控制信號(hào)有些不同的地方。 深圳市英尚微電子有限公司是一家專(zhuān)業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來(lái)專(zhuān)業(yè)致力代理分銷(xiāo)存儲(chǔ)器芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM
2017-06-02 10:45:40
`在看C專(zhuān)家編程的時(shí)候， 上面有一幅圖，整理的是內(nèi)存媒介的
速度，與成本的關(guān)系說(shuō)明， 這里我在網(wǎng)上找了一張說(shuō)明更為細(xì)致的圖:那為什么寄存
器的
速度會(huì)比內(nèi)存
快?Mike Ash寫(xiě)了一篇很好的解釋?zhuān)浅Ｍㄋ?/div>
2015-12-27 10:19:01
采用霍爾傳感器測(cè)量電機(jī)轉(zhuǎn)速為什么測(cè)量顯示的速度比實(shí)際速度大十倍左右？？求大神答疑解惑，感謝感謝
2019-10-30 21:20:48
啟動(dòng)模式講完了，我們知道是主閃存存儲(chǔ)器啟動(dòng)的。主閃存存儲(chǔ)器被映射到啟動(dòng)空間(0x0000 0000)，但仍然能夠在它原有的地址(0x0800 0000)訪(fǎng)問(wèn)它。 接下來(lái)，再看一下它的啟動(dòng)流程是怎樣
2021-08-20 07:29:53
什么是EEPROM存儲(chǔ)器？
2021-11-01 07:24:44
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。與磁盤(pán)和光盤(pán)裝置等相比，具有數(shù)據(jù)讀寫(xiě)快存儲(chǔ)密度高耗電量少耐震等特點(diǎn)。關(guān)閉電源后存儲(chǔ)內(nèi)容會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱(chēng)作易失
2019-04-21 22:57:08
作者：李建勛 樊曉光 禚真福來(lái)源：什么是基于閃存平臺(tái)的存儲(chǔ)管理策略？在嵌入式系統(tǒng)中，由于閃存成本低、容量大、非易失、訪(fǎng)問(wèn)速度高和機(jī)械故障少的優(yōu)勢(shì)已逐漸成為最流行的存儲(chǔ)大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器。然而，閃存常見(jiàn)
2019-07-31 08:17:49
V3的全閃存方案，在大于1000桌面以上就有超過(guò)30%的成本優(yōu)勢(shì)。 ?。?運(yùn)維效率高 典型2000個(gè)桌面部署速度相對(duì)傳統(tǒng)存儲(chǔ)提升2倍（20小時(shí)縮減為8小時(shí)），啟動(dòng)風(fēng)暴時(shí)間縮減75%（60分鐘
2018-11-29 11:41:44
） 功耗小，但是成本高，壽命到期后讀不出來(lái)信息，并且難以修復(fù)。 7、光盤(pán)存儲(chǔ)器 價(jià)格低，容量大，耐用，可用于長(zhǎng)期保存數(shù)據(jù)。但是讀出和傳輸速度比硬盤(pán)慢得多。光盤(pán)存儲(chǔ)器三大類(lèi)型：CD光盤(pán)存儲(chǔ)器，DVD 光盤(pán)存儲(chǔ)器，BD光盤(pán)存儲(chǔ)器。
2019-06-05 23:54:02
非易失性存儲(chǔ)器(NVM)在半導(dǎo)體市場(chǎng)占有重要的一席之地，特別是主要用于手機(jī)和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統(tǒng)對(duì)非易失性存儲(chǔ)器的要求更高，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用需要寫(xiě)入速度極快的高密度存儲(chǔ)器，而
2019-06-26 07:11:05
?。?）雙極型存儲(chǔ)器特點(diǎn)：運(yùn)算速度比磁芯存儲(chǔ)器速度約快 3個(gè)數(shù)量級(jí)，而且與雙極型邏輯電路型式相同，使接口大為簡(jiǎn)化?！ 。?）MOS晶體管存儲(chǔ)器特點(diǎn)：集成度高、容量大、體積小、存取速度快、功耗低
2020-12-25 14:50:34
在單板設(shè)計(jì)中，無(wú)論是涉及到一個(gè)簡(jiǎn)易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計(jì)，都離不開(kāi)存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)：
1、存儲(chǔ)器介紹
存儲(chǔ)器的分類(lèi)大致可以劃分如下：
ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，ROM在系統(tǒng)
2023-05-19 15:59:37
