65W氮化鎵電源原理圖
2022-10-04 22:09:30
芯片業(yè)務(wù)注入上市公司。三安光電子公司湖南三安致力于第三代化合物半導(dǎo)體碳化硅及氧化鎵材料、外延、芯片及封裝的開發(fā)。南大光電在互動平臺表示,公司三甲基鎵產(chǎn)品可以作為生產(chǎn)氧化鎵的原材料。
2023-03-15 11:09:59
甲基三苯基硅烷 IOTA 5803中文名稱:甲基三苯基硅烷英文名稱:Methyltriphenylsilane英文別名:Silane, methyltriphenyl-; methyl
2017-08-03 14:07:16
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 該GaN內(nèi)部匹配(IM)FET與其他技術(shù)相比,具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵(GaN)高電子遷移率基于晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能,包括更高的擊穿電壓,更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢,并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容,在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動機
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導(dǎo)體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術(shù),瞄準(zhǔn)主流消費
2018-02-12 15:11:38
`作為一家具有60多年歷史的公司,MACOM在射頻微波領(lǐng)域經(jīng)驗豐富,該公司的首款產(chǎn)品就是用于微波雷達的磁控管,后來從真空管、晶體管發(fā)展到特殊工藝的射頻及功率器件(例如砷化鎵GaAs)。進入2000年
2017-09-04 15:02:41
測試背景地點:國外某知名品牌半導(dǎo)體企業(yè),深圳氮化鎵實驗室測試對象:氮化鎵半橋快充測試原因:因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時會炸管,需要對半橋上管控制信號的具體參數(shù)進行摸底測試測試探頭:麥科信OIP
2023-01-12 09:54:23
)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
由于換了三星手機,之前的充電器都不支持快充了,一直想找一款手機電腦都能用的快充充電器,「倍思GaN2 Pro氮化鎵充電器」就是這樣一款能滿足我的充電器,這篇文章就來說下這款充電器的選購過程
2021-09-14 08:28:31
、TMGa(三甲基鎵)和TMin(三甲基銦)分別用作As、P、Ga 和In 的來源。氫氣用作載氣,反應(yīng)器中的總壓力為5kPa。外延層在 560°C 下制備,生長速率為 0.6 μm/hr。層的厚度范圍從
2021-07-09 10:23:37
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯,增加。因為它與傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比,不僅性能優(yōu)異,應(yīng)用范圍廣泛,而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中,傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面,已經(jīng)達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量,氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev,是硅的 3 倍多,所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性(WBG)。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
處于領(lǐng)先地位。氮化鎵功率半導(dǎo)體雖然適用性極高,但依然面臨三項社會問題僅從物理特性來看,氮化鎵比碳化硅更適合做功率半導(dǎo)體的材料。研究人員還將碳化硅與氮化鎵的“Baliga特性指標(biāo)(與硅相比,硅是1)相比
2023-02-23 15:46:22
氮化鎵(GaN)功率芯片,將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上,能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中,氮化鎵功率芯片,能令先進的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),從學(xué)術(shù)概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝,GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計,帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起,我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級
2020-10-27 09:28:22
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領(lǐng)先地位。『三點半說』經(jīng)多方專家指點查證,特推出“氮化鎵系列”,告訴大家什么是氮化鎵(GaN)?
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵,由鎵(原子序數(shù) 31)和氮(原子序數(shù) 7)結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量,氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV,是硅
2023-06-15 15:41:16
的應(yīng)用[color=rgb(51, 51, 51) !important]激光雷達(LiDAR)使用鐳射脈沖快速形成三維圖像或為周圍環(huán)境制作電子地圖。氮化鎵場效應(yīng)相較MOSFET器件而言,開關(guān)速度快十倍,使得
2019-07-08 04:20:32
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
客戶希望通過原廠FAE盡快找到解決方案,或者將遇到技術(shù)挫折歸咎為芯片本身設(shè)計問題,盡管不排除芯片可能存在不適用的領(lǐng)域,但是大部分時候是應(yīng)用層面的問題,和芯片沒有關(guān)系。這種情況對新興的第三代半導(dǎo)體氮化鎵
2023-02-01 14:52:03
和分析,詳細(xì)列舉氮化鎵與傳統(tǒng)的MOSFET設(shè)計上的區(qū)別,PCB LAYOUT相關(guān)注意事項等。第三步:電路測試和優(yōu)化技巧通過從低壓到高壓、從低頻到高頻、從控制信號到主電路工作、從開環(huán)到閉環(huán)等多方面的調(diào)試
2020-11-18 06:30:50
如何帶工程師完整地設(shè)計一個高效氮化鎵電源,包括元器件選型、電路設(shè)計和PCB布線、電路測試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評估和分析。
2021-06-17 06:06:23
如何實現(xiàn)小米氮化鎵充電器是一個c to c 的一個充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口,但這個口不可以充電,它是用來轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類了,可以外接顯示器,拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
導(dǎo)讀:將GaN FET與它們的驅(qū)動器集成在一起可以改進開關(guān)性能,并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多,從而有可能實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而,當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
如何設(shè)計GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品?
