JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)，微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)全球領(lǐng)導(dǎo)制定機(jī)構(gòu)，今天宣布正式發(fā)布JEDEC DDR3L規(guī)范。這是廣受期待的DDR3存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)JESD79-3 的附件。這是DDR3作為當(dāng)今DRAM主導(dǎo)性標(biāo)準(zhǔn)演變的繼續(xù)
2010-08-05 09:10:50
3509 本文探討了各種不含鹵素（halogen-free）的DDR4插座的開發(fā)工作，并且根據(jù)嚴(yán)格的JEDEC DDR4規(guī)范和IEC 61249-2無鹵素依從性，討論了不同的外殼材料選項(xiàng)。##針腳保持力將端子
2014-08-04 17:21:243982 
相對(duì)于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化，比如DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計(jì)為中間稍微突出，邊緣變矮的形狀，在中央的高點(diǎn)和兩端的低點(diǎn)以平滑曲線過渡，這樣的設(shè)計(jì)可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:441485 
今年2月底，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)官方宣布，符合國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的自產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4內(nèi)存芯片全面開始供貨，這也是DDR4內(nèi)存第一次實(shí)現(xiàn)真正國(guó)產(chǎn)，并采用國(guó)產(chǎn)第一代10nm級(jí)工藝制造
2020-05-22 11:47:378324 JEDEC固態(tài)存儲(chǔ)協(xié)會(huì)于今日正式發(fā)布了DDR5SDRAM標(biāo)準(zhǔn)（JESD79-5），為全球計(jì)算機(jī)拉開新時(shí)代序幕。 簡(jiǎn)言之，DDR5內(nèi)存芯片Bank數(shù)量翻番到32，每Bank的自刷新速度翻番
2020-07-16 10:00:056976 求大神賜個(gè)全面的3D PCB封裝庫(kù)（PCB封裝附帶3D模型）?。?！~
2015-08-06 19:08:43
。幾何三角剖分的原理使得計(jì)算被掃描物體表面上每個(gè)點(diǎn)的XYZ坐標(biāo)成為可能（見圖01）。然后，獲得的點(diǎn)云數(shù)據(jù)用于被掃描物體表面詳細(xì)3D模型的計(jì)算構(gòu)造。圖01：使用DLP? 技術(shù)的結(jié)構(gòu)光 可編程圖形結(jié)構(gòu)光
2018-08-30 14:51:20
good，
3d封裝，感謝樓主無償奉獻(xiàn)?。?/div>
2015-06-22 10:35:56
技術(shù)的瓶頸，可能需要很長(zhǎng)的時(shí)間才能出來。就當(dāng)我們都對(duì)DDR5不報(bào)希望的時(shí)候，結(jié)果它就悄悄的來了。從2017年就已經(jīng)傳出消息說JEDEC就宣稱將在2018年完成DDR5內(nèi)存的最終標(biāo)準(zhǔn)，而我們熟知的幾家
2021-08-12 15:42:06
還未接觸過DDR4，在LAYOUT顆粒設(shè)計(jì)中，布局布線上DDR3與DDR4有沒有區(qū)別？有哪些區(qū)別？
2019-03-07 10:11:39
DDR4 DESIGNDDR4 DESIGNDDR4 DESIGN拿走拿走！
2015-04-24 18:06:37
DDR4,DDR3,DDR2,DDR1及SDRAM有什么不同之處?
