Vishay推出新款TrenchFET功率MOSFET--SiA923EDJ
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK SC-70封裝，具有8V柵源電壓和迄今為止雙芯片P溝道器件所能達到的最低導通電阻。
新的 SiA923EDJ可用于DC-DC轉(zhuǎn)換器，以及智能手機、MP3播放器、平板電腦和電子書等手持設備中的充電和負載開關。更低的MOSFET導通電阻意味著更低的傳導損耗，從而在這些設備中節(jié)省電能并延長兩次充電之間的電池壽命。
SiA923EDJ在4.5V、2.5V、1.8V和1.5V時分別具有54mΩ、70mΩ、104mΩ和165mΩ的超低導通電阻。具有8V柵源電壓等級且性能最接近的P溝道器件在4.5V、2.5V、1.8V和1.5 V時的導通電阻為60mΩ、80mΩ、110mΩ和170mΩ，分別比SiA923EDJ高10%、12%、5%和3%。
MOSFET在1.5V電壓下就能導通，因而能夠配合手持設備中常用的電壓更低的柵極驅(qū)動器和更低的總線電壓一起工作，不需要在電平轉(zhuǎn)換電路上浪費空間和成本。SiA923EDJ的低導通電阻使其在峰值電流下的電壓降更小，能夠更好地防止有害的欠壓鎖定事件。緊湊的2mmx 2mm PowerPAK SC-70封裝只有TSOP-6的一半大小，而導通電阻則相近或更佳，并且在相同環(huán)境條件下的散熱多65%。
SiA923EDJ經(jīng)過了100%的Rg測試，符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)范及RoHS指令2002/95/EC。MOSFET的典型ESD保護達2500V。
SiA923EDJ與此前發(fā)布的具有12V最大柵源電壓等級的20V SiA921EDJ P溝道MOSFET互為補充。隨著SiA923EDJ的發(fā)布，設計者現(xiàn)在可以從具有更高柵極驅(qū)動電壓的SiA921EDJ或具有更低閾值電壓及更低導通電阻的器件當中選擇合適的產(chǎn)品。
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