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2024-03-22 14:00:57
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有-5V輸入電壓能力的20V、4A雙通道低側(cè)柵極驅(qū)動器UCC27444數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-22 13:46:040 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《電隔離單通道柵極驅(qū)動器UCC21750-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-22 10:38:520 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于SiC/IGBT器件和汽車應(yīng)用的單通道隔離式柵極驅(qū)動器UCC5350-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-22 10:17:510 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《38-V 1.2-A 單通道 LED 背光燈驅(qū)動器TPS92360數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-22 10:03:130 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有UVLO的5A、5A光耦兼容單通道功能隔離式柵極驅(qū)動器UCC23113數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-22 09:59:350 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《汽車類 4A、6A 增強(qiáng)型隔離雙通道柵極驅(qū)動器UCC21551x-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-21 11:40:320 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有單通道降壓穩(wěn)壓器、由串行接口控制的7通道電機(jī)驅(qū)動器TPIC2030數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-19 09:50:400 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《單通道高速MOSFET驅(qū)動器TPS2816-Q1 TPS2817-Q1 TPS2818-Q1 TPS2819-Q1 TPS2828-Q1 TPS2829-Q1數(shù)據(jù)表 .pdf》資料免費下載
2024-03-14 09:28:320 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《單通道高速MOSFET驅(qū)動器TPS28xx數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-14 09:25:460 ? 熱關(guān)斷保護(hù)：170°C? 采用 SOP-8 封裝 描述：SCT52245是一款寬電源、雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器，適用于功率MOSFET和IGBT
2024-03-13 14:41:18
描述：SCT63141是一款高度集成的電源管理IC，可實現(xiàn)高性能、高效率和成本效益的無線電源發(fā)射系統(tǒng)，支持高達(dá)15W的功率傳輸。該器件集成了5V-LDO、4-MOSFET全橋功率級、柵極驅(qū)動器
2024-03-13 13:54:46
榮湃半導(dǎo)體近日宣布推出其最新研發(fā)的Pai8265xx系列柵極驅(qū)動器，該系列驅(qū)動器基于電容隔離技術(shù)，集成了多種保護(hù)功能，專為驅(qū)動SiC、IGBT和MOSFET等功率管而設(shè)計。這款產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著榮湃半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新再次取得突破。
2024-03-12 11:11:52
248 意法半導(dǎo)體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器，這些產(chǎn)品不僅在設(shè)計上追求穩(wěn)健性和可靠性，還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性，以滿足不同應(yīng)用場景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《超低工作電壓單通道H橋驅(qū)動器FS116L數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-03-08 09:10:331 驅(qū)動器和控制器的發(fā)展。因此，電路設(shè)計人員經(jīng)常求助于為硅MOSFETs設(shè)計的通用柵極驅(qū)動器，從而需要仔細(xì)考慮各種因素以獲得最佳性能。 GaN晶體管與Si MOSFETs 與硅MOSFETs相比，eGaN FETs表現(xiàn)出不同的特性，影響其與專為后者設(shè)計的柵極驅(qū)動器一起工作。一些主要差