2021-03-12 06:22:08
DDR4 SDRAM結(jié)構(gòu)和尋址DDR4 SDRAM的封裝和尋址新的改變功能快捷鍵合理的創(chuàng)建標(biāo)題，有助于目錄的生成如何改變文本的樣式插入鏈接與圖片如何插入一段漂亮的代碼片生成一個(gè)適合你的列表創(chuàng)建一個(gè)
2021-07-29 06:58:22
（UG583）“UltraScale架構(gòu)PCB設(shè)計(jì)用戶指南”的V1.10表示（通常）DDR4接口信號(hào)reset_n不需要滿足適用于地址/命令/控制組中其他信號(hào)的偏移約束。但是，在專門引用DDR4
2020-08-27 17:10:06
DDR4就一定比DDR3好嗎？
2021-06-18 06:22:29
DDR4的工作原理以及尋址方式DDR4是什么？DDR4全稱，DDR4-DRAM，與其他DDRDRAM一樣，是當(dāng)前電子系統(tǒng)架構(gòu)中使用最為廣泛的的RAM存儲(chǔ)器。這句話可以分解出3個(gè)關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器
2021-11-11 07:13:53
；?增加ACT_n控制指令為增強(qiáng)數(shù)據(jù)讀寫可靠性增加的變更點(diǎn)主要有：?DBI；?Error Detection；1 電源變化DDR3與DDR4的96 Ball封裝pin定義...
2021-11-12 08:07:07
Detection；1 電源變化DDR3與DDR4的96 Ball封裝pin定義對(duì)比如圖1所示，DDR3中存在VDD、VDDQ、VREFDQ、VREFCA四種電源，其中VDD=VDDQ=1.5V
2019-11-12 12:40:17
DDR4內(nèi)存峰會(huì)，而這也標(biāo)志著DDR4標(biāo)準(zhǔn)制定工作的展開。一般認(rèn)為這樣的會(huì)議召開之后新產(chǎn)品將會(huì)在3年左右的時(shí)間內(nèi)上市，而這也意味著我們將可能在2011年的時(shí)候使用上DDR4內(nèi)存，最快也有可能會(huì)提前到2010
2011-02-27 16:47:17
`AD16的3D封裝庫(kù)問題以前采用封裝庫(kù)向?qū)傻?b class="flag-6" style="color: red">3D元件庫(kù)，都有芯片管腳的，如下圖：可是現(xiàn)在什么設(shè)置都沒有改變，怎么生成的3D庫(kù)就沒有管腳了呢？請(qǐng)問是什么原因？需要怎么處理，才能和原來一樣？謝謝！沒管腳的就是下面的樣子：`
2019-09-26 21:28:33
給PCB添加了3D模型之后，讓封裝旋轉(zhuǎn)45度，自己填加的3D模型旋轉(zhuǎn)45度后，代表3D模型的機(jī)械層不會(huì)和PCB重合；而用封裝向?qū)М嫷哪Ｐ蜁?huì)和PCB重合。請(qǐng)問這個(gè)改怎么解決？雖然旋轉(zhuǎn)45度之后，在3D 模式下，3D圖也是旋轉(zhuǎn)了45度，但是在2D模式下的機(jī)械層看著很不舒服。
2017-07-20 22:46:11
筆記本內(nèi)存怎么選？LPDDR3一定不如DDR4嗎？真的是這樣嗎？這兩者有對(duì)比性嗎？
2021-06-18 06:37:32
MT40A512M16LY-075E:B MT40A1G8SA-075:EMT29F64G08CBABAWP:BMT40A256M16GE-083E IT:BMT40A512M8RH-083E:B 鎂光DDR4 時(shí)時(shí)發(fā)集團(tuán)亞洲有限公司 QQ:535553245
2019-02-18 10:51:21
嗨，我正在嘗試在Kintex UltraScale（KCU105）中實(shí)現(xiàn)DDR4內(nèi)存，但是（DDR4 SDRAM（MIG））中的特定部分不可用。部分是：MT401G16HBA-083E：我應(yīng)該為實(shí)現(xiàn)這個(gè)內(nèi)存做什么。？注意：我正在使用VIVADO 2016.1謝謝Luis。
2020-04-26 13:58:08
想請(qǐng)教一下大神們，allegro如何制作3D封裝庫(kù)的
2018-05-09 08:33:17
