CHK8201-SYA?GAN HEMT微波晶體管UMS

UMS?CHK8201-SYA是款前所未有的功率棒微波晶體管，CHK8201-SYA集成化2個(gè)CHK8101A99F功率棒封裝形式，能夠單獨(dú)瀏覽，可以產(chǎn)生45W的搭配輸出功率。CHK8201-SYA致力于高至4GHz的普遍射頻功率應(yīng)用領(lǐng)域需求設(shè)計(jì)。CHK8201-SYA特別適合多功能應(yīng)用領(lǐng)域，例如空間和電信網(wǎng)絡(luò)

CHK8101-SYC在SIC技術(shù)上使用的GAN是種表面評(píng)估的HEMT工藝技術(shù)，根據(jù)0.5μm柵極尺寸GaN?on?SiC?HEMT工藝研發(fā)。CHK8201-SYA需要有外部適配電源電路。

CHK8101-SYC選用密封性陶瓷金屬法蘭電源封裝形式，滿(mǎn)足RoHsN°2011/65和REACHN°1907/2006指令。

主要特征

寬帶性能：DC-4GHZ

45WPout，+29dbm輸入功率

0dbm輸入功率中的22db線(xiàn)性增益值

直流電偏置電壓：Vps=50V@IDo=200MA

UMS微波作為歐洲毫米波芯片的代表品牌，在德國(guó)和法國(guó)設(shè)置有產(chǎn)業(yè)基地。UMS在全球范圍內(nèi)高端應(yīng)用市場(chǎng)占有無(wú)可替代的地位。UMS提供基于ASIC或目錄產(chǎn)品的綜合報(bào)價(jià)，主要基于公司內(nèi)部的III-V技術(shù)，并提供全面的合同服務(wù)，使客戶(hù)可以直接創(chuàng)建自己的產(chǎn)品解決方案。從直流電到100GHz的UMS目錄產(chǎn)品均基于GaAs、Gan、SiGe技術(shù)，包括高達(dá)200W的功率放大器、混合信號(hào)功能、超低噪聲放大器和完整的收發(fā)器系統(tǒng)。UMS產(chǎn)品以模具形式提供，但一般以多芯片模塊的形式封裝。

深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司是UMS的代理商，專(zhuān)業(yè)為無(wú)線(xiàn)通信工程、航天基站、國(guó)防、汽車(chē)、ism等行業(yè)提供高可靠性射頻微波毫米波器件及集成電路。UMS產(chǎn)品采用QFN和模具包裝，交貨期短，價(jià)格優(yōu)勢(shì)獨(dú)特。立維創(chuàng)展存有一些型號(hào)UMS產(chǎn)品庫(kù)存。歡迎咨詢(xún)。

審核編輯黃宇

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評(píng)論

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2023-08-03 15:43:09

CGH40025P是一款晶體管

2023-08-03 15:39:32

CG2H40025F是一款晶體管

25W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40025 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40025；采用 28

2023-08-03 15:08:51

GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)是什么？ST量產(chǎn)氮化鎵器件PowerGaN 即將推出車(chē)規(guī)器件

解決方案帶來(lái)了極高的附加值。采用GaN技術(shù)有助于實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo)，隨著該項(xiàng)技術(shù)商用步伐的加快，在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中也獲得了廣泛運(yùn)用。 GaN晶體管與硅基晶體管相比的優(yōu)點(diǎn) 與硅基晶體管相比，GaN功率晶體管有什么優(yōu)點(diǎn)呢？GaN在品質(zhì)因數(shù)（

2023-08-03 14:43:28

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CGH60015D-GP4是一款晶體管

15-W；6.0GHz；GaN HEMT 芯片Wolfspeed 的 CGH60015D 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與硅或砷化鎵相比，GaN具有更優(yōu)越的性能；包括

2023-08-03 14:14:18

CGH40010P是一款晶體管

10W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGH40010 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40010；采用 28 伏

2023-08-03 13:44:13

CG2H40010P是一款晶體管

10W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40010 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40010；采用 28

2023-08-03 13:41:45

CGH40010F是一款晶體管

10W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGH40010 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40010；采用 28 伏

2023-08-03 13:39:48

CG2H40010F是一款晶體管

10W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40010 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40010