據(jù)新華社7月2日?qǐng)?bào)道，相變存儲(chǔ)器，具有功耗低、寫(xiě)入速度快、斷電后保存數(shù)據(jù)不丟失等優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)界稱(chēng)為下一代存儲(chǔ)技術(shù)的最佳解決方案之一。記者近日從中科院上海微系統(tǒng)所獲悉，由該所研發(fā)的國(guó)際領(lǐng)先的嵌入式相變存儲(chǔ)器現(xiàn)已成功應(yīng)用在打印機(jī)領(lǐng)域，并實(shí)現(xiàn)千萬(wàn)量級(jí)市場(chǎng)化銷(xiāo)售，未來(lái)中國(guó)在該領(lǐng)域有望實(shí)現(xiàn)“彎道超車(chē)”。
2019-07-16 06:44:43
的大小 = 一頁(yè)的大小 * 多少頁(yè) * 多少塊。下面著重于Nand flash和Nor flash的各個(gè)特點(diǎn)和共性與差異。1. 特點(diǎn)1.1 Nand FlashNand flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼
2021-12-10 08:26:49
你好，我在應(yīng)用中使用了PIC24FJ128GC06。我想用一頁(yè)的閃存（512字，1536字節(jié)）作為非易失性存儲(chǔ)區(qū)來(lái)存儲(chǔ)設(shè)置、配置和校準(zhǔn)數(shù)據(jù)。我知道如何使用TBLPTRS讀取和寫(xiě)入訪(fǎng)問(wèn)內(nèi)存，以及
2018-10-19 16:08:12
大家好， 我的項(xiàng)目有一個(gè)閃存，用于將Xilinx FPGA配置為SPI模式。同時(shí)，我想將閃存用作內(nèi)存。這意味著閃存有兩個(gè)功能：配置FPGA和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。那么，我該怎么辦呢？閃存中的配置引腳是否用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器引腳？謝謝。最好的祝福。
2020-06-08 12:20:31
如何利用Xilinx FPGA和存儲(chǔ)器接口生成器簡(jiǎn)化存儲(chǔ)器接口？
2021-05-06 07:23:59
哪些地址用于我的EEPROM存儲(chǔ)器，這樣我就可以在這些字節(jié)上排除閃存保護(hù)？ 以上來(lái)自于百度翻譯 以下為原文I am about to complete a Creator project
2019-06-18 09:14:56
，復(fù)位后FPGA將通過(guò)這個(gè)PROM啟動(dòng)。但是在我未來(lái)的項(xiàng)目中，只有JTAG連接可用。因此，我想知道是否可以通過(guò)JTAG和軟件IMPACT用位文件刷新這個(gè)外部PROM。有沒(méi)有可用的通用指南如何通過(guò)JTAG和IMPACT（或任何其他工具）閃存任何隨機(jī)并行存儲(chǔ)器？感謝你的付出最好的祝福mitch89
2019-09-18 10:35:14
隨著集成電路制造工藝水平的提高，半導(dǎo)體芯片上可以集成更多的功能，為了讓產(chǎn)品有別于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品特性，在A(yíng)SIC上集成存儲(chǔ)器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級(jí)芯片的可靠性。隨著對(duì)嵌入式存儲(chǔ)器需求的持續(xù)增長(zhǎng)，其復(fù)雜性、密度和速度也日益增加，從而需要提出一種專(zhuān)用存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)方法。
2019-11-01 07:01:17
引言 隨著CPU速度的迅速提高，CPU與片外存儲(chǔ)器的速度差異越來(lái)越大，匹配CPU與外部存儲(chǔ)器的方法通常是采用Cache或者片上存儲(chǔ)器。微處理器中片上存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)通常包含指令Cache ，數(shù)據(jù)
2019-07-02 07:44:45
較之閃存/EEPROM 具有哪些主要優(yōu)勢(shì)？ 1) 速度。 FRAM 具有快速寫(xiě)入的特性。 寫(xiě)入到 FRAM 存儲(chǔ)器單元的實(shí)際時(shí)間小于50ns，這超越了所有其他存儲(chǔ)器的類(lèi)似操作。 這大約比 EEPROM
2018-08-20 09:11:18
富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司供稿鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（FRAM） RFID由于存儲(chǔ)容量大、擦寫(xiě)速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標(biāo)簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起，從而豐富了RFID應(yīng)用。
2019-07-26 07:31:26