`CFMS2018近日成功舉辦，來自三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、美光、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等全球存儲(chǔ)業(yè)大咖，與行業(yè)人士共同探討3D NAND技術(shù)的發(fā)展未來。我們來看看他們都說了什么。三星：看好在UFS市場(chǎng)的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)
2018-09-20 17:57:05
：dealic@163.com回收三星DDR，回收海力士DDR，回收南亞DDR，回收爾必達(dá)DDR，回收美光DDR，回收DDR2，回收DDR3（新舊/拆機(jī)/帶板均可）帝歐還回收帶板DDR，收購(gòu)帶板DDR，回收拆機(jī)DDR
2021-05-08 17:42:19
當(dāng)3D電影已成為影院觀影的首選，當(dāng)3D打印已普及到雙耳無線藍(lán)牙耳機(jī)，一種叫“3D微波”的技術(shù)也悄然而生。初次聽到“3D微波”，你可能會(huì)一臉茫然，這個(gè)3D微波是應(yīng)用在哪個(gè)場(chǎng)景？是不是用這種技術(shù)的微波爐1秒鐘就能把飯煮熟？O M G!我覺得很有必要給大家科普一下！
2019-07-02 06:30:41
演愈烈，內(nèi)存的性能成為新的瓶頸。早在2017年，負(fù)責(zé)計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的組織JEDEC就宣稱將在2018年完成DDR5內(nèi)存的最終標(biāo)準(zhǔn)，美光、三星等內(nèi)存廠商在2018年也就開始研發(fā)16GB的DDR5產(chǎn)品
2022-10-26 16:37:40
可以達(dá)到128GB，媲美SSD了。功耗更低功耗方面，DDR3內(nèi)存采用1.5V標(biāo)準(zhǔn)電壓，DDR4功耗明顯降低，電壓降到1.2V甚至更低，功耗下降了，更省電，并且可以減少內(nèi)存的發(fā)熱。DDR4和DDR3內(nèi)存可以
2019-07-25 14:08:13
增強(qiáng)信號(hào)的完整性、改善資料傳輸及儲(chǔ)存的可靠性。根據(jù)宏旺半導(dǎo)體對(duì)存儲(chǔ)市場(chǎng)的觀察，DDR一代與DDR2在市面上已將很少見了，臺(tái)式機(jī)的內(nèi)存條普遍已經(jīng)使用DDR4了，DDR3在機(jī)頂盒、光貓、智能電視等領(lǐng)域依舊
2019-08-01 10:17:46
：dealic@163.com回收三星DDR，回收海力士DDR，回收南亞DDR，回收爾必達(dá)DDR，回收美光DDR，回收DDR2，回收DDR3（新舊/拆機(jī)/帶板均可）帝歐還回收帶板DDR，收購(gòu)帶板DDR，回收拆機(jī)DDR，收購(gòu)
2021-07-15 19:36:21
：dealic@163.com回收三星DDR，回收海力士DDR，回收南亞DDR，回收爾必達(dá)DDR，回收美光DDR，回收DDR2，回收DDR3（新舊/拆機(jī)/帶板均可）帝歐還回收帶板DDR，收購(gòu)帶板DDR，回收拆機(jī)DDR，收購(gòu)
2021-12-27 19:25:08
。3D打印所帶來的可能性是無限的。 3D打印機(jī)的成本從不到1000美元到超過十萬美元不等。較低價(jià)位的3D打印機(jī)通常被稱為桌面型或個(gè)人3D打印機(jī)。桌面3D打印機(jī)面臨的挑戰(zhàn)之一是在保持價(jià)格合理的同時(shí)保證打印
2022-11-08 07:55:44
`求解如圖，我在AD16導(dǎo)入step文件后，在封裝庫(kù)能看到3D元件，但是更新到PCB后卻看不到3D模型`
2019-05-10 15:42:46
大家好，有誰知道如何從.mem文件初始化加密的ddr4內(nèi)存模型？在參考fromxapp1180項(xiàng)目時(shí)，發(fā)現(xiàn)使用以下命令初始化ddr3內(nèi)存： $ readmemh（ “ddr3
2020-05-11 09:17:30
將 DDR4 內(nèi)存添加到 imx8mp
2023-04-20 10:59:17
AD 在3D顯示下，怎么去除3D封裝的顯示，我只看焊盤，有時(shí)候封裝會(huì)遮掩底部的焊盤
2019-09-23 00:42:42
大家好，我做FPGA開發(fā)，需要用到大的內(nèi)存，ise12只有美光和現(xiàn)代的庫(kù)，我對(duì)美光內(nèi)存使用有如下疑惑：美光2G內(nèi)存位寬16位，速率可達(dá)200M，4G內(nèi)存怎么才8位，速率還慢，才125M~150MHz.這樣的話，用更多的內(nèi)存反而降低性能？