2024-03-05 14:28:16406 
GaN FETs以其體積小、切換速度快、效率高及成本低等優(yōu)勢，為電力電子產(chǎn)業(yè)帶來了革命性的變化。然而，GaN技術(shù)的快速發(fā)展有時超出了專門為GaN設(shè)計的柵極驅(qū)動器和控制器的發(fā)展。因此，電路設(shè)計師經(jīng)常轉(zhuǎn)向為硅MOSFETs設(shè)計的通用柵極驅(qū)動器，這就需要仔細(xì)考慮多個因素以實現(xiàn)最佳性能。
2024-02-29 17:54:08189 
意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 
本文通過分析低側(cè)柵極驅(qū)動器的等效電路來計算如何合理的選取RGATE電阻的阻值，既要保持MOS管的良好開關(guān)性能，還要有效抑制振鈴的產(chǎn)生。
2024-02-26 18:14:341240 
由于IGBT高電壓、大電流和高頻特性，IGBT需要一個專門的驅(qū)動電路來控制其開通和關(guān)斷。本文將介紹IGBT驅(qū)動電路。 一、IGBT驅(qū)動電路的作用 IGBT驅(qū)動電路的主要作用是向IGBT提供適當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">柵極
2024-01-17 13:56:55553 
必易微新推出的柵極驅(qū)動器 KP85402，專為家用電器和工業(yè)新能源等應(yīng)用場景而設(shè)計。這款產(chǎn)品旨在為客戶提供一個高可靠性、低成本的解決方案，以滿足各種柵極驅(qū)動需求。
2024-01-08 15:33:25390 非對稱穩(wěn)壓輸出適合 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共柵柵極驅(qū)動 - 現(xiàn)在，借助新型 R24C2T25 DC/DC 轉(zhuǎn)換器為 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共柵柵極驅(qū)動器供電變得空前簡單。
2023-12-21 11:46:42334 報告內(nèi)容包含：
效率和功率密度推動變革
基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動器功能
驅(qū)動器演進(jìn)以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）
驅(qū)動器進(jìn)化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57156 
、詳實、細(xì)致的比較分析。 一、基本概念 MOSFET和IGBT都是用于功率電子領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件。它們的主要區(qū)別在于結(jié)構(gòu)和工作原理。 MOSFET：MOSFET是一種由金屬氧化物絕緣體（MOS）構(gòu)成的雙極性晶體管。它由源極、漏極和柵極組成。在MOSFET中，源極和漏極之間的電流由柵極的電壓控制
2023-12-15 15:25:35366 IGBT7與IGBT4在伺服驅(qū)動器中的對比測試
2023-12-14 11:31:08232 
圣邦微電子推出 SGM48541/2/3/4/5 系列，一款耐受 -10V 輸入電壓的單通道高速低側(cè)柵極驅(qū)動器。 該系列器件被廣泛應(yīng)用于 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、太陽能和電機(jī)驅(qū)動器中的功率 MOSFET
2023-12-13 10:10:01271 IGBT柵極驅(qū)動設(shè)計，關(guān)鍵元件該怎么選？
2023-11-30 18:02:38294 
是MOSFET的控制電路，它對于MOSFET的工作狀態(tài)和性能有著重要的影響。以下是關(guān)于MOSFET柵極電路常見的作用以及電壓對電流的影響的詳細(xì)介紹。 1. 控制MOSFET的導(dǎo)通與截止： MOSFET的柵極電壓決定了通道電流的大小，從而決定MOSFET的導(dǎo)通與截止。當(dāng)柵極電壓高于閾值電壓時，
2023-11-29 17:46:40571 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《單通道柵極驅(qū)動器ADuM4135應(yīng)用筆記.pdf》資料免費下載
2023-11-29 11:00:580 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ADuM4135：提供米勒箝位的單電源/雙電源 高電壓隔離IGBT柵極驅(qū)動器.pdf》資料免費下載
2023-11-29 09:37:154 使用隔離式柵極驅(qū)動器的設(shè)計指南（一）
2023-11-28 16:18:10272 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《實現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動器的設(shè)計基礎(chǔ).pdf》資料免費下載
2023-11-22 16:57:320 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器 提供隔離功能的最大功率限制.pdf》資料免費下載