2021-06-15 06:30:55
)、射頻切換器(RF Switch)、手機及無線區(qū)域網(wǎng)路用功率放大器( PA )與雷達系統(tǒng)上。
砷化鎵電晶體制程技術(shù)分為三類:
A.異質(zhì)接面雙極性電晶體(HBT)
B.應(yīng)變式異質(zhì)接面高遷移率電晶體
2019-05-27 09:17:13
OPPO公司分享了這一應(yīng)用的優(yōu)勢,一顆氮化鎵可以代替兩顆硅MOS,體積更小、更節(jié)省空間,且阻抗比單顆硅MOS更低,可降低在此路徑上的熱量消耗,降低充電溫升,提升充電的恒流持續(xù)時間。不僅如此,氮化鎵有
2023-02-21 16:13:41
氮化鎵完整方案有深圳市展嶸電子有限公司提供,包括45W、69W單口、多口全協(xié)議輸出適配器,更有87W適配器+移動電源超級快充二合一方案??傆幸豢钸m合您。目前包括小米、OPPO、realme、三
2021-04-16 09:33:21
兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計,帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起,我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級
2022-11-10 06:36:09
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術(shù),可實現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應(yīng)用中取得硅器件無法實現(xiàn)的性能。那么,為什么關(guān)于氮化鎵半導(dǎo)體仍然有如此多的誤解?事實又是怎樣的呢?
關(guān)于氮化鎵技術(shù)
2023-06-25 14:17:47
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
鎵在自然界中不以元素形式存在。它通常是在鋁土礦加工成鋁的過程中,或閃鋅礦提煉為鋅的過程中產(chǎn)生的副產(chǎn)品。因此鎵的提取和精煉,碳足跡非常低。
鎵每年產(chǎn)量超過 300 噸,預(yù)計全世界的存儲量超過 100
2023-06-15 15:50:54
被譽為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運用到通信、軍工領(lǐng)域,隨著技術(shù)的進步以及人們的需求,氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)走進了我們生活中,尤其在充電器中的應(yīng)用逐步布局開來,以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
能源并占用更小空間,所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計到2030年,電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80%的能源,而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨特的性能,被譽為第三代半導(dǎo)體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力,甚至為該行業(yè)帶來跨越式
2022-06-14 11:11:16
現(xiàn)在越來越多充電器開始換成氮化鎵充電器了,氮化鎵充電器看起來很小,但是功率一般很大,可以給手機平板,甚至筆記本電腦充電。那么氮化鎵到底是什么,氮化鎵充電器有哪些優(yōu)點,下文簡單做個分析。一、氮化鎵
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來了低電荷(低電容)、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件,以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率(65kHz)相比,集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小:GaNFast? 功率芯片,可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量節(jié)約方面,它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快:氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計使其非常
2023-06-15 15:32:41
`從研發(fā)到商業(yè)化應(yīng)用,氮化鎵的發(fā)展是當(dāng)下的顛覆性技術(shù)創(chuàng)新,其影響波及了現(xiàn)今整個微波和射頻行業(yè)。氮化鎵對眾多射頻應(yīng)用的系統(tǒng)性能、尺寸及重量產(chǎn)生了明確而深刻的影響,并實現(xiàn)了利用傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)無法實現(xiàn)
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動器可容易地實現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
從將PC適配器的尺寸減半,到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換,德州儀器為您的設(shè)計提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V,提供從低功率適配器到超過2 kW設(shè)計的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
封裝技術(shù)的效率。三維散熱是GaN封裝的一個很有前景的選擇。
生活更環(huán)保
為了打破成本和大規(guī)模采用周期,一種新型功率半導(dǎo)體技術(shù)需要解決最引人注目應(yīng)用中現(xiàn)有設(shè)備的一些缺點。氮化鎵為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機會
2019-03-14 06:45:11
激光器是20世紀(jì)四大發(fā)明之一,半導(dǎo)體激光器是采用半導(dǎo)體芯片加工工藝制備的激光器,具有體積小、成本低、壽命長等優(yōu)勢,是應(yīng)用最多的激光器類別。氮化鎵激光器(LD)是重要的光電子器件,基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53
氮化鎵電源設(shè)計從入門到精通,這個系列直播共分為八講,本篇第六講將為您介紹EMC優(yōu)化和整改技巧,助您完成電源工程師從入門到精通的蛻變。前期回顧(點擊下方內(nèi)容查看上期直播):- 第一講:元器件選型
2021-12-29 06:31:58
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。 數(shù)十年來,橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今,這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變,硅基氮化鎵(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實現(xiàn)快速開關(guān)?氮化鎵能否實現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計?