2013-06-22 21:46:08
DDR,DDR2,DDR3,DDR4,LPDDR區(qū)別文所有權(quán)歸作者Aircity所有1什么是DDRDDR是Double Data Rate的縮寫，即“雙比特翻轉(zhuǎn)”。DDR是一種技術(shù)，中國(guó)大陸工程師
2021-09-14 09:04:30
：dealic@163.com回收三星DDR，回收海力士DDR，回收南亞DDR，回收爾必達(dá)DDR，回收美光DDR，回收DDR2，回收DDR3（新舊/拆機(jī)/帶板均可）帝歐還回收帶板DDR，收購(gòu)帶板DDR，回收拆機(jī)DDR
2021-01-30 17:36:35
回收DDR4，收購(gòu)DDR4,24h開心財(cái)富熱線：趙生--135-3012-2202QQ-8798-21252 帝歐電子長(zhǎng)期專業(yè)高價(jià)回收flash， 回收DDR，回收手機(jī)字庫(kù)?；厥杖耭lash，回收
2021-09-08 14:59:58
規(guī)范誕生了，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)在2012年10月公布了下一代內(nèi)存規(guī)格DDR4的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范“JEDEC DDR4(JESD79-4)”。DDR4和目前的DDR3相比，它的頻率幾乎翻番，性能顯著提高
2012-12-30 18:45:31
我用ALTIUM10 畫PCB封裝 從網(wǎng)上下載的3D模型怎么導(dǎo)入的時(shí)候顯示不了，前幾天還可以顯示 現(xiàn)在一個(gè)都顯示不了， 是不是弄錯(cuò)了， 手動(dòng)畫3D 又能顯示方塊模型 導(dǎo)入的時(shí)候就一點(diǎn)效果都沒有像沒有導(dǎo)入3D模型一樣， 求大師指點(diǎn)。
2016-07-12 22:48:20
年初，英特爾和美光在3D存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)上的合作走到了盡頭。在3D Xpoint技術(shù)上，英特爾率先在2017年完成了3D Xpoint的商業(yè)化，推出了傲騰，而2019年11月，美光也終于拿出了自己
2020-03-19 14:04:57
DDR4。帝歐趙生***QQ1816233102/764029970郵箱dealic@163.com?；厥杖?b class="flag-6" style="color: red">DDR，回收海力士DDR，回收南亞DDR，回收爾必達(dá)DDR，回收美光DDR，回收DDR
2021-03-17 17:59:10
DDR4和DDR3的區(qū)別在哪里？DDR4內(nèi)存與DDR3內(nèi)存相比，有哪些優(yōu)勢(shì)呢？
2021-06-18 08:58:23
PH1A100是否支持DDR3,DDR4
2023-08-11 06:47:32
DDR4,什么是DDR4
DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動(dòng)態(tài)隨即訪問的內(nèi)存美國(guó)JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)于2000 年6 月公
2010-03-24 16:08:393146 JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)，日前宣布，JC-64.8固態(tài)硬盤標(biāo)準(zhǔn)小組委員會(huì)將瞄準(zhǔn)傳統(tǒng)硬盤尺寸之外的應(yīng)用制定固態(tài)硬盤標(biāo)準(zhǔn)。基于在固態(tài)硬盤標(biāo)準(zhǔn)制定領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，在最近發(fā)布的固態(tài)硬盤標(biāo)準(zhǔn)JESD218和JESD219取得成功之后，非傳統(tǒng)固態(tài)硬盤應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)化由小尺寸消費(fèi)電子設(shè)