2023-08-03 13:36:27

CGH40010F-AMP是一款晶體管

10W 射頻功率 GaN HEMTWolfspeed 的 CGH40010 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40010；采用 28 伏電源軌運(yùn)行

2023-08-03 12:01:16

CGH60008D-GP4是一款晶體管

8瓦；6.0GHz；GaN HEMT 芯片Wolfspeed 的 CGH60008D 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與硅或砷化鎵相比，GaN具有更優(yōu)越的性能；包括更高

2023-08-03 11:36:09

CGH40006P是一款晶體管

6W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGH40006 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40006；采用 28 伏電源

2023-08-03 11:33:36

CGH40006S是一款晶體管

6W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGH40006 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40006；采用 28 伏電源

2023-08-03 11:26:41

CGH40006S-AMP1是一款晶體管

Wolfspeed 的 CGH40006 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40006；采用 28 伏電源軌運(yùn)行；提供通用用途；適用于各種射頻和微波

2023-08-03 11:23:41

CMPA0060002D是一款晶體管

2-W；20 MHz – 6000 MHz；GaN MMIC 功率放大器Wolfspeed 的 CMPA0060002 是一款基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片

2023-08-03 11:11:41

CMPA0060002F是一款晶體管

2-W；20 MHz – 6000 MHz；GaN MMIC 功率放大器Wolfspeed 的 CMPA0060002 是一款基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT

2023-08-03 11:07:32

不同類(lèi)型的晶體管及其功能

(HBT) AlgaAs/GaAs 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管 (HBT) 用于頻率高達(dá) Ku 頻段的數(shù)字和模擬微波應(yīng)用。HBT 可以提供比硅雙極晶體管更快的開(kāi)關(guān)速度，主要是因?yàn)榛鶚O電阻和集電極到基板的電容降低

2023-08-02 12:26:53

CMPA2560025F GaN MMIC功率放大器規(guī)格書(shū)

CMPA2560025F是一種高電子遷移率的氮化鎵（GaN）基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。與硅或砷化鎵相比，GaN具有優(yōu)越的性能，包括擊穿電壓越高，飽和電子漂移速度越高導(dǎo)熱性

2023-07-05 15:04:32

幾種晶體管的區(qū)別，你了解了嗎

晶體管

YS YYDS發(fā)布于 2023-07-04 22:18:41

晶體管做電子開(kāi)關(guān)

晶體管

YS YYDS發(fā)布于 2023-07-04 20:45:13

GaN單晶襯底顯著改善HEMT器件電流崩塌效應(yīng)

由于GaN和AlGaN材料中擁有較強(qiáng)的極化效應(yīng)，AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)無(wú)需進(jìn)行調(diào)制摻雜就能在界面處形成高濃度的二維電子氣(2DEG)，在此基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的高電子遷移率晶體管(HEMT)是GaN材料

2023-06-14 14:00:55

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未來(lái)智能城市的動(dòng)力引擎：潤(rùn)新微電子的650V GaN功率晶體管（FET）

潤(rùn)新微電子（Runxin Microelectronics）榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管（FET），該產(chǎn)品具備卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。產(chǎn)品特點(diǎn)：易于使用：650V GaN

2023-06-12 16:38:34

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晶體管S參數(shù)重要性晶體管有哪些重要指標(biāo)

微波晶體管按功能分類(lèi)可分為微波低噪聲晶體管和微波大功率晶體管，低噪聲晶體管和大功率晶體管被用于設(shè)計(jì)低噪聲放大器和功率放大器。

2023-06-09 10:59:27

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GaN HEMT工藝全流程

GaN HEMT（高電子遷移率晶體管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半導(dǎo)體，具有低工作電阻和高抗損性，有望應(yīng)用于大功率和高頻電子設(shè)備。

2023-05-25 15:14:06

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GaN HEMT大信號(hào)模型

GaN HEMT 為功率放大器設(shè)計(jì)者提供了對(duì) LDMOS、GaAs 和 SiC 技術(shù)的許多改進(jìn)。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達(dá) 8W/mm、fT 高達(dá) 25 GHz 和低靜態(tài)

2023-05-24 09:40:01

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高功率GaN RF放大器的熱考慮因素

，達(dá) 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應(yīng)用超出了蜂窩基站和軍用雷達(dá)范疇，在所有 RF 細(xì)分市場(chǎng)中獲得應(yīng)用。

2023-05-19 11:50:49

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