3月20日，CFMS | memoryS 2024中國閃存市場峰會(huì)（以下簡稱“CFMS 2024”）在深圳寶安前?！W萬豪酒店隆重召開，本屆峰會(huì)以“存儲(chǔ)周期 激發(fā)潛能”為主題，匯聚了全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈及終端應(yīng)用企業(yè)
2024-03-22 13:34:37
35 據(jù)三星展示的圖片顯示，此模組可以通過CXL接口在閃存部分及CPU之間進(jìn)行I/O塊傳輸，也可以運(yùn)用DRAM緩存和CXL接口達(dá)到64字節(jié)的內(nèi)存I/O傳輸。
2024-03-21 14:31:05174 三星計(jì)劃NAND閃存價(jià)格談判 欲漲價(jià)15%—20% 三星認(rèn)為NAND Flash價(jià)格過低；在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計(jì)劃與客戶就NAND閃存價(jià)格重新談判，目標(biāo)價(jià)位是漲價(jià)15%—20%。
2024-03-14 15:35:22216 三星電子，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，近期在其位于中國西安的NAND閃存工廠實(shí)現(xiàn)了開工率的顯著回升，從去年的低谷20-30%提升至目前的70%。這一變化不僅反映了三星電子對(duì)市場趨勢的敏銳洞察和快速響應(yīng)，也凸顯了中國智能手機(jī)市場回暖以及全球半導(dǎo)體庫存調(diào)整對(duì)產(chǎn)業(yè)鏈上游的積極影響。
2024-03-14 12:32:26317 GB/T 9639-1998 薄膜、薄片落鏢沖擊測試儀 自由落鏢法產(chǎn)品介紹落鏢沖擊試驗(yàn)儀用于厚度小于1mm的塑料薄膜或薄片在給定高度的自由落鏢沖擊下，測定50%塑料薄膜或薄片試樣破損時(shí)的沖擊質(zhì)量
2024-01-31 11:26:58
是否可以使用 XMC Flasher 命令行實(shí)用程序（bat 文件）將目標(biāo)閃存讀取到*.hex 文件中？
2024-01-26 07:24:42
IDC數(shù)據(jù)表明，傳統(tǒng)企業(yè)存儲(chǔ)系統(tǒng)中的全閃陣列同比下降5.5%，用戶更加青睞端到端NVMe 全閃、分布式全閃等高端全閃存儲(chǔ)。
2024-01-03 10:43:18282 
請問一下電機(jī)的星三角啟動(dòng)是不是降低電機(jī)的啟動(dòng)電流的啊，還是其他的原因
2023-12-13 08:09:25
產(chǎn)品詳情FB-30J纏繞膜落鏢沖擊試驗(yàn)儀產(chǎn)品介紹落鏢沖擊試驗(yàn)儀用于厚度小于1mm的塑料薄膜或薄片在給定高度的自由落鏢沖擊下，測定50%塑料薄膜或薄片試樣破損時(shí)的沖擊質(zhì)量和能量。產(chǎn)品特點(diǎn)1.機(jī)械造型
2023-11-27 15:30:04
西門子電機(jī)繞組重繞后，星三角啟動(dòng)角型切換時(shí)跳空開，電機(jī)保養(yǎng)廠商說可能線圈繞組順序換了，只要把線圈首尾端換后就能啟動(dòng)，西門子電機(jī)有這種現(xiàn)象，有誰遇到過這種情況嗎？原因是什么？
2023-11-09 07:17:20
三星采取此舉的目的很明確，希望通過此舉逆轉(zhuǎn)整個(gè)閃存市場，穩(wěn)定NAND閃存價(jià)格，并實(shí)現(xiàn)明年上半年逆轉(zhuǎn)市場等目標(biāo)。
2023-11-03 17:21:111214 在此之前，三星、sk海力士、美光、皮協(xié)因需求嚴(yán)重疲軟而采取了大規(guī)模減產(chǎn)措施，三星也在今年4月公布了閃存第一次減產(chǎn)計(jì)劃后延長了減產(chǎn)計(jì)劃。
2023-11-03 12:14:35538 據(jù)業(yè)界2日透露，三星電子計(jì)劃對(duì)中國西安nand閃存工廠進(jìn)行改造，將目前正在生產(chǎn)的128段（v6） nand閃存生產(chǎn)線擴(kuò)大到236段（v8）。三星決定從明年初開始更換設(shè)備，并向業(yè)界通報(bào)了到2025年分階段完成的目標(biāo)。
2023-11-03 11:48:031140 伴隨著中國鋰電企業(yè)出海加速，國外本土鋰電廠商的相關(guān)布局亦在加快。