2023-11-22 16:48:150 本應(yīng)用報告旨在展示一種為高速開關(guān)應(yīng)用設(shè)計的高性能柵極驅(qū)動電路 應(yīng)用非常重要。這是一個內(nèi)容詳實的主題集，可為您提供解決最常見設(shè)計難題的“一站式服務(wù)”。因此，它可為具有不同經(jīng)驗的電子產(chǎn)品工程師提供強(qiáng)大
2023-11-17 16:56:163 川土微電子CA-IS3215/6-Q1適用于SiC/IGBT 的具有主動保護(hù)功能、高 CMTI、15A 拉/灌電流的單通道增強(qiáng)隔離柵極驅(qū)動器新品發(fā)布！
2023-11-15 09:49:43573 
柵極驅(qū)動 單通道隔離柵極驅(qū)動器 SOP8_300MIL Vinput=3V~17V
2023-11-06 10:41:04
MD18011X，光耦兼容的單通道隔離型柵極驅(qū)動器系列，是茂睿芯功率驅(qū)動產(chǎn)品推出的新型產(chǎn)品系列，可廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源、光伏逆變器、伺服、變頻器等系統(tǒng)。它們具備5700VRMS增強(qiáng)型隔離等級，主要
2023-10-26 16:31:51711 
MD18011X，光耦兼容的單通道隔離型柵極驅(qū)動器系列，是茂睿芯功率驅(qū)動產(chǎn)品推出的新型產(chǎn)品系列，可廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源、光伏逆變器、伺服、變頻器等系統(tǒng)。它們具備5700VRMS增強(qiáng)型隔離等級，主要
2023-10-26 16:02:08347 
MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121369 igbt的柵極驅(qū)動條件 igbt的柵極驅(qū)動條件對其特性有什么影響？ IGBT是晶體管的一種，它是一種高壓、高電流的開關(guān)器件，常用于高功率電子應(yīng)用中。IGBT是一種三極管，由一個PN結(jié)組成的集成電路
2023-10-19 17:08:14622 額外的電路通常比專用 SiC 占用更多的空間。因此，高端設(shè)計通常選擇專用的 SiC 核心
驅(qū)動器，這會考慮到更快的開關(guān)、過壓條件以及噪聲和 EMI 等問題。他說：“你總是可以使用標(biāo)準(zhǔn)
柵極驅(qū)動器，但你必須用額外的電路來補(bǔ)充它，通常這就是權(quán)衡?！?/div>
2023-10-09 14:21:40423 
本應(yīng)用筆記介紹了采用表面貼裝封裝的 n 通道雙 MOSFET 的低壓電機(jī)驅(qū)動設(shè)計。它描述了使用不同電壓應(yīng)用的設(shè)計，以及自適應(yīng) MOSFET 柵極驅(qū)動器，這是驅(qū)動雙 n 溝道半橋的第三種方法。
2023-10-05 15:20:00615 
驅(qū)動光耦產(chǎn)品線，近期新增一款輸出電流為2.5A的智能柵極驅(qū)動光耦 TLP5222 。它是一款可為MOSFET或IGBT等功率器件提供過流保護(hù)的隔離柵極驅(qū)動IC，內(nèi)置保護(hù)操作自動恢復(fù)的功能。該器件主要用來實現(xiàn)逆變器、交流伺服器，光伏逆變器等的智
2023-09-28 17:40:02526 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動器.pdf》資料免費下載
2023-09-25 11:27:500 單通道STGAP2SiCSN柵極驅(qū)動器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制，采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝，通過精確的PWM控制提供強(qiáng)大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術(shù)廣泛應(yīng)用于提高功率轉(zhuǎn)換效率，STGAP2SiCSN簡化了設(shè)計、節(jié)省了空間，并增強(qiáng)了節(jié)能型動力系統(tǒng)、驅(qū)動器和控制的穩(wěn)健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
下的虛假開關(guān)。對于這兩個通道，該器件可以提供高達(dá)4A的強(qiáng)大柵極控制信號，其雙輸出引腳為柵極驅(qū)動提供了額外的靈活性。有源Miller鉗位功能可在半橋拓?fù)涞目焖贀Q向期間避免柵極峰。
2023-09-05 06:59:59
設(shè)計用于驅(qū)動N通道功率MOSFET或IGBT，其工作電壓最高可達(dá)650V。
特性
?650V無芯變壓器隔離驅(qū)動器IC
?軌到軌輸出
?保護(hù)功能
?浮動高側(cè)驅(qū)動
?雙通道欠壓鎖定
?3.3V和5V TTL
2023-08-24 18:21:45
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GD316x故障管理、診斷、中斷和優(yōu)先級表 先進(jìn)IGBT和碳化硅柵極驅(qū)動器.pdf》資料免費下載
