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多晶硅“門檻”定調(diào):2010或成行業(yè)分水嶺

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什么是單晶硅,什么是多晶硅,二者究竟是怎么形成的,單晶硅和多晶硅有什么區(qū)別,多晶矽與單晶硅的主要差異體現(xiàn)在物理性質(zhì)方面,主要包括力學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)等方面,下面具體來了解下。
2023-06-12 16:44:423975

ME設(shè)備越過門檻運動試驗裝置

ME設(shè)備越過門檻運動試驗裝置       本設(shè)備符合標(biāo)準(zhǔn)GB 9706.1-2020   醫(yī)用
2023-06-12 10:02:04

多晶硅內(nèi)摻雜物的擴散效應(yīng)

當(dāng)晶體管尺寸縮小時,多晶硅內(nèi)摻雜物的擴散效應(yīng)可能會影響器件的性能。
2023-06-11 09:09:19727

中國電源管理芯片上市企業(yè)研發(fā)投入占比超10%,上海貝產(chǎn)品品類持續(xù)增加

儀器等領(lǐng)域,其中, 通訊設(shè)備和消費類電子是當(dāng)下電源管理IC最大的終端應(yīng)用市場。因為低端電源管理IC行業(yè)的技術(shù)準(zhǔn)入門檻較低,價格戰(zhàn)愈發(fā)激烈;同時伴隨著新能源、AIoT、人工智能、機器人等新興應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展
2023-06-09 14:52:24

多晶硅和單晶硅光伏板哪個好

單晶硅光伏板和多晶硅光伏板都是太陽能電池板的類型,其主要區(qū)別在于材料。   單晶硅光伏板是由單個晶體制成的硅片組成。該類型的太陽能電池板具有較高的轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性,因此在太陽能發(fā)電領(lǐng)域中應(yīng)用較為廣泛。但是,制造過程成本較高,價格較貴。
2023-06-08 16:04:414914

基于反型層電荷的模型

BSIM5模型從基本的一維MOSFET物理學(xué)出發(fā),推導(dǎo)出基本的電荷和通道電流方程,然后將其擴展到準(zhǔn)二維和三維情況,包括短通道、窄通道、多晶硅耗盡和量子力學(xué)效應(yīng)。
2023-06-08 09:01:57860

ZXTN2010ZQ 低飽和 晶體管

ZXTN2010ZQ 產(chǎn)品簡介DIODES 的 ZXTN2010ZQ 這種采用 SOT89 外形封裝的新型低飽和 60V NPN 晶體管具有極低的導(dǎo)通狀態(tài)損耗,使其非常適合用于 DC-DC
2023-06-07 20:39:05

ZXTN2010Z 低飽和 晶體管

ZXTN2010Z   產(chǎn)品簡介DIODES 的 ZXTN2010Z 這種采用 SOT89 外形封裝的新型低飽和 60V NPN 晶體管具有極低的導(dǎo)通狀態(tài)損耗,使其非常適合
2023-06-07 20:32:27

ZXTN2010G 低飽和 晶體管

ZXTN2010G  產(chǎn)品簡介DIODES 的 ZXTN2010G 這款新型低飽和 60V NPN 晶體管采用 SOT223 封裝,導(dǎo)通狀態(tài)損耗極低,非常適合用于 DC-DC
2023-06-07 20:25:43

ZXTN2010A 低飽和 晶體管

ZXTN2010A 產(chǎn)品簡介DIODES 的 ZXTN2010A 這種采用 E 線輪廓封裝的新型低飽和 60V NPN 晶體管提供極低的導(dǎo)通狀態(tài)損耗,使其非常適合用于 DC-DC 電路以及
2023-06-07 20:09:36

晶片濕法刻蝕方法

硅的堿性刻蝕液:氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺(TMAH)溶液,晶片加工中,會用到強堿作表面腐蝕或減薄,器件生產(chǎn)中,則傾向于弱堿,如SC1清洗晶片或多晶硅表面顆粒,一部分機理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10:011596

【周評】組件大幅走跌,光伏市場價格混戰(zhàn)!P-N出現(xiàn)同價!

多晶硅 晶7元/千克,多晶硅致密料主流價格110-123元/千克,多晶硅價格指數(shù)106.23元/千克。 多晶硅價格再度走跌,多晶硅庫存持續(xù)走高目前已經(jīng)逼近13萬大關(guān),硅片價格的走跌一定程度加速
2023-06-05 09:53:13918

SMM硅基光伏晨會紀(jì)要(工業(yè)硅、多晶硅、電池片、組件、光伏玻璃)

審核編輯?黃宇
2023-06-05 09:52:18153

88E2010-A1-BUS4C000以太網(wǎng) IC?Marwell

Marvell?88E2010-A1-BUS4C000是個充分符合IEEE802.3bz標(biāo)準(zhǔn)化的1端口(88E2010)或4端口(88E2040L)物理層(PHY)設(shè)備產(chǎn)品
2023-06-02 13:45:55242

SMM硅基光伏晨會紀(jì)要(多晶硅、電池片、光伏膠膜、光伏玻璃、逆變器)

審核編輯?黃宇
2023-06-01 09:38:20245

5.5太陽能級多晶硅的物理冶金制備

半導(dǎo)體
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-01 00:07:55

單向可控的如何使用#硬聲創(chuàng)作季

可控
也許吧發(fā)布于 2023-05-31 11:22:21

SMM硅基光伏晨會紀(jì)要(硅石、工業(yè)硅、多晶硅、硅片......)