常用存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器的種類(lèi)RAM存儲(chǔ)器非易失性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器的種類(lèi)易失性存儲(chǔ)器： 掉電數(shù)據(jù)會(huì)丟失讀寫(xiě)速度較快內(nèi)存非易失性存儲(chǔ)器：掉電數(shù)據(jù)不會(huì)丟失讀寫(xiě)速度較慢機(jī)械硬盤(pán)RAM存儲(chǔ)器RAM是“Random
2021-12-10 07:09:20
影響存儲(chǔ)器訪(fǎng)問(wèn)性能的因素有哪些？DSP核訪(fǎng)問(wèn)內(nèi)部存儲(chǔ)器和外部DDR存儲(chǔ)器的時(shí)延有什么不同？
2021-04-19 08:32:10
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲(chǔ)器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲(chǔ)器，如果可能，我們?nèi)绾问褂?。?qǐng)指導(dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
存儲(chǔ)器可分為哪幾類(lèi)？存儲(chǔ)器有哪些特點(diǎn)？存儲(chǔ)器有哪些功能？
2021-10-20 06:46:21
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶(hù)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
求助：數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器6116和程序存儲(chǔ)器2817怎么搜，在altium designer。貌似不太會(huì)用搜索功能。我總是搜不出來(lái)不知道為什么，求解答。單片機(jī)存儲(chǔ)電路里的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器6116和程序存儲(chǔ)器
2014-07-22 23:10:03
切換期間存儲(chǔ)信息。非易失性存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)可執(zhí)行代碼或常量數(shù)據(jù)、校準(zhǔn)數(shù)據(jù)、安全性能和防護(hù)安全相關(guān)信息等重要數(shù)據(jù)，以作將來(lái)檢索用途。目前市場(chǎng)上主要包含這幾種不同類(lèi)型的非易失性存儲(chǔ)器，如NOR 閃存
2019-07-23 06:15:10
我用的labview幫助中的計(jì)數(shù)器輸入案例vi來(lái)采集頻率的，但是采集的頻率比正常大百倍，并且變化幅度也較大，求大佬解答
2021-05-08 13:17:06
設(shè)計(jì)需求相變存儲(chǔ)器技術(shù)直接解決了當(dāng)今電子系統(tǒng)的需求:密度隨著消費(fèi)者，電腦和通訊電子系統(tǒng)的融合，所有電子系統(tǒng)中代碼均出現(xiàn)指數(shù)性增長(zhǎng)，數(shù)據(jù)的增長(zhǎng)速度甚至更快.為了滿(mǎn)足這種增長(zhǎng)的需要，存儲(chǔ)器密度范圍不僅要
2018-05-17 09:45:35
計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器分為兩大類(lèi)：內(nèi)存存儲(chǔ)器和外部存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱(chēng)內(nèi)存或內(nèi)存條和外存）。內(nèi)存:是暫時(shí)存儲(chǔ)進(jìn)程以及數(shù)據(jù)的地方，又稱(chēng)主存，是CPU能直接尋址的存儲(chǔ)空間，由半導(dǎo)體器件制成。特點(diǎn)是內(nèi)存容量小，存取速度快
2021-07-22 09:48:45
長(zhǎng)期保存數(shù)據(jù)，它需要定期的刷新操作。這不但使DRAM 的讀寫(xiě)控制變得復(fù)雜，而且也降低了它的讀寫(xiě)速度。DRAM 主要用作主存儲(chǔ)器。SRAM 是依靠一對(duì)反相器以閉環(huán)形式連接的存儲(chǔ)電路，它的代碼的讀出是非
2022-11-17 16:58:07
隨著CPU速度的迅速提高，CPU與片外存儲(chǔ)器的速度差異越來(lái)越大，匹配CPU與外部存儲(chǔ)器的方法通常是采用Cache或者片上存儲(chǔ)器。微處理器中的片上存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)通常包含指令Cache、數(shù)據(jù)Cache或者片上存儲(chǔ)器。
2019-11-11 07:03:58