2011-01-17 09:41:12608 全球微電子產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)制定機(jī)構(gòu)JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)今天發(fā)布了《微電子封裝及封蓋檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)》的重要更新版JESD9B
2011-06-27 08:40:321678 JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)，全球微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)領(lǐng)導(dǎo)制定機(jī)構(gòu)日前公布了廣為業(yè)界期待的DDR4(雙倍數(shù)據(jù)速率4)內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)鍵屬性。 預(yù)計(jì)將于2012年中期發(fā)布的JEDEC DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)與之前幾代的技術(shù)
2011-08-24 08:57:461708 美光科技今天表示，正在與標(biāo)準(zhǔn)化組織JEDEC合作，爭(zhēng)取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化，并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術(shù)。
2011-12-18 14:37:381296 微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)終于發(fā)布了下一代同步DDR內(nèi)存的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)：DDR4，它的數(shù)據(jù)傳輸速度將比DDR3快一倍，且功耗更低。JEDEC的DDR4技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的公布是數(shù)年來世界各地的內(nèi)存
2012-09-30 20:30:561648 DDR4是JEDEC組織關(guān)于DRAM器件的下一代標(biāo)準(zhǔn)。DDR4主要是針對(duì)需要高帶寬低功耗的場(chǎng)合。這些需求導(dǎo)致了DDR4芯片引入了一些新的特點(diǎn)，這些新的特點(diǎn)，導(dǎo)致在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，引入一些新的設(shè)計(jì)需求
2017-10-13 20:13:18
10 雖然新一代電腦/智能手機(jī)用上了DDR4內(nèi)存，但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存，因此DDR3依舊是主流，DDR4今后將逐漸取代DDR3，成為新的主流，下面我們?cè)賮砜纯?b class="flag-6" style="color: red">DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3，新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項(xiàng)核心改變：
2017-11-08 15:42:2330895 您可能剛把計(jì)算機(jī)升級(jí)到DDR4的內(nèi)存，也有可能仍然在使用DDR3的內(nèi)存。不過不管怎樣，DDR5內(nèi)存要來了。 2017年3月，JEDEC協(xié)會(huì)宣布將在2018年正式發(fā)布DDR5的技術(shù)規(guī)范。目前，DDR
2017-11-15 16:36:0340425 
據(jù)報(bào)道，近日芝奇推出Trident Z RGB DDR4-4700套裝被稱之為是目前頻率最高的DDR4內(nèi)存套裝，采用三星B-die顆粒，開啟XMP功能就可以達(dá)到4700MHz的工作頻率。
2018-02-06 11:47:381558 近日，Intel官方正式發(fā)布了傲騰DDR4內(nèi)存條，代號(hào)Apache Pass，英文全稱為Optane DC Persistent Memory（直譯：傲騰數(shù)據(jù)中心專用非易失內(nèi)存）。
2018-06-20 07:47:002851 
本文主要介紹了DDR4封裝規(guī)格.