2023-10-30 14:29:23296 沖擊試驗(yàn)機(jī)的工作原理包裝膜落鏢式?jīng)_擊試驗(yàn)機(jī)的工作原理是將待測包裝膜固定在設(shè)備上，通過落鏢的自由落體運(yùn)動(dòng)，施加沖擊力量在包裝膜上。設(shè)備內(nèi)部裝有傳感器，可以實(shí)時(shí)監(jiān)測沖
2023-10-27 16:37:53
一、引言AB法薄膜落鏢沖擊測試儀是一種用于測試薄膜材料抗沖擊性能的實(shí)驗(yàn)設(shè)備。在包裝、食品、醫(yī)藥等領(lǐng)域，薄膜材料的抗沖擊性能對(duì)其包裝產(chǎn)品的保護(hù)和保存具有重要影響。本文將介紹AB法薄膜落鏢沖擊測試儀
2023-10-25 16:40:05
flash_internal_all_erase()，即將閃存控制寄存器（FLASH_CTRL）的 bit2 置 1 選擇為整片擦除，然后將bit6 置 1 觸發(fā)擦除操作。
2023-10-20 08:21:03
將IAP放在非閃存起始地址的方法如何將IAP放在非閃存起始地址？
2023-10-20 07:02:29
隨著汽車工業(yè)的持續(xù)發(fā)展，汽車配件的質(zhì)量和安全性成為了消費(fèi)者和制造商關(guān)注的焦點(diǎn)。為了確保汽車配件的質(zhì)量和安全性，制造商需要對(duì)汽車配件進(jìn)行各種測試，其中落球沖擊試驗(yàn)機(jī)是評(píng)估其耐沖擊性能的重要工具之一。落
2023-10-18 15:45:55
，對(duì)于保證產(chǎn)品質(zhì)量和提高安全性具有重要的作用。落球沖擊試驗(yàn)儀的主要工作原理是利用高精度傳感器測量落球?qū)Σ牧袭a(chǎn)生的沖擊力。在測試過程中，將試樣材料放置在設(shè)備上，然后將具
2023-10-16 16:30:47
日前有媒體報(bào)道稱，受三星等存儲(chǔ)原廠減產(chǎn)以及國內(nèi)閃存龍頭存儲(chǔ)顆粒產(chǎn)能不足的影響，內(nèi)存和閃存元器件采購成本逐步上漲。
2023-10-16 11:13:05452 GPS定位到三顆星為什么還不能實(shí)現(xiàn)定位？
2023-10-16 06:58:02
10月9日，韓國半導(dǎo)體業(yè)傳來好消息，美國將無限期豁免三星電子和SK海力士向其在我國的工廠提供半導(dǎo)體設(shè)備，而且無需其它許可；美方的這一決定即日起生效。 三星電子在我國西安有生產(chǎn)NAND閃存，SK
2023-10-10 11:59:16368 請問，在用java開發(fā)鴻蒙應(yīng)用布局UI時(shí)，怎么才能全屏布局（不顯示labelb標(biāo)題）
2023-09-20 22:09:12
落鏢沖擊試驗(yàn)儀 落鏢沖擊試驗(yàn)儀是一種用于檢測各種材料的抗沖擊性能的專用設(shè)備。它通過模擬自由落下的鏢體對(duì)材料進(jìn)行沖擊，以評(píng)估材料的抗沖擊性能，為產(chǎn)品的質(zhì)量和安全性提供重要依據(jù)。本文將介紹
2023-09-18 11:06:00
評(píng)估材料的抗沖擊性能，為產(chǎn)品的質(zhì)量和安全性提供重要依據(jù)。 落鏢沖擊試驗(yàn)機(jī)的主要工作原理是，將待測材料固定在試驗(yàn)臺(tái)上，設(shè)定好沖擊高度和鏢體質(zhì)量等參數(shù)，自由
2023-09-15 15:50:40
三星業(yè)績近期表現(xiàn)非常差，三星為了增強(qiáng)NAND閃存競爭力計(jì)劃在2024年升級(jí)其NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈。
2023-08-30 16:10:02192 2023 年 RISC-V 中國峰會(huì)上，倪光南院士表示，“RISC-V 的未來在中國，而中國半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)也需要 RISC-V，開源的 RISC-V 已成為中國業(yè)界最受歡迎的芯片架構(gòu)”。大家怎么看呢？
2023-08-26 14:16:43
三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競爭愈加激烈，三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53281 三星已經(jīng)減少了主要nand閃存生產(chǎn)基地的晶圓投入額。這就是韓國的平澤、華城和中國的西安。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，三星的nand閃存產(chǎn)量可能會(huì)減少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1業(yè)績中，由于市場持續(xù)低迷，三星電子正式公布了存儲(chǔ)器減產(chǎn)計(jì)劃。