2021-06-17 10:56:45
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時,GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
請問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎?
2024-01-11 07:23:47
使用的拋光供應(yīng)。還有其他原料:高純度金屬鎵,高純三甲基鎵等金屬,三乙基鎵,三甲基煙,三甲基鋁,高純氣體氨,有機氮和氫的來源。一般需要的原料純度超過6N的。包裝材料,包括環(huán)氧樹脂,ABS,PC機,降凝劑等
2011-05-03 00:29:27
間比較了三個二極管,標(biāo)題比較如圖1所示。數(shù)據(jù)比較表明,從正向?qū)ㄐ阅艿慕嵌葋砜?,硅和砷?b class="flag-6" style="color: red">鎵的性能都更好,尤其是在高結(jié)溫下。從開關(guān)角度來看,SiC具有明顯更高的電容,但反向恢復(fù)時間基本上為零。問題是
2023-02-22 17:13:39
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來,橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今,這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變,硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
日前,在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢專場中,晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報告,與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎?然后提取參數(shù)想基于candence model editor進行氮化鎵器件的建模,有可能實現(xiàn)嗎?求教ICCAP軟件呢?
2019-11-29 16:04:02
請問一下VGA應(yīng)用中硅器件注定要改變砷化鎵一統(tǒng)的局面?
2021-05-21 07:05:36
氮化鎵GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究,始于 2009 年左右的香港科技大學(xué),但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn),則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
了當(dāng)時功率半導(dǎo)體界的一項大膽技術(shù):氮化鎵(GaN)。對于強大耐用的射頻放大器在當(dāng)時新興的寬帶無線網(wǎng)絡(luò)、雷達以及電網(wǎng)功率切換應(yīng)用中的使用前景,他們表達了樂觀的看法。他們稱氮化鎵器件為“迄今為止最堅固耐用
2023-02-27 15:46:36
各位大神,目前國內(nèi)賣銦鎵砷紅外探測器的有不少,知道銦鎵砷等III-V族化合物外延片都是哪些公司生產(chǎn)的嗎,坐等答案
2013-06-04 17:22:07
就可以實現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動器解決方案,相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以實現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動器解決方案,相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
火腿中三甲胺含量快檢儀深圳市芬析儀器制造有限公司生產(chǎn)的CSY-SSJ火腿中三甲胺含量快檢儀可以快速檢測火腿中三甲胺含量,根據(jù)GGB/T 18357-2008規(guī)定宣威火腿三甲胺含量<13mg/Kg
2022-05-24 21:04:09
以十六烷基三甲基溴化銨、十二胺為模板劑, 采用雙模板法及均相沉淀法, 分別制備了介孔結(jié)構(gòu)的SnO2.BET測試結(jié)果表明, 雙模板法制備的介孔SnO2平均孔徑、孔容和比表面積分別為4.9 n
2009-03-06 14:01:4424 以甲基丙烯酸丁脂(Bu) 和甲基丙烯酰羥乙基三甲基氯化銨(Q b) 聚合而成的高分子材料為敏感膜制成了石英諧振式濕敏元件。研究了不同材料配比、制備方法對器件的濕敏性能的影響