PIC24設(shè)備，它不能像某些PIC32那樣跳轉(zhuǎn)到數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器（RAM）開(kāi)始從那里執(zhí)行。具有擴(kuò)展程序存儲(chǔ)器接口，所以我們可以把功能代碼轉(zhuǎn)移到擴(kuò)展存儲(chǔ)器，然后跳轉(zhuǎn)到PC，這個(gè)選項(xiàng)在PIC24設(shè)備中不可用。然而
2020-03-09 08:46:16
，中心原子保持不動(dòng)，存儲(chǔ)器的狀態(tài)也得以保存。鐵電存儲(chǔ)器不需要定時(shí)更新，掉電后數(shù)據(jù)能夠繼續(xù)保存，速度快而且不容易寫(xiě)壞。鐵電存儲(chǔ)器技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)的CMOS制造工藝相兼容。鐵電薄膜被放置于CMOS基層之上，并置
2011-11-19 11:53:09
，中心原子保持不動(dòng)，存儲(chǔ)器的狀態(tài)也得以保存。鐵電存儲(chǔ)器不需要定時(shí)更新，掉電后數(shù)據(jù)能夠繼續(xù)保存，速度快而且不容易寫(xiě)壞。鐵電存儲(chǔ)器技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)的CMOS制造工藝相兼容。鐵電薄膜被放置于CMOS基層之上，并置
2011-11-21 10:49:57
集成鐵電存儲(chǔ)器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲(chǔ)器，該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫(xiě)入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過(guò)100萬(wàn)億次
2021-11-10 08:28:08
存儲(chǔ)設(shè)備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無(wú)需持續(xù)供電，即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
S25FS128SDSNFI100，MirrorBit?閃存非易失性存儲(chǔ)器 1.8 V帶CMOS I/O的單電源 具有多I/O的串行外圍接口
2023-02-07 14:23:17
摘要：磁電存儲(chǔ)器不僅存取速度快、功耗小，而且集動(dòng)態(tài)RAM、磁盤(pán)存儲(chǔ)和高速緩沖存儲(chǔ)器功能于一身，因而已成為動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器研究領(lǐng)域的一個(gè)熱點(diǎn)。文章總結(jié)了磁電
2006-03-24 13:01:37
1459 
旺宏電子推出全球首顆256Mbit序列快閃存儲(chǔ)器
全球最大的序列式快閃存儲(chǔ)器(Serial Flash)生產(chǎn)制造公司宣布，領(lǐng)先業(yè)界推出全球第一顆256Mbit序列快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)品─MX25L25635E
2009-11-02 15:30:01677 正確選擇閃存寫(xiě)入緩沖區(qū)大小，優(yōu)化擦寫(xiě)速度
在各種電子技術(shù)快速發(fā)展和電子市場(chǎng)高速擴(kuò)大的今天，存儲(chǔ)器的需求量迅猛增長(zhǎng)。在眾多存儲(chǔ)器類(lèi)型中，NOR型閃存由于具有隨
2009-11-23 10:00:04966 相變存儲(chǔ)器：能實(shí)現(xiàn)全新存儲(chǔ)器使用模型的新型存儲(chǔ)器
從下面的幾個(gè)重要特性看，相變存儲(chǔ)器（PCM）技術(shù)均符合當(dāng)前電子系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的需求：
容量
2009-12-31 10:09:301115 高性能20納米級(jí)NAND閃存存儲(chǔ)器
SAMSUNG電子有限公司推出業(yè)界首個(gè)20納米級(jí)(nm) NAND芯片，用于安全數(shù)字(SD)存儲(chǔ)器卡和嵌入式存儲(chǔ)解決方案中。32
2010-05-17 12:15:021091 英國(guó)研究人員最近報(bào)告說(shuō)，他們研發(fā)出一種基于“電阻性記憶體”的新型存儲(chǔ)設(shè)備，與現(xiàn)在廣泛使用的閃存相比，耗電量更低，而存取速度要快上一百倍。電阻性記憶體的基礎(chǔ)是憶阻材
2012-05-21 10:49:43626 英國(guó)研究人員最近報(bào)告說(shuō)，他們研發(fā)出一種基于“電阻性記憶體”的新型存儲(chǔ)設(shè)備，與現(xiàn)在廣泛使用的閃存相比，耗電量更低，而存取速度要快上一百倍。
2012-05-21 11:22:27651 在現(xiàn)在計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù)中，似乎速度與存儲(chǔ)持久性不可兼得。RAM速度很快，但存儲(chǔ)時(shí)間不長(zhǎng)，硬盤(pán)與閃存則相反。而今，一種原型存儲(chǔ)設(shè)備打破了這種限制，實(shí)現(xiàn)了速度快、數(shù)據(jù)存放長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。