2023-08-16 10:23:58422 支持的設(shè)備設(shè)置了所有正確的參數(shù)。
在開始之前，本指南使用三星Gear VR作為示例設(shè)備。
本指南中的一些說明是針對(duì)三星Gear VR的。
本指南中描述的原則適用于任何VR設(shè)備，但您可能需要根據(jù)您的環(huán)境
2023-08-12 07:12:26
北京2023年8月7日 /美通社/ -- 日前，IDC公布《2023年第一季度中國企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)市場跟蹤報(bào)告》，報(bào)告顯示，中國企業(yè)級(jí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)市場銷售額同比增長3.45%至70.14億元，全閃存儲(chǔ)銷售額
2023-08-08 12:55:47716 日前，IDC公布《2023年第一季度中國企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)市場跟蹤報(bào)告》，報(bào)告顯示，中國企業(yè)級(jí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)市場銷售額同比增長3.45%至70.14億元，全閃存儲(chǔ)銷售額15億元，市場占比25%，混閃存儲(chǔ)銷售額38
2023-08-07 11:10:02327 據(jù)《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，三星提出的512gb nand閃存晶片單價(jià)為1.60美元，比2023年初的1.40美元約上漲15%。但消息人士表示，由于上下nand閃存的庫存緩慢，很難說服上調(diào)價(jià)格。
2023-08-02 11:56:24762 的 RAM 中。是否有任何意義/概念/技術(shù)將這些引導(dǎo)到閃存中，以便在運(yùn)行時(shí)，我們將節(jié)省一些 RAM 以供操作。
2023-06-12 06:18:46
我想將數(shù)據(jù)保存到閃存中，這樣即使斷電我也可以擁有這些數(shù)據(jù)。
我嘗試使用 spi_flash_write 但出現(xiàn)錯(cuò)誤
代碼：全選
char ssid[32] = SSID;
char test
2023-06-12 06:04:57
任何人都可以幫助我面對(duì)像 lpc4337 閃存中的 sector13 一樣無法將超過 8K 的數(shù)據(jù)寫入 64k 的問題嗎？即使是 64K 容量的扇區(qū)在閃存寫入期間也只允許 8k 數(shù)據(jù)。
如果我提供
2023-06-08 06:39:37
1.概述
XSP16 是一款集成 USB Power Delivery PD3.1 快充協(xié)議、PD2.0/3.0 快充協(xié)議、QC2.0/3.0 快充協(xié)議、華為 FCP 協(xié)議和三星 AFC 協(xié)議
2023-06-01 22:14:22
供應(yīng)SC2002A芯片替代料XPD720 pps快充協(xié)議芯片支持三星 AFC 協(xié)議，提供XPD720關(guān)鍵參數(shù) ，廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、車載充電器等設(shè)備的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-06-01 10:10:41
供應(yīng)XPD320B 20w協(xié)議芯片外置VBUS MOS支持三星 AFC 協(xié)議，廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、車載充電器等設(shè)備的USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-30 14:24:29
有沒有人成功地將 ESP8266EX 連接到 EEPROM 芯片而不是閃存？在我住的地方，沒有人出售大于 512k 的閃存芯片，我至少需要 4 個(gè)。如果可以使用 EEPROM，我不想從美國進(jìn)口。
2023-05-30 11:10:19
