(huán)時(shí)間：5ms
擦除/寫(xiě)入循環(huán)：10 ⁶周期
數(shù)據(jù)保留期：20年
高可靠性：采用專(zhuān)有的對(duì)稱(chēng)存儲(chǔ)器陣列配置（USP6947325）具有禁止在低電壓條件下進(jìn)行寫(xiě)操作的功能。

應(yīng)用	終端產(chǎn)品
需要可重寫(xiě)非易失性參數(shù)存儲(chǔ)器的應(yīng)用程序。	消費(fèi)類(lèi)，無(wú)線，PC外設(shè)，每個(gè)產(chǎn)品都要求存儲(chǔ)非易失性記憶