2013-06-14 10:31:11513 是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫(xiě)而不是整個(gè)芯片擦寫(xiě)，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。 由于其斷電時(shí)仍能保存數(shù)據(jù)，閃存通常被用來(lái)保存設(shè)置信息，如在電腦的BIOS（基本輸入輸出程序）、
2017-10-11 14:11:3722155 可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫(xiě)而不是整個(gè)芯片擦寫(xiě)，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷電時(shí)仍能保存數(shù)據(jù)，閃存通常被用來(lái)保存設(shè)置信息，如在電腦的BIOS（基本輸入輸出程序）、
2017-10-11 15:16:1715617 閃存存儲(chǔ)器是寄存器嗎？ 很明顯不是 ，一個(gè)屬于儲(chǔ)存器，一個(gè)是寄存器。那么寄存器和存儲(chǔ)器有什么區(qū)別呢？ 1、從范圍來(lái)看 寄存器在CPU的內(nèi)部，它的訪(fǎng)問(wèn)速度快，但容量?。?086微處理器只有14個(gè)16
2017-10-11 17:12:2111741 速率的8 I/O高功能OctaFlash Serial NOR快閃存儲(chǔ)器系列產(chǎn)品，資料傳輸速度更一舉突破250MHz而拔得頭籌。
2018-01-02 10:06:391443 旺宏昨日召開(kāi)財(cái)報(bào)會(huì)表示，2017年在NOR型快閃存儲(chǔ)器的市占率約30%，為全球霸主。另外，小于75納米制程產(chǎn)品占2017年第四季NOR營(yíng)收60%，旺宏并預(yù)計(jì)NOR型快閃存儲(chǔ)器2018年成長(zhǎng)動(dòng)力將來(lái)
2018-02-01 05:34:011107 
現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步，能夠克服快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存介質(zhì)固有的弱點(diǎn)，并幫助發(fā)揮出快閃存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器系統(tǒng)而言，控制器的選擇比快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器本身更加重要，借由選擇合適的快閃存儲(chǔ)器控制器進(jìn)行應(yīng)用，可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-07 09:45:021255 代快閃存儲(chǔ)器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步，能夠克服快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存介質(zhì)固有的弱點(diǎn)，并幫助發(fā)揮出快閃存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器系統(tǒng)而言，控制器的選擇比快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器本身更加重要，借由選擇合適的快閃存儲(chǔ)器控制器進(jìn)行應(yīng)用，可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-12 09:14:001396 日前，東芝（TOSHIBA）、西數(shù)（WD）等存儲(chǔ)器大廠(chǎng)分別宣布推出 96 層堆棧的 QLC 快閃存儲(chǔ)器，核心容量可達(dá) 1.33TB，單一模塊就可做到 2.66TB 容量。不過(guò)因 QLC 快閃存儲(chǔ)器
2018-07-26 18:01:002026 多年來(lái)，該行業(yè)一直致力于各種存儲(chǔ)技術(shù)的研究，包括碳納米管RAM、FRAM、MRAM、相變存儲(chǔ)器和ReRAM。有些已推出，有些仍在研發(fā)中。這些不同類(lèi)型的存儲(chǔ)器都對(duì)應(yīng)特定的應(yīng)用領(lǐng)域，但都勢(shì)必將在存儲(chǔ)器家族中取代一個(gè)或者多個(gè)傳統(tǒng)型存儲(chǔ)。