供應(yīng)XPD319BP18 三星18w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-一級(jí)代理富滿，廣泛應(yīng)用于AC-DC適配器、車載充電器等設(shè)備提供高性價(jià)比的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-29 11:37:36
供應(yīng)XPD319B 20w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-單C口快充方案，廣泛應(yīng)用于AC-DC適配器、車載充電器等設(shè)備提供高性價(jià)比的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-29 11:13:51
供應(yīng)XPD318BP25 三星25w充電器協(xié)議芯片單c口支持三星25w方案 ，廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、USB 充電設(shè)備等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-29 10:09:46
器件銷售 2,772.30 億元，2020 年中國半導(dǎo)體分立器件銷售 2,966.30 億元，預(yù)計(jì) 2023 年分立器件銷售將達(dá)到 4,428 億元。
分立器件部分細(xì)分市場情況之場效應(yīng)管市場情況
2023-05-26 14:24:29
在 SPI 閃存 ROM 布局表（沒有 OTA）中有 5 個(gè) bin 文件被閃存到 esp8266。盡管在其他資源中在線找到了說明如何將所有 bin 文件合并為一個(gè)文件，
可能它似乎一次性解決了多個(gè)問題，但從根本上說，所有問題都指向 ESP MCU 中內(nèi)存布局的相同概念及其在構(gòu)建過程/閃存中的反映。
2023-05-25 07:07:52
大家好，
我正在嘗試將 NodeMCU 閃存到我的新 Sonoff 上。我正在使用 ESP8266Flasher x64 來刷新最新的開發(fā)和穩(wěn)定版
2023-05-23 09:44:49
S32G3開發(fā)板上使用的ddr芯片是micro MT53E1G32D2FW-046 AUT: B
但是我們的開發(fā)板使用的是三星的芯片（K4FBE3D4HM THCL）。
如何查看 S32G3 支持的 DDR 芯片？。以及如何支持新的DDR芯片？
2023-05-23 07:15:48
我使用 RTD 包擦除寫入和讀取內(nèi)部閃存。它在數(shù)據(jù)閃存上是成功的，但是當(dāng)我將地址更改為代碼閃存時(shí)，寫入和讀取都失敗了。
然后我調(diào)試發(fā)現(xiàn)Register MCR->PGM在擦除后已經(jīng)變成了1。但是我找不到它是在哪里改變的。
2023-05-19 08:41:05
。這使得 OTA 非常棘手！
我需要一個(gè)開銷比 Arduino 少得多的環(huán)境？
或者從 SD 閃存進(jìn)行 OTA 的方法？
或者修改 eboot 以在 OTA 期間將代碼從 SD 復(fù)制到閃存？
或者其他一些聰明的解決方案？
2023-05-17 08:29:00
的裸片面積上實(shí)現(xiàn)相同的功能，從而實(shí)現(xiàn)了外設(shè)和存儲(chǔ)的更高集成度，新產(chǎn)品預(yù)計(jì)第四季度全面上市。
行業(yè)風(fēng)向
【三星將減產(chǎn)NAND閃存產(chǎn)能5%，西安廠為重點(diǎn)】
據(jù)韓媒報(bào)道，三星將在第二季度將其NAND產(chǎn)能
2023-05-10 10:54:09
大家好，
我們有一塊定制板，W25Q128JV 連接到 FLEXSPI 端口 B，我無法讓 MCUXpresso/Keil 直接將固件下載到閃存，我可以確認(rèn)下載算法是正確的，因?yàn)橄嗤乃惴ㄟm用于
2023-05-04 08:44:59
功......
編程電纜接線如下...
如何讓 Segger J-Link 將代碼從 IDE 閃存/調(diào)試到評(píng)估板？
2023-05-04 08:34:20
供應(yīng)XPD767BP18 支持三星pps快充協(xié)議芯片-65W和65W以內(nèi)多口互聯(lián)，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-04-26 10:22:36
將 Basic 閃存到我的 esp8266 中。
接下來我需要連接到它作為接入點(diǎn)，對(duì)嗎？它沒有顯示在我可用的 wifi 網(wǎng)絡(luò)上......