2023-08-17 14:22:085 MOSFET的獨特器件特性意味著它們對柵極驅(qū)動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設(shè)計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關(guān)性能的柵極驅(qū)動器。在這篇文章中，我們討論了SiC MOSFET器件的特點以及它們對柵極驅(qū)動電路的要求，然后介紹了一種能夠解決這些問題和其它系統(tǒng)級考慮因素的IC方案。
2023-08-03 11:09:57740 
在電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中，柵極驅(qū)動器或“預(yù)驅(qū)動器” IC常與N溝道功率MOSFET一起使用，以提供驅(qū)動電機(jī)所需的大電流。在選擇驅(qū)動器IC、MOSFET以及某些情況下用到的相關(guān)無源元件時，有很多需要考量的設(shè)計因素。如果對這個過程了解不透徹，將導(dǎo)致實現(xiàn)方式的差強(qiáng)人意。
2023-08-02 18:18:34808 
本用例將討論隔離式柵極驅(qū)動器在便攜式發(fā)電站中的應(yīng)用。
2023-08-02 11:41:49372 
新品6.5A，2300V單通道隔離式柵極驅(qū)動器評估板（配SiCMOSFET）EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半橋電路，用兩個柵極驅(qū)動IC1ED3142MU12F來驅(qū)動IGBT
2023-07-31 17:55:56430 
這是使用IC MD7120作為MOSFET驅(qū)動器的D類功率音頻放大器的電路設(shè)計。 MD7120 用于驅(qū)動在 H 橋開關(guān)兩側(cè)運行的四個 N 溝道 MOSFET 晶體管。它由控制器邏輯電路、電平轉(zhuǎn)換器
2023-07-28 16:20:50801 
介紹
在設(shè)計電源開關(guān)系統(tǒng)（例如電機(jī)驅(qū)動器或電源）時，設(shè)計人員必須做出重要決定。什么電機(jī)或變壓器符合系統(tǒng)要求？什么是最好的MOSFET或IGBT來匹配該電機(jī)或變壓器？以及哪種柵極驅(qū)動器 IC 最適合
2023-07-24 15:51:430 承受并保護(hù)負(fù)供電電壓下的負(fù)載，并阻止反向電流，有助于簡化汽車ISO7637保護(hù)的系統(tǒng)設(shè)計。 SCT53600控制器為外部n通道MOSFET提供了一個充電泵門驅(qū)動器。該裝置將外部MOSFET的正向電壓降調(diào)節(jié)到20 mV，允許平穩(wěn)、無環(huán)操作，在反向事件期間提供非?？焖俚?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET關(guān)閉（ SCT53600在關(guān)機(jī)
2023-07-21 09:40:351374 
則兩全其美，可實現(xiàn)在高壓下的高頻開關(guān)。然而，SiC MOSFET的獨特器件特性意味著它們對柵極驅(qū)動電路有特殊的要求。了解這些特
2023-07-18 19:05:01462 
寬供電電壓、雙通道、高速、低測柵極驅(qū)動器，包括功率MOSFET，IGBT。單個通道能夠提供高達(dá)4A拉電流和4A灌電流的軌到軌驅(qū)
2023-07-18 09:01:27330 
IGBT/功率MOSFET的結(jié)構(gòu)使得柵極形成一個非線性電容。給柵極電容充電會使功率器件導(dǎo)通，并允許電流在其漏極和源極引腳之間流動，而放電則會使器件關(guān)斷，漏極和源極引腳上就可以阻斷大電壓。
2023-07-14 14:54:071579 
柵極驅(qū)動器是一種電子器件，它能夠?qū)⑿盘栯娖阶鳛檩斎?，通過放大和轉(zhuǎn)換等過程，產(chǎn)生適合于驅(qū)動下級器件的電源信號。柵極驅(qū)動器廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中，如顯示器、LED燈、電源逆變器等。
2023-07-14 14:48:441357 PT5619 在 同一顆芯片中同時集成了三個 90V 半橋柵極驅(qū)動器 ，特別適合于 三相電機(jī)應(yīng)用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的柵極驅(qū)動 。
2023-07-11 16:12:24434 
SCT52A40是一種寬電源，高頻柵極驅(qū)動器，包括高壓側(cè)和低壓側(cè)驅(qū)動器，用于半橋、全橋和降壓電路和驅(qū)動離散N型MOSFET的轉(zhuǎn)換器。4A峰值電流和匯電流能力可提高功率轉(zhuǎn)換器的功率效率
2023-07-03 17:31:24396 
該芯片是一款單通道低側(cè)GaN FET和邏輯電平MOSFET驅(qū)動器，可應(yīng)用于LiDAR、飛行時間、面部識別和低側(cè)驅(qū)動的功率轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。
2023-06-30 09:58:50263 TFB0527是一個半橋式柵極驅(qū)動器，內(nèi)部集成了自舉二極管，能夠在半橋式配置中驅(qū)動n通道mosfet和igbt。TF半導(dǎo)體的先進(jìn)工藝，使浮動高側(cè)驅(qū)動器操作到100V的引導(dǎo)
2023-06-28 17:08:12
TFB0504是一個半橋式柵極驅(qū)動器，內(nèi)部集成了自舉二極管，能夠在半橋式配置中驅(qū)動n通道mosfet和igbt。TF半導(dǎo)體的先進(jìn)工藝，使浮動高側(cè)驅(qū)動器操作到100V的引導(dǎo)