2018-09-05 15:51:129162 盡管ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)已經(jīng)研發(fā)出來(lái)，但在這競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)，只有極少數(shù)能夠成功。 圖1是ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)的列表。然而，無(wú)論哪一個(gè)技術(shù)勝出，這些新型非易失性技術(shù)系統(tǒng)的功耗肯定會(huì)低于現(xiàn)有的嵌入式 NOR 閃存和 SRAM，或是，離散 的 DRAM 和 NAND 閃存的系統(tǒng)。
2018-12-24 11:04:3410846 
業(yè)界普遍認(rèn)為未來(lái)從數(shù)據(jù)中將能挖掘出最大的價(jià)值，但要挖掘數(shù)據(jù)的價(jià)值除了需要很強(qiáng)的計(jì)算能力之外，數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)也非常關(guān)鍵。目前，新型存儲(chǔ)器也是領(lǐng)先的企業(yè)非常關(guān)注的一個(gè)方向，蘭開(kāi)斯特大學(xué)（Lancaster University）的研究人員最近發(fā)表論文稱(chēng)其研究的新型存儲(chǔ)器可以兼具穩(wěn)定、高速、超低功耗的優(yōu)點(diǎn)。
2019-06-25 09:16:232881 快閃存儲(chǔ)器的編程時(shí)間有時(shí)會(huì)很長(zhǎng)（對(duì)于大的存儲(chǔ)器或存儲(chǔ)器組可達(dá)1分鐘）。因此，此時(shí)不容許有其它元件的逆驅(qū)動(dòng)，否則快閃存儲(chǔ)器可能會(huì)受到損害。
2019-09-13 12:44:00720 浙江大學(xué)信息與電子工程學(xué)院趙毅教授課題組研發(fā)出一種低成本、低功耗的新型存儲(chǔ)器。這項(xiàng)基于可工業(yè)化生產(chǎn)的半導(dǎo)體集成電路制造工藝的工作，將大幅提高數(shù)據(jù)交換速度，降低網(wǎng)絡(luò)芯片的制造成本，進(jìn)而從理論上為“萬(wàn)物互聯(lián)”打下基礎(chǔ)。
2019-09-20 11:14:32615 人們需要了解閃存存儲(chǔ)器和固態(tài)硬盤(pán)（SSD）正在徹底改變當(dāng)今IT基礎(chǔ)設(shè)施的原因，因?yàn)檫@些超級(jí)快速存儲(chǔ)的設(shè)備可以支持高端應(yīng)用和高性能存儲(chǔ)層。
2019-12-05 09:38:452880 多年來(lái)，存儲(chǔ)器制造商一直試圖在單個(gè)封裝中集成動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM）和閃存（NAND）的共同優(yōu)勢(shì)，但一直收效甚微。
2020-01-17 15:00:24603 目前新型存儲(chǔ)器上受到廣泛關(guān)注的新型存儲(chǔ)器主要有相變存儲(chǔ)器(PCM)，其中有以英特爾與美光聯(lián)合研發(fā)的3D Xpoint為代表;MRAM以美國(guó)Everspin公司推出的STT-MRAM為代表;阻變存儲(chǔ)器
2020-04-25 11:05:572584 
FRAM是一種寫(xiě)入速度快的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器（如EEPROM、閃存）相比，F(xiàn)RAM不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池，具有更高的讀/寫(xiě)耐久性、更快的寫(xiě)入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091055 在筆者看來(lái)，市場(chǎng)對(duì)新興存儲(chǔ)器并不友善，盡管人們?nèi)匀幌Ｍ鎯?nèi)計(jì)算（copute in memory）能夠重振基于電阻、相變和其他特性的新型存儲(chǔ)器。
2023-02-14 11:33:401484 
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:462548 FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器，因?yàn)樗Y(jié)合了ram和非易失性存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)。相對(duì)于閃存/EEPROM的寫(xiě)入優(yōu)勢(shì)和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具有高讀寫(xiě)耐久性和快速寫(xiě)入速度。
2021-07-15 16:46:56696 
近日，三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲(chǔ)器，這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領(lǐng)未來(lái)內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:03282 
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