有什么指示嗎？
紅色 LED 一直亮著。沒有藍(lán)色。
Serial 上也沒有。
2023-04-26 06:05:16
。標(biāo)簽顯示在對(duì)應(yīng)于+90o連接的圖中，其中三角洲側(cè)的正序列與星側(cè)的正序列領(lǐng)先90o。因此，線路電流流過相位A和A?！ ×硪环N方法是將增量標(biāo)記為 b→a、c→b 和 a→c;因此，我們得到了一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)
2023-04-20 17:39:25
怎樣測量非正弦波電壓的幅值？有何方法？
2023-04-19 18:24:04
我正在使用S32K142 EVB和i-SYSTEM IC5000調(diào)試器，最近我將代碼閃存到 S32K142 EVB 后，我在 winIDEA（i-SYSTEM 調(diào)試器）中獲得 SoC ATTACHING 狀態(tài)，之后我無法將新代碼閃存到target 我也無法從 winIDEA 中批量擦除。
2023-04-18 10:17:54
組件引腳均連接到的占位焊盤）?！ ?b class="flag-6" style="color: red">將原理圖轉(zhuǎn)換為PCB布局 通過CAD軟件將完整的原理圖轉(zhuǎn)換為由元件封裝和線條組成的PCB布局; 這個(gè)相當(dāng)不愉快的詞是指尚未轉(zhuǎn)換為物理連接的電氣連接。 設(shè)計(jì)人員先排
2023-04-14 16:28:43
據(jù)我所知，ESP32-D0WDR2-V3 有一個(gè) 2MB 的嵌入式 PSRAM，但只有 448KB 的內(nèi)部閃存。是否可以連接外部閃存（用于代碼和數(shù)據(jù)）和 eMMC（僅存儲(chǔ)）并使三者（PSRAM+外部
2023-04-12 06:01:59
據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，三星電子已加緊布局扇出型（FO）晶圓級(jí)封裝領(lǐng)域，并計(jì)劃在日本設(shè)立相關(guān)生產(chǎn)線。
2023-04-10 09:06:501284 我希望在特定的閃存位置存儲(chǔ)變量/參數(shù)集。我記得我必須 在閃存中使用 __attribute__ 和內(nèi)存地址，但我沒有找到 s32k146 或 s32k sdk 的任何具體示例。
2023-04-04 07:51:52
。UUU 工具使用此電纜將圖像閃存到 eMMC。以下是我嘗試刷入 eMMC 所遵循的步驟：1）將啟動(dòng)開關(guān)設(shè)置為Serial Download（0001）2) 打開電路板并執(zhí)行命令 - “sudo uuu
2023-04-03 08:04:43
目前，我使用的是 S32R294。我想從 S32 Design Studio for Power Architecture 下載 S32R294 的外部閃存。據(jù)我所知，外部閃存的代碼在啟動(dòng)時(shí)被復(fù)制到 SRAM 中，因?yàn)?s32r294 中沒有內(nèi)部閃存。
2023-03-29 06:13:04
module')這是因?yàn)?AT25SF041 的時(shí)鐘頻率最高應(yīng)為 80 MHz 才能支持整組命令。- 是否有任何方法（例如通過將 DCD 文件添加到 ivt_flashloader.bin）來激活 SEMC
2023-03-24 07:17:47
三相不對(duì)稱負(fù)載星型連接有無中心線對(duì)電路工作是否有影響？若有影響是什么影響？
2023-03-23 09:55:20
程序會(huì)通過藍(lán)牙將.sb2文件下載到sdcard，然后booloader會(huì)讀取0xB000地址的AES密鑰，解密sdcard中的文件，最終將程序?qū)懭雈lash 0xA000。我想知道在寫入閃存之前將 AES 密鑰存儲(chǔ)在哪里，我應(yīng)該什么時(shí)候?qū)⑺鼘懭?b class="flag-6" style="color: red">閃存才能使整個(gè)更新過程安全？
2023-03-23 08:47:27
已經(jīng)擦除的閃存，在擦除大約 500 到 700 個(gè)扇區(qū)后，將調(diào)用信號(hào)處理程序，CPU 將開始掛起在 startup_lpc54s018.c 中名為“IntDefaultHandler(void)”的函數(shù)
2023-03-23 06:06:43
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