2018-06-26 08:00:0056 關(guān)鍵詞：JEDEC , DDR4 , 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn) 微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)終于發(fā)布了下一代同步DDR內(nèi)存的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)：DDR4，它的數(shù)據(jù)傳輸速度將比DDR3快一倍，且功耗更低
2018-09-30 00:15:012117 本文介紹了DDR4技術(shù)的特點(diǎn)，并簡(jiǎn)單介紹了ANSYS工具用來仿真DDR4的過程。文章中主要介紹的對(duì)象為DDR4 3200MHz內(nèi)存，因?yàn)橛布O客對(duì)DDR4性能的不斷深挖，目前已經(jīng)有接近5000MHz的量產(chǎn)內(nèi)存。
2018-10-14 10:37:2823341 2018年11 月 15日 – 宜鼎今日發(fā)布全新強(qiáng)固型DDR4 2666寬溫系列內(nèi)存產(chǎn)品，特別專注于各種工業(yè)嚴(yán)苛條件中的邊緣應(yīng)用。宜鼎國(guó)際DRAM全球事業(yè)處副總張偉民表示，DDR4 2666將于
2018-11-16 08:40:111156 在安捷倫最新的測(cè)試解決方案之一Infinium 90000X系列示波器上驗(yàn)證，UltraScale FPGA上運(yùn)行的2400 Mb / s DDR4內(nèi)存接口設(shè)計(jì)具有出色的信號(hào)質(zhì)量和JEDEC兼容性。
2018-11-30 06:01:006708 從SDR到DDR4，連接器如何趕上內(nèi)存進(jìn)化的步伐？
2019-07-02 15:30:132809 隨著紫光、合肥長(zhǎng)鑫正式進(jìn)軍DRAM內(nèi)存行業(yè)，國(guó)產(chǎn)自主的DRAM芯片未來也會(huì)迎來一波爆發(fā)。除此之外，紫光旗下的西安國(guó)芯本身也有DDR內(nèi)存芯片研發(fā)，他們將在集邦科技的2020存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)峰會(huì)上公開展示自研的內(nèi)存，包括最新的16GB DDR4內(nèi)存等。
2019-11-19 14:54:143029 日前瀾起科技董事長(zhǎng)楊崇和在參與活動(dòng)時(shí)表態(tài)，公司正積極參與DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的制定。
2019-12-16 15:41:082998 瀾起科技是國(guó)內(nèi)為數(shù)不多的設(shè)計(jì)DDR內(nèi)存接口芯片的公司之一，該公司成立于2004年，是全球內(nèi)存接口芯片的主要供應(yīng)商之一，憑借領(lǐng)先的技術(shù)水平，在DDR4階段逐步確立了行業(yè)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，公司2018年?duì)I業(yè)收入175，766.46萬元，凈利潤(rùn)73，687.84萬元。
2019-12-16 16:10:001135 2 月 28 日訊，國(guó)產(chǎn)首枚 DDR4 內(nèi)存現(xiàn)已面世。在長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的官方網(wǎng)站上，目前已經(jīng)公開列出了自家的 DDR4 內(nèi)存芯片、DDR4 內(nèi)存條、LPDDR4X 內(nèi)存芯片，全部產(chǎn)品都符合國(guó)際通行標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。
2020-03-02 11:18:281061 江波龍電子旗下嵌入式存儲(chǔ)品牌FORESEE再添新成員，正式發(fā)布首款內(nèi)存產(chǎn)品，宣布正式進(jìn)入內(nèi)存領(lǐng)域。 江波龍正式進(jìn)入內(nèi)存領(lǐng)域，F(xiàn)ORESEE DDR4高端商用內(nèi)存條新品首發(fā) FORESEE DDR4
2020-04-16 12:04:224860 美國(guó)政府周一證實(shí)，將會(huì)修改禁止美國(guó)企業(yè)與華為進(jìn)行生意往來的禁令，允許其合作制定下一代5G網(wǎng)絡(luò)標(biāo)準(zhǔn)。美國(guó)政府去年將華為列入美國(guó)商務(wù)部的所謂“實(shí)體名單”，以國(guó)家安全為由限制向該公司出售美國(guó)的商品和技術(shù)。