審核編輯?黃宇
2023-05-31 10:04:53149

刻錄IMX8QXP Android鏡像問題如何解決?

init_boot 生成線以將 u-boot-imx8qxp.imx 閃存到 bootloader0 的分區(qū) 生成行以將 partition-table.img 閃存到 gpt 分區(qū) 生成行以將
2023-05-29 07:22:06

是否有為SAM創(chuàng)建主密鑰的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)方法?

密鑰的跟蹤器。 我計劃使用 CPU 的 ID 作為 SAM 主密鑰,以便將它們綁定在一起 是否有為 SAM 創(chuàng)建主密鑰的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)方法?
2023-05-18 14:53:23

半導(dǎo)體工藝設(shè)備之單晶爐工藝流程

單晶爐,全自動直拉單晶生長爐,是一種在惰性氣體(氮氣、氦氣為主)環(huán)境中,用石墨加熱器將多晶硅多晶材料熔化,用直拉法生長無錯位單晶的設(shè)備。
2023-05-16 09:48:515624

LTC3524EUF#TRPBF是一款驅(qū)動器

LTC?3524 是一款集成 BIAS 和白光 LED 功率轉(zhuǎn)換器解決方案,以用于中小尺寸的多晶硅薄膜晶體管 (TFT) 液晶 (LCD) 顯示屏。該器件采用單節(jié)鋰離子/鋰聚合物電池任何 2.5V
2023-05-15 17:04:32

NPT2010 射頻晶體管

NPT2010MACOM 的 NPT2010 是一款射頻晶體管,頻率 DC 至 2.2 GHz,功率 50 dBm,功率(W)100 W,飽和功率 50.5 dBm,增益 17 dB。標(biāo)簽:法蘭
2023-04-14 15:36:07

光伏電站的光伏板電壓是多少

光伏電站的光伏板電壓是變化的,因為它受到多個因素的影響。一般來說,標(biāo)準(zhǔn)的單晶或多晶硅太陽能電池板的額定電壓為大約 30 ~ 40 伏特。
2023-04-11 15:28:0422601

光耦MOC3063驅(qū)動可控

如圖所示:1.單片機給IO口發(fā)送一個高電平后光耦3063會立即導(dǎo)通還是在交流電壓的過零點導(dǎo)通2.如果光耦在輸入電壓的過零點導(dǎo)通,是否可以認(rèn)為可控兩端的電壓為零,此時可控不導(dǎo)通,那如果是這樣請問這個電路可控是何時導(dǎo)通的,又是和是關(guān)斷的 。導(dǎo)通是可控T2和G極之間的電壓為多少,怎么理解
2023-04-10 21:59:00

吉時利2010七位半萬用表介紹

吉時利2010|Keithley|K2010|七位半萬用表
2023-04-08 20:19:321430

半導(dǎo)體行業(yè)之刻蝕工藝技術(shù)

DRAM柵工藝中,在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層,然后再使用氯元素刻蝕多晶硅。
2023-04-07 09:48:162195

車載將成CMOS圖像傳感器市場分水嶺,產(chǎn)業(yè)界準(zhǔn)備好了么?

2020年和2021年,隨著消費電子的需求激增,CMOS圖像傳感器市場獲得了爆發(fā)式增長??稍?022年,多個主營領(lǐng)域受到了沖擊,使得CMOS圖像傳感器不同細(xì)分市場占比出現(xiàn)調(diào)整。
2023-04-03 11:10:30776

多晶硅蝕刻工藝講解

下圖顯示了Intel的第6代晶體管(6T)SRAM尺寸縮小時間表,以及多晶硅柵刻蝕技術(shù)后從90nm到22nm技術(shù)節(jié)點6TSRAM單元的SEM圖像俯視視圖??梢钥闯?,SRAM的布局從65nm節(jié)點已發(fā)生
2023-04-03 09:39:402451

SMPA2010 功率放大器

SMPA2010 級聯(lián),醫(yī)學(xué)。力量SMPA2010 功率放大器是一種分立式混合設(shè)計,它使用薄膜制造工藝實現(xiàn)精確的這種單級 GaAs FET 反饋放大器設(shè)計,在寬帶頻率范圍內(nèi)顯示出令人印象
2023-03-30 16:59:21

U2010B

U2010B
2023-03-29 17:57:53

單片機控制可控調(diào)壓簡介

導(dǎo)通。以BTA41為例,其電路符號及封裝如下:  G極為控制極,當(dāng)G極有正向(負(fù)向)脈沖時,雙向可控導(dǎo)通,直到交流信號過零點時關(guān)斷,如下圖所示。  因此,要通過單片機控制輸出電壓,首先需要檢測交流信號
2023-03-23 15:19:30

智能網(wǎng)聯(lián)汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展態(tài)勢如何?

根據(jù)國際汽車工程師學(xué)會(SAE)自動駕駛等級劃分,自動駕駛技術(shù)分為L0-L5六級。其中,L0-L2屬于ADAS(高級輔助駕駛系統(tǒng))范疇,仍然需要駕駛員駕駛;L3是分水嶺,從L3開始,汽車才真正進(jìn)入到自動駕駛范疇;
2023-03-23 11:28:362340

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