2009-07-13 11:48:0911 以自制的銳鈦礦TiO:納米晶為光催化劑,高壓汞燈為光源,考察了亞甲基藍溶液初始濃度、催化劑用量、pH值、0:和Fe¨等因素對其光催化降解的影響.結(jié)果表明,適宜的pH值為5.6
2010-03-03 22:13:2418 酷派殺入中國3G手機三甲
在競爭激烈的手機市場中,國產(chǎn)品牌宇龍酷派異軍突起:在CDMA市場上,去年率先在全球推出了劃時代的產(chǎn)品
2010-01-28 10:52:12424 雷士、飛利浦、歐普位列燈具品牌榜三甲
近日,中國房地產(chǎn)測評中心在北京富力萬麗酒店正式發(fā)布“2009年度中國房地產(chǎn)
2010-04-12 17:18:451691 摘要:將meso-四(4-N,N,N-三甲基氨基苯基)卟啉(TTMAPP)組裝到介孔分子篩MCM-41的孔道中,制備了金屬離子傳感材料TTMAPP/MCM-41.X射線粉末衍射證明,組裝后MCM-41的有序孔道結(jié)構(gòu)未發(fā)生變化.紫外可見吸收光譜結(jié)果表明,組裝體具有典型的卟啉吸收特性.鋅離子的引入
2011-02-17 00:22:4729 這周在AVR32單片機烷基芐基二甲基銨氯化物是相當(dāng)適合生成音頻播放。本文將解釋如何執(zhí)行此操作,并包括一個生成正弦波輸出的示例驅(qū)動程序的鏈接。
2017-07-21 09:38:465 具體到車型(不分純電動和插電式混合動力),前三甲依然沒有變化,還是鐵打的北汽新能源EC系列、知豆D2和比亞迪宋。不過比亞迪宋在7月還是銷量冠軍,8月就落到了第三名。
2017-09-26 09:12:441045 羧甲基纖維素鈉,(又稱:羧甲基纖維素鈉鹽,羧甲基纖維素,CMC,Carboxymethyl ,Cellulose Sodium,Sodium salt of Caboxy Methyl Cellulose)是當(dāng)今世界上使用范圍最廣、用量最大的纖維素種類。
2018-03-05 15:47:328821 近日,江蘇南大光電材料股份有限公司(以下簡稱“南大光電”)發(fā)布公告稱,為擴展業(yè)務(wù)規(guī)模,公司于12月13日與安徽省全椒縣人民政府簽訂了投資協(xié)議,擬在安徽省滁州市全椒縣十譚電子新材料產(chǎn)業(yè)園建設(shè)江蘇南大光電集成電路材料生產(chǎn)基地,包括年產(chǎn)170噸MO源和高K三甲基鋁生產(chǎn)項目,計劃投資約5億元。
2018-12-14 15:45:093782 現(xiàn)在人們對PCB表面的離子清潔度越來越關(guān)注,除了常見的陰陽離子,還有弱有機酸。文章描述一種用離子色譜儀測試檢測甲酸、乙酸和甲基磺酸三種弱有機酸的方法。
2021-04-09 14:43:159610 的晶面具有更低的表面粗糙度。還研究了溝道底部的溝槽和斜面(長方體),攪動長方體的去除或晶面刻蝕速率的提高。最后,研究了有無紫外光照射下,紫外光對三甲基氯化銨中m和a-GaN晶面刻蝕速率的影響。因此,發(fā)現(xiàn)用紫外光將m-GaN平面蝕刻速率從0.69納米
2022-05-05 16:38:031394 二甲基甲酰胺合成反應(yīng)器為立式結(jié)構(gòu),它通過4個支耳懸掛在裝置框架上,在反應(yīng)器的側(cè)面有上下2個DN80的法蘭口,法蘭面和設(shè)備的內(nèi)壁間距為200mm,這兩個法蘭口用來安裝液位測量儀表。反應(yīng)器采用
2022-11-08 12:07:04696 的研發(fā)及擴產(chǎn),力爭實現(xiàn)高端前驅(qū)體材料國產(chǎn)化打破海外壟斷的現(xiàn)狀。 威頓晶磷是國內(nèi)領(lǐng)先的光伏、集成電路電子化學(xué)品供應(yīng)商,產(chǎn)品以前驅(qū)體材料為主,包括正硅酸四乙酯(TEOS)、三甲基鋁(TMA)、硼酸三甲脂(TMB)、硼酸三乙酯(TEB) 及High-K等產(chǎn)品;廣泛
2023-07-06 17:50:56229 威頓晶磷產(chǎn)品以前驅(qū)體材料為主,包括正硅酸四乙酯(TEOS)、三甲基鋁(TMA)、硼酸三甲脂(TMB)、硼酸三乙酯(TEB) 及High-K等產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于邏輯電路、存儲芯片、模擬芯片等領(lǐng)域。
2023-09-05 14:58:501154 這篇研究文章的背景是關(guān)于固態(tài)鋰電池(ASSBs)中硫化物基固態(tài)電解質(zhì)的界面穩(wěn)定性問題。
2023-11-01 10:41:23407
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