2020-06-16 16:24:172207 中應(yīng)該都不支持DDR5，現(xiàn)階段更是沒有任何產(chǎn)品能夠支持。 不過根據(jù)最新消息顯示，今年預(yù)計(jì)會(huì)有不少?gòu)S商推出DDR5內(nèi)存的產(chǎn)品，但是真正大規(guī)模量產(chǎn)還是需要等到明年。雖然現(xiàn)在用不上，但我們還是可以看看DDR5內(nèi)存的性能。目前JEDEC官方組織還沒有公布有關(guān)DDR5內(nèi)
2020-07-30 15:27:122481 近日，據(jù)嘉合勁威官網(wǎng)消息，國(guó)內(nèi)首款中國(guó)芯的DDR4內(nèi)存條——光威弈PRO DDR4內(nèi)存條已在深圳坪山大規(guī)模量產(chǎn)。
2020-07-22 14:14:471683 第十一代酷睿桌面版不斷泄露消息，所以正式產(chǎn)品還沒上市就讓人沒了新鮮感，也許正是這個(gè)原因，很多小伙伴的好奇的目光開始轉(zhuǎn)向了更下一代平臺(tái)，特別是DDR5內(nèi)存。它到底和DDR4有啥不同，我們要不要
2021-02-27 12:13:5418074 
嘉合勁威（阿斯加特/光威品牌母公司）今天宣布，旗下的“神可”（Sinker）系列DDR4內(nèi)存產(chǎn)品已經(jīng)通過統(tǒng)信軟件的認(rèn)證。
2021-01-28 11:02:101663 ，和普通用戶無關(guān)。 現(xiàn)在，JEDEC固態(tài)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì)發(fā)布了DDR4 NVDIMM-P非易失內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，序列編號(hào)JESD304-4.01，也可以在斷電后不丟失數(shù)據(jù)，而且完全兼容DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。 根據(jù)規(guī)范，這種新內(nèi)存兼容普通的DIMM內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)、固件，可以最大程度減少對(duì)于現(xiàn)有設(shè)備、平臺(tái)的更改，同
2021-02-19 10:04:021546 迪賽康DDR4/DDR5 Interposr測(cè)試板專門為內(nèi)存顆粒測(cè)試設(shè)計(jì)，阻抗一致性優(yōu)異，極低延遲，最高速率支持6.4Gbps，可以用于78pin和96pin/102pin封裝的DDR4和DDR5顆粒測(cè)試。
2022-10-10 09:33:483592 本文檔定義了DDR4 SDRAM規(guī)范，包括特性、功能、交流和直流特性、封裝和球/信號(hào)分配。本標(biāo)準(zhǔn)旨在定義符合JEDEC 2 Gb的最低要求x4、x8和x16 DDR4 SDRAM設(shè)備通過16 Gb
2022-11-29 10:00:1720 ARES RGB DDR4?臺(tái)式電腦內(nèi)存 ? ? ?
2022-04-25 10:32:00276 
DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù)，它們?cè)陔姎馓匦院鸵_布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2512821 DDR4 3200和3600是內(nèi)存模塊的頻率標(biāo)準(zhǔn)，表示其頻率值，具有以下差異
2023-09-26 15:24:189009 摘要：本文將對(duì)DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)的比較，分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場(chǎng)景。通過對(duì)比這兩種內(nèi)存技術(shù)，為讀者在購(gòu)買和使用內(nèi)存產(chǎn)品時(shí)提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:101089 3是目前使用最為廣泛的計(jì)算機(jī)內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，它已經(jīng)服務(wù)了計(jì)算機(jī)用戶多年。但是，DDR4內(nèi)存隨著技術(shù)的進(jìn)步，成為了更好的內(nèi)存選擇。本文將詳細(xì)介紹DDR4和DDR3內(nèi)存的各種區(qū)別。 1. 工作頻率 DDR3內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)工作頻率為1600MHz，而DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)則為2133MHz。這意味著DDR4內(nèi)存的傳輸速度
2023-10-30 09:22:003905 
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