高通AP擬整合Rx芯片，TI無(wú)線(xiàn)充電霸主堪憂(yōu)

　　德州儀器（TI）無(wú)線(xiàn)充電晶片霸主地位正遭受應(yīng)用處理器廠(chǎng)商（AP）威脅。隨著高通（Qualcomm）先后宣布加入無(wú)線(xiàn)充電聯(lián)盟（WPC）與電力事業(yè)聯(lián)盟（PMA）后，該公司將無(wú)線(xiàn)充電接收器（Rx）整合至處理器的企圖心已愈來(lái)愈明顯，一旦相關(guān)產(chǎn)品推出，勢(shì)將對(duì)德州儀器在無(wú)線(xiàn)充電晶片的市占率造成不小沖擊。

　　致伸技術(shù)平臺(tái)資深經(jīng)理丘宏偉表示，未來(lái)處理器業(yè)者將接收器整合后，勢(shì)必將造成無(wú)線(xiàn)充電晶片市占率排名重新洗牌。

　　致伸技術(shù)平臺(tái)資深經(jīng)理丘宏偉表示，從高通目前一次跨足三大無(wú)線(xiàn)充電標(biāo)準(zhǔn)陣營(yíng)的動(dòng)作，即可看出該公司亟欲掌握每一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)聯(lián)盟的最新動(dòng)態(tài)，藉此觀(guān)察不同標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格的市場(chǎng)發(fā)展走向，以利未來(lái)該選擇何種標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行元件整合，并透過(guò)此一布局大舉揮軍無(wú)線(xiàn)充電市場(chǎng)，同時(shí)爭(zhēng)食德州儀器無(wú)線(xiàn)充電接收器市場(chǎng)。

　　據(jù)了解，現(xiàn)階段由于德州儀器的無(wú)線(xiàn)充電解決方案整合度較高，因此有近六成的市占率，其余四成則由飛思卡爾、IDT與日系晶片商分食，但未來(lái)若高通將接收器整合至應(yīng)用處理器后，則無(wú)線(xiàn)充電接收器市占率勢(shì)必將重新洗牌，而德州儀器的市場(chǎng)領(lǐng)先地位也將面臨極大的挑戰(zhàn)。

　　事實(shí)上，無(wú)線(xiàn)充電接收器是由微控制器（MCU）、電源控制演算法與金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體（MOSFET）所組成，從技術(shù)角度而言，應(yīng)用處理器業(yè)者將接收器整合為系統(tǒng)單晶片（SoC）是可行方案，但仍有一些技術(shù)挑戰(zhàn)與風(fēng)險(xiǎn)存在。

　　富達(dá)通無(wú)線(xiàn)充電事業(yè)部經(jīng)理詹其哲指出，無(wú)線(xiàn)充電晶片的峰值電壓最高為20V，遠(yuǎn)超過(guò)處理器可承受的范圍，因此處理器業(yè)者若沒(méi)有做好防護(hù)措施，當(dāng)突發(fā)性峰值出現(xiàn)時(shí)，很可能會(huì)燒壞昂貴的應(yīng)用處理器，且MOSFET現(xiàn)階段也難以整合至全數(shù)位化的主晶片中，因此仍有其技術(shù)瓶頸存在。

　　不過(guò)，丘宏偉認(rèn)為，盡管無(wú)線(xiàn)充電電壓峰值過(guò)高對(duì)應(yīng)用處理器是潛在風(fēng)險(xiǎn)，但隨著電源管理晶片（PMIC）的效能日益精進(jìn)，將足以應(yīng)付低功率接收器的電壓防護(hù)需求，而MOSFET亦可外掛至主板上，所以相關(guān)技術(shù)問(wèn)題相信不久后即可迎刃而解。

　　丘宏偉分析，未來(lái)接收器整合至應(yīng)用處理器將是必然趨勢(shì)，而高通挾行動(dòng)裝置處理器高市占率的優(yōu)勢(shì)，不僅可大幅降低接收器成本，且能加速無(wú)線(xiàn)充電市場(chǎng)滲透率擴(kuò)大，為一舉數(shù)得的市場(chǎng)策略。

　　值得注意的是，不光是高通打算將無(wú)線(xiàn)充電接收器整合至應(yīng)用處理器，聯(lián)發(fā)科目前也正加緊研發(fā)相關(guān)解決方案，并積極參與三大標(biāo)準(zhǔn)組織的會(huì)議，期盼能搶先布局此一元件整合策略，讓中低價(jià)智慧型手機(jī)與平板電腦使用者也能以最低的成本擁有無(wú)線(xiàn)充電功能。