Prisemi芯導(dǎo)小型化功率器件系列上線(xiàn)

小而美——Prisemi芯導(dǎo)小型化功率器件系列全面上線(xiàn)，由KOYUELEC光與電子提供技術(shù)推廣方案應(yīng)用

芯導(dǎo)電子針對(duì)手環(huán)/手表等應(yīng)用推出一系列小型化的功率器件,既可以滿(mǎn)足工程師高性能要求，又滿(mǎn)足了更小的封裝需求，研發(fā)再也不用擔(dān)心器件放不下啦。

TVS(Transient Voltage Suppressor)二極管，又稱(chēng)為瞬態(tài)抑制二極管，是普遍使用的一種新型高效電路保護(hù)器件，它具有極快的響應(yīng)時(shí)間（亞納秒級(jí)）和相當(dāng)高的浪涌吸收能力。當(dāng)它的兩端經(jīng)受瞬間的高能量沖擊時(shí)，TVS能以極高的速度把兩端間的阻抗值由高阻抗變?yōu)榈妥杩?，以吸收一個(gè)瞬間大電流，把它的兩端電壓箝制在一個(gè)預(yù)定的數(shù)值上，從而保護(hù)后面的電路元件不受瞬態(tài)高壓尖峰脈沖的沖擊。

在選用TVS時(shí)，應(yīng)考慮以下幾個(gè)主要因素：

→ 若TVS有可能承受來(lái)自?xún)蓚€(gè)方向的尖峰脈沖電壓(浪涌電壓)沖擊時(shí)，應(yīng)當(dāng)選用雙極性的，否則可選用單極性。

→ 所選用TVS的Vc值應(yīng)低于被保護(hù)元件的最高電壓。Vc是二極管在截止?fàn)顟B(tài)的電壓，也就是在ESD沖擊狀態(tài)時(shí)通過(guò)TVS的電壓，它不能大于被保護(hù)回路的可承受極限電壓，否則器件面臨被損壞的危險(xiǎn)。

→ TVS在正常工作狀態(tài)下不要處于擊穿狀態(tài)，最好處于VR以下，應(yīng)綜合考慮VR和VC兩方面的要求來(lái)選擇適當(dāng)?shù)腡VS。

如下圖的0201 TVS，DFN0603封裝，結(jié)構(gòu)參數(shù)如下：

更多產(chǎn)品型號(hào)可參考如下數(shù)據(jù)：

小型化功率器件-MOSFET

MOS管，是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。??

一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source（源極）和drain（耗盡層）是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱(chēng)的。

場(chǎng)效應(yīng)管分為PMOS管和NMOS管，屬于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。

如下圖的0402 MOS，DFN1006-3L封裝，結(jié)構(gòu)參數(shù)如下：

更多產(chǎn)品型號(hào)可參考如下數(shù)據(jù)（單擊圖片可放大）：

小型化功率器件-三極管

三極管，全稱(chēng)應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱(chēng)雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件。其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào)，也用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。

晶體三極管具有電流放大作用，其實(shí)質(zhì)是三極管能以基極電流微小的變化量來(lái)控制集電極電流較大的變化量。這是三極管最基本的和最重要的特性。我們將ΔIc/ΔIb的比值稱(chēng)為晶體三極管的電流放大倍數(shù)，用符號(hào)“β”表示。電流放大倍數(shù)對(duì)于某一只三極管來(lái)說(shuō)是一個(gè)定值，但隨著三極管工作時(shí)基極電流的變化也會(huì)有一定的改變。

如下圖的0402 三極管，DFN1006-3L封裝，結(jié)構(gòu)參數(shù)如下：

更多產(chǎn)品型號(hào)可參考如下數(shù)據(jù)（單擊圖片可放大）：

審核編輯?黃昊宇