想要降低STM32WB的功耗，查找手冊(cè)發(fā)現(xiàn)開(kāi)啟SMPS模塊可以降低功耗。配置SMPS模塊具體步驟是什么有大佬知道嗎？是開(kāi)啟SMPS宏定義，然后寫(xiě)PWR的寄存器就可以了嗎？怎么證明自己的SMPS模塊-配置正確了呢？
2024-03-20 08:18:42
低功耗、高性能M0芯片亮點(diǎn)(1~3): 低功耗, 寬電壓, PWM
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笙泉科技全新低功耗
2024-03-15 16:53:53
CREE的CMPA1D1E025F是款碳化硅單晶上根據(jù)氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)；選用 0.25 μm 柵極尺寸制作工藝。與硅相比較
2024-02-27 14:09:50
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
請(qǐng)問(wèn)半橋上管氮化鎵這樣的開(kāi)爾文連接正確嗎？
2024-01-11 07:23:47
采用ADMU4121來(lái)驅(qū)動(dòng)氮化鎵半橋電路，采樣的全隔離的驅(qū)動(dòng)方案，但是現(xiàn)在上管的驅(qū)動(dòng)電壓隨輸入電壓的升高而升高，不知道為啥？是因?yàn)轵?qū)動(dòng)芯片的原因嗎？上管是將5V的輸入電壓由B0515隔離芯片轉(zhuǎn)化
2024-01-11 06:43:50
氮化鎵（GaN）是一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，其結(jié)構(gòu)具有許多獨(dú)特的性質(zhì)和應(yīng)用。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵的結(jié)構(gòu)、制備方法、物理性質(zhì)和應(yīng)用領(lǐng)域。 結(jié)構(gòu)： 氮化鎵是由鎵（Ga）和氮（N）元素組成的化合物
2024-01-10 10:18:33
570 氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主要結(jié)構(gòu)是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:41667 低功耗設(shè)計(jì)前，功耗為27.9mW。
2024-01-03 10:05:08169 
CGHV40180是款氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。具備前所未有的輸入，能夠在DC-2.0GHz范圍之內(nèi)提供最好的的瞬時(shí)寬帶性能。與硅或砷化鎵相比較，CGHV40180具有更加優(yōu)異
2024-01-02 12:05:47
藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2010年推出了藍(lán)牙4.0規(guī)范，其中低功耗藍(lán)牙的出現(xiàn)滿足了小型電池供電設(shè)備進(jìn)行低功耗無(wú)線連接的需求，因此得到廣泛應(yīng)用。本文章將帶你深入了解低功耗藍(lán)牙的應(yīng)用。低功耗藍(lán)牙簡(jiǎn)介2010
2023-12-28 08:24:49350 
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，垂直GaN功率器件逐漸憑借其優(yōu)勢(shì)逐漸應(yīng)用在更多的領(lǐng)域中。高質(zhì)量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎(chǔ)。
2023-12-27 09:32:54374 
請(qǐng)問(wèn)ADA4302-4適合應(yīng)用在差分的CVBS信號(hào)的分拆么？如果適合，除了手冊(cè)之外還有其他文檔供使用么？或者使用過(guò)程中需要注意哪些內(nèi)容呢？
2023-12-18 06:44:04
Sumitomo 是全球最大的射頻應(yīng)用氮化鎵 (GaN) 器件供應(yīng)商之一。住友氮化鎵器件用于通信基礎(chǔ)設(shè)施、雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星通信、點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無(wú)線電和其他應(yīng)用。 功率氮化鎵-用于無(wú)線電鏈路和衛(wèi)星通信
2023-12-15 17:43:45
在最近的IEDM大會(huì)上，英特爾表示，已將 CMOS 硅晶體管與氮化鎵 (GaN) 功率晶體管集成，用于高度集成的48V設(shè)備。
2023-12-14 09:23:06548 
CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管(HEMT)與其他技術(shù)相比，CGHV96130F內(nèi)部適應(yīng)(IM)FET具有出色的功率附加效率。與砷化鎵相比
2023-12-13 10:10:57
AD7768芯片是否可以應(yīng)用在地震檢測(cè)儀器數(shù)據(jù)采集中？它 的靈敏度是否能夠和ADS1282相媲美？
2023-12-07 07:35:46
德州儀器 (TI) 今日發(fā)布低功耗氮化鎵 (GaN) 系列新品，可助力提高功率密度，大幅提升系統(tǒng)效率，同時(shí)縮小交流/直流消費(fèi)類電力電子產(chǎn)品和工業(yè)系統(tǒng)的尺寸。德州儀器的 GaN 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET
2023-12-01 12:16:04796 本推文簡(jiǎn)述氮化鎵器件，主要包括GaN HEMT和二極管，幫助讀者了解Sentaurus TCAD仿真氮化鎵器件的相關(guān)內(nèi)容。
2023-11-27 17:12:011013 
什么是氮化鎵 氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化
2023-11-24 11:05:11822 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《數(shù)字隔離器可應(yīng)用在本質(zhì)安全應(yīng)用中.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-24 10:24:45
0 ，氮化鎵芯片具有許多優(yōu)點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)，同時(shí)也存在一些缺點(diǎn)。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵芯片的定義、優(yōu)缺點(diǎn)，以及與硅芯片的區(qū)別。 一、氮化鎵芯片的定義 氮化鎵芯片是一種使用氮化鎵材料制造的集成電路芯片。氮化鎵（GaN）是一種半導(dǎo)體
2023-11-21 16:15:302310 GaN氮化鎵晶圓硬度強(qiáng)、鍍層硬、材質(zhì)脆材質(zhì)特點(diǎn)，與硅晶圓相比在封裝過(guò)程中對(duì)溫度、封裝應(yīng)力更為敏感，芯片裂紋、界面分層是封裝過(guò)程最易出現(xiàn)的問(wèn)題。同時(shí)，GaN產(chǎn)品的高壓特性，也在封裝設(shè)計(jì)過(guò)程對(duì)爬電距離的設(shè)計(jì)要求也與硅基IC有明顯的差異。
2023-11-21 15:22:36333 
隨著智能家居市場(chǎng)的快速發(fā)展，低功耗芯片在智能家居產(chǎn)品中的應(yīng)用也變得越來(lái)越廣泛。這些智能家居產(chǎn)品包括智能多功能網(wǎng)關(guān)、智能傳感器、寵物投喂產(chǎn)品、智能酒店以及監(jiān)控系列等。在這些領(lǐng)域，低功耗芯片的應(yīng)用能夠
2023-11-12 15:06:00159 
GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料。上次帶大家了解了它的基礎(chǔ)特性：氮化鎵（GAN)具有寬的直接帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)
2023-11-09 11:43:53434 氮化鎵（GaN）被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料，今天金譽(yù)半導(dǎo)體帶大家來(lái)簡(jiǎn)單了解一下，這個(gè)材料有什么厲害的地方。
2023-11-03 10:59:12663 
?10 月 25 日消息，英飛凌科技于 2023 年 10 月 24 日宣布完成收購(gòu)氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems），并號(hào)稱“成為領(lǐng)先的氮化鎵龍頭企業(yè)”。 英飛凌表示，這家總部位于加拿大
2023-10-26 08:43:52206 德國(guó)慕尼黑和加拿大渥太華訊——英飛凌科技于2023年10月24日宣布完成收購(gòu)氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems，以下同）。
2023-10-25 18:24:47323 隨著世界希望電氣化有助于有效利用能源并轉(zhuǎn)向可再生能源，氮化鎵（GaN）等寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)的時(shí)機(jī)已經(jīng)成熟。傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT的性能現(xiàn)在接近材料的理論極限，進(jìn)一步發(fā)展只是以緩慢和高成本實(shí)現(xiàn)微小
2023-10-25 16:24:43641 
10 月 25 日，英飛凌科技股份公司今日宣布完成收購(gòu)氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems，以下同）。這家總部位于加拿大渥太華的公司，為英飛凌帶來(lái)了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉(zhuǎn)換解決方案
2023-10-25 11:38:30189 
隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子領(lǐng)域也在不斷發(fā)展。在這個(gè)領(lǐng)域中，氮化鎵（GaN）作為一種新型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，正逐漸被廣泛應(yīng)用在各種電力電子器件中，其中最重要的就是充電器。
2023-10-24 16:17:45246 常見(jiàn)的復(fù)位電路有RC復(fù)位電路，和用ic復(fù)位電路，這兩種復(fù)位電路有什么區(qū)別，分別應(yīng)用在哪里？
2023-10-24 06:51:34
低功耗單片機(jī)，怎么仿真
2023-10-20 06:32:01
隨著科技的不斷發(fā)展，電風(fēng)扇在我們的生活中扮演了越來(lái)越重要的角色。無(wú)論是炎炎夏日還是熱帶雨林，電風(fēng)扇都能為我們帶來(lái)清涼舒適的感覺(jué)。近年來(lái)，傾倒開(kāi)關(guān)的應(yīng)用在電風(fēng)扇的設(shè)計(jì)中越來(lái)越常見(jiàn)，那么，傾倒開(kāi)關(guān)應(yīng)用在電風(fēng)扇上有哪些優(yōu)勢(shì)呢？
2023-10-18 14:59:41252 
低功耗設(shè)計(jì)是當(dāng)下的需要！這篇文章：低功耗設(shè)計(jì)方法論的必要性讓我們深入了解了現(xiàn)代設(shè)計(jì)的意圖和對(duì)功耗感知的需求。在低功耗方法標(biāo)簽下的時(shí)鐘門(mén)控和電源門(mén)控的后續(xù)文章中，討論了一些SoC低功耗設(shè)計(jì)的方法。在這篇文章中，我們將考慮一個(gè)這樣的低功耗設(shè)計(jì)的FSM，可以推廣到任何低功耗時(shí)序電路的設(shè)計(jì)。
2023-10-17 10:41:13309 
求助sharp lz9gh236一般應(yīng)用在哪個(gè)方面上
2023-10-17 07:11:42
開(kāi)關(guān)模式電源（Switch Mode Power Supply，簡(jiǎn)稱SMPS），又稱交換式電源、開(kāi)關(guān)變換器，是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置，是電源供應(yīng)器的一種。
2023-10-11 09:49:18238 為什么高斯濾波廣泛的應(yīng)用在圖像處理中
2023-10-09 06:31:45
全球氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商GaN Systems 今推出全新第四代氮化鎵平臺(tái) (Gen 4 GaN Power Platform)，不僅在能源效率及尺寸上確立新的標(biāo)竿，更提供顯著的性能表現(xiàn)優(yōu)化及業(yè)界領(lǐng)先的質(zhì)量因子 (figures of merit)。
2023-10-08 17:22:52262 NB-IoT的低功耗是怎么實(shí)現(xiàn)的
2023-10-07 07:05:52
重點(diǎn)摘要 GaN Systems第四代氮化鎵平臺(tái) (Gen 4 GaN Platform) 幫助全球客戶在能源效率及尺寸微縮上突破瓶頸。 以業(yè)界領(lǐng)先的質(zhì)量因子 (figures of merit
2023-09-28 09:28:32253 干貨 | 氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)策略概要
2023-09-27 16:13:56484 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TouchGFX圖形應(yīng)用在亮屏?xí)r的低功耗實(shí)現(xiàn).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-20 11:26:551 目前傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體器件的性能已逐漸接近其理論極限， 即使采用最新的硅器件和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)?，效率在開(kāi)關(guān)頻率超過(guò) 250 kHz 時(shí)也會(huì)受到影響。 而增強(qiáng)型氮化鎵晶體管 GaN HEMT（gallium
2023-09-18 07:27:50
氮化鎵（GaN）- 寬帶隙（WBG）材料? GaN HEMT-高電子遷移率晶體管，代表著電力電子技術(shù)的重大進(jìn)步? 用于更高的工作頻率? 提高效率? 與硅基晶體管相比，功率密度更高
2023-09-07 07:43:51
氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料
?氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，是研制微電子器件、光電子器件的新型材料
2023-09-04 10:16:40541 
2000 年代初就已開(kāi)始，但 GaN 晶體管仍處于起步階段。 毫無(wú)疑問(wèn)，它們將在未來(lái)十年內(nèi)取代功率應(yīng)用中的硅晶體管，但距離用于數(shù)據(jù)處理應(yīng)用還很遠(yuǎn)。
Keep Tops氮化鎵有什么好處？
氮化鎵的出現(xiàn)
2023-08-21 17:06:18
安全光幕和安全光柵的區(qū)別是什么呢？主要應(yīng)用在什么行業(yè)？
2023-06-29 09:55:26458 
PHY6222
超低功耗藍(lán)牙芯片
是一款低功耗藍(lán)牙芯片，主要應(yīng)用在數(shù)據(jù)傳輸?shù)漠a(chǎn)品領(lǐng)域。例如，車載藍(lán)牙、手環(huán)、醫(yī)療、藍(lán)牙鎖、藍(lán)牙自拍桿、藍(lán)牙健身器材等等。處理器為32位的ARM Cortex M0
2023-06-27 17:30:17
一般低功耗，是如何體現(xiàn)的呢?
2023-06-26 08:13:11
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應(yīng)用中取得硅器件無(wú)法實(shí)現(xiàn)的性能。那么，為什么關(guān)于氮化鎵半導(dǎo)體仍然有如此多的誤解？事實(shí)又是怎樣的呢？
關(guān)于氮化鎵技術(shù)
2023-06-25 14:17:47
的性能已接近理論極限[1-2]，而且市場(chǎng)對(duì)更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優(yōu)越特性，可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開(kāi)關(guān)性能，有助消除死區(qū)時(shí)間且增加PWM頻率，從而
2023-06-25 13:58:54
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
GaN功率半導(dǎo)體帶來(lái)AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
功率，降額使用。
PI官方的資料顯示，INN3378C屬于InnoSwitch3-Pro家族，它采用了PI獨(dú)家的PowiGaN技術(shù)，也就是內(nèi)置了GaN氮化鎵功率器件，相比傳統(tǒng)MOSFET可以輸出更大
2023-06-16 14:05:50
電機(jī)逆變器功率開(kāi)關(guān)的比較電機(jī)逆變器:三相拓?fù)?IGBT:行業(yè)“主力”開(kāi)關(guān)速度慢，損耗低?MOSFET:更快的開(kāi)關(guān)，更好?氮化鎵:幾乎沒(méi)有開(kāi)關(guān)損耗
2023-06-16 11:31:56
納維半導(dǎo)體?氮化鎵功率集成電路的性能影響?氮化鎵電源集成電路的可靠性影響?應(yīng)用示例：高密度手機(jī)充電器?應(yīng)用實(shí)例：高性能電機(jī)驅(qū)動(dòng)器?應(yīng)用示例；高功率開(kāi)關(guān)電源?結(jié)論
2023-06-16 10:09:51
通過(guò)SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來(lái)所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說(shuō)氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
，以及基于硅的 “偏轉(zhuǎn)晶體管 “屏幕產(chǎn)品的消亡。
因此，氮化鎵是我們?cè)陔娨?、手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術(shù)。在光子學(xué)方面，氮化鎵還被用于藍(lán)光激光技術(shù)（最明顯
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來(lái)的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
氮化鎵為單開(kāi)關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來(lái)了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢(shì)。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開(kāi)關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
，是氮化鎵功率芯片發(fā)展的關(guān)鍵人物。
首席技術(shù)官 Dan Kinzer在他長(zhǎng)達(dá) 30 年的職業(yè)生涯中，長(zhǎng)期擔(dān)任副總裁及更高級(jí)別的管理職位，并領(lǐng)導(dǎo)研發(fā)工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個(gè)氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
隨著物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的不斷發(fā)展，超低功耗MCU已經(jīng)成為了物聯(lián)網(wǎng)方案中主要的芯片處理技術(shù)。超低功耗MCU具有眾多的優(yōu)點(diǎn)，其中一大所用就是能夠大大提高物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的續(xù)航能力，保證設(shè)備在長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)不掉電不斷電。那么
2023-06-13 18:18:17
對(duì)于 GaN，中文名氮化鎵，我們實(shí)在是聽(tīng)得太多了。
2023-06-12 10:17:171813 
氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體器件，憑借其優(yōu)異的性能，在PD快充領(lǐng)域被廣泛使用。
2023-06-02 16:41:13330 
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵（以下簡(jiǎn)稱“GaN”）功率開(kāi)關(guān)。之前我們簡(jiǎn)單介紹過