2023-06-27 17:01:42
TF2184是一種高壓、高速柵極驅(qū)動器，能夠在半橋配置中驅(qū)動n通道MOSFET和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓過程使TF2184的高側(cè)能夠在引導(dǎo)
2023-06-25 16:25:20
寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供? NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動器）的使用指南 。本文為
2023-06-25 14:35:02377 
常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動器件，而MOSFET 是電壓驅(qū)動器件。 圖 1.1 所示為雙極晶體管。要在集電極中產(chǎn)生電流，必須在基極端子和發(fā)射極端子之間施加電流。
2023-06-25 12:24:00556 
點擊藍(lán)字?關(guān)注我們 IGBT晶體管的結(jié)構(gòu)要比 MOSFET 或雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 復(fù)雜得多。它結(jié)合了這兩種器件的特點，并且有三個端子：一個柵極、一個集電極和一個發(fā)射極。就柵極驅(qū)動而言，該器件
2023-06-21 19:15:01398 
NCD(V)5700x 是大電流單通道柵極驅(qū)動器，內(nèi)置電流隔離功能，用于在高功率應(yīng)用中實現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性。 上篇 中我們介紹了NCD(V)5700x的輸入(IN)和輸出(OUT)信號、輸入偏置
2023-06-16 11:35:011246 
NCD(V)5700x 是大電流單通道柵極驅(qū)動器，內(nèi)置電流隔離功能，用于在高功率應(yīng)用中實現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性。上篇中我們介紹了NCD(V)5700x的輸入(IN)和輸出(OUT)信號、輸入偏置電源
2023-06-16 11:33:38714 
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動在設(shè)計過程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動IC時的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
點擊藍(lán)字?關(guān)注我們 NCD(V)5700x 是大電流單通道柵極驅(qū)動器，內(nèi)置電流隔離功能，用于在高功率應(yīng)用中實現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性。 其特性包括：互補(bǔ)輸入（IN+ 和 IN-），開漏故障（ ）和就緒
2023-06-12 19:15:02570 
摘要：CM3003是一款高性價比的MOS管和IGBT管柵極驅(qū)動器芯片，具有邏輯信號輸入處理、欠壓保護(hù)、電平位移、脈沖濾波和輸出驅(qū)動等功能。該芯片適用于無刷電機(jī)控制器和電源DC-DC中的驅(qū)動電路
2023-06-08 14:32:41706 
電源是電子設(shè)備的基礎(chǔ)，其中的柵極驅(qū)動器是穩(wěn)定提供設(shè)備電源的關(guān)鍵。柵極驅(qū)動器是一種功率放大器，它接受來自控制器芯片的低功率輸入，并為高功率晶體管（例如IGBT或功率MOSFET）的柵極產(chǎn)生高電流驅(qū)動
2023-06-08 14:03:09362 常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動器件，而MOSFET 是電壓驅(qū)動器件。
2023-05-22 09:54:02518 
常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動器件，而MOSFET 是電壓驅(qū)動器件。
2023-05-22 09:52:08747 
半導(dǎo)體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關(guān)器件，具有開關(guān)速度快、易于驅(qū)動、損耗低等優(yōu)勢。IGBT全稱是絕緣柵極
2023-05-18 09:51:583446 
功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
為了操作 MOSFET，通常須將一個電壓施加于柵極（相對于源極或發(fā)射極）。使用專用驅(qū)動器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動電流。
2023-05-17 10:21:391475 
柵極驅(qū)動器是一個用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電柵極驅(qū)動器的原理及應(yīng)用分析用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動功率較大的晶體管。
2023-05-17 10:14:526256 
MOSFET較小的柵極電阻可以減少開通損耗嗎？柵極電阻的值會在開通過程中影響與漏極相連的二極管嗎？
2023-05-16 14:33:51
MS1681 是一個單通道視頻緩沖器，它內(nèi)部集成6dB 增益的軌到軌輸出驅(qū)動器和6 階輸出重建濾波器。
2023-05-11 10:00:53476 
? 川土微電子CA-IS3221/3222 隔離柵極驅(qū)動器、CA-IS3221-Q1/3222-Q1車規(guī)級隔離柵極驅(qū)動器新品發(fā)布 01產(chǎn)品概述 CA-IS322X系列產(chǎn)品為雙通道、隔離型柵極驅(qū)動器
2023-04-24 18:31:401791 
TMI8723是一款專為H橋驅(qū)動器應(yīng)用而設(shè)計的柵極驅(qū)動器集成電路。它能夠驅(qū)動由四個高達(dá)40V的N溝道功率MOSFET組成的H橋。TMI8723集成了一個可調(diào)節(jié)的電荷泵來產(chǎn)生柵極驅(qū)動功率，峰值和源極電流可以是500mA和250mA。同時，TMI8723可以通過引腳VDS設(shè)置過電流點的值。
2023-04-20 15:00:311 您好，我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅(qū)動器，但我們遇到了設(shè)備故障和損壞高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動器的問題。首先，是否有任何關(guān)于正確設(shè)置柵極驅(qū)動器輸出的應(yīng)用說明。我們看到的是在沒有任何
2023-04-19 06:36:06
，工程師們需要選用合適的柵極驅(qū)動器，提高UPS的轉(zhuǎn)換效率和響應(yīng)速度，以滿足不斷增長的UPS市場需求。高速低側(cè)柵極驅(qū)動器是一種電路，用于控制半導(dǎo)體開關(guān)（例如MOSFET或IGBT）的導(dǎo)通和斷開，從而實現(xiàn)對電路的控制和調(diào)節(jié)。正確選擇高速低側(cè)柵極驅(qū)動器
2023-04-11 12:39:14279 
前面我們也聊到過IGBT的柵極驅(qū)動設(shè)計，雖然今天聊的可能有些重復(fù)，但是感覺人到中年，最討厭的就是記憶力不夠用，就當(dāng)回顧和加重記憶吧。
2023-04-06 17:38:291595 
半導(dǎo)體器件是現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心。這些系統(tǒng)利用許多門控半導(dǎo)體器件，如普通晶體管、FET、BJT、MOSFET、IGBT等作為開關(guān)模式電源（SMPS）、通用電源（UPS）和電機(jī)驅(qū)動器中的開關(guān)元件。電力電子的現(xiàn)代技術(shù)發(fā)展通常跟隨功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展。
2023-04-04 10:23:45546 功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
2023-04-04 09:58:391001 MADR-009269-000100用于 GaAs FET 或 PIN 二極管開關(guān)和衰減器的單驅(qū)動器MADR-009269-000100 是一款單通道 CMOS 驅(qū)動器，用于將 TTL 控制輸入轉(zhuǎn)換
2023-03-31 13:39:01
MADRCC0005Switches & Atten 單人MACOM 的 MADRCC0005 是一款單通道驅(qū)動器，用于將 TTL 控制輸入轉(zhuǎn)換為 GaAs FET 微波開關(guān)和衰減器的互補(bǔ)柵極電壓
2023-03-31 13:27:24
MADRCC0006 Switches & Atten 單人MADRCC0006 是一款單通道驅(qū)動器，用于將 TTL 控制輸入轉(zhuǎn)換為 GaAs FET 微波開關(guān)和衰減器的柵極控制電壓。高速
2023-03-31 13:17:07
新品X3CompactPOLARIS(1ED314x)-6.5A,3kV(rms)單通道隔離柵極驅(qū)動器X3Compact(1ED31xx)隔離柵極驅(qū)動器系列，容易使用，最近發(fā)布的柵極驅(qū)動器系列
2023-03-31 10:49:16735 單通道驅(qū)動器
2023-03-28 18:24:30
高達(dá)24V電源，4-A單通道高速低側(cè)驅(qū)動器
2023-03-28 13:05:14
單通道功MOSFET驅(qū)動芯片
2023-03-28 00:16:51
，因此，選用IGBT模塊時額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流，同時選用時應(yīng)該降額使用。額定工作電壓、電壓波動的范圍、最大工作電壓決定了IGBT模塊的額定電壓；驅(qū)動器的外殼結(jié)構(gòu)以及排布方式也是IGBT選型的重要考慮因素。原作者：漂流的青春 車載控制器開發(fā)及測試
2023-03-23 16:01:54
LTC7001 是一款快速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動器，選用高達(dá) 135V 的輸入電壓作業(yè)。該器材包括一個擔(dān)任全面增強(qiáng)外部 N 溝道 MOSFET 開關(guān)的內(nèi)部充電泵，因此使其可以無限期地堅持導(dǎo)通。
2023-03-23 09:46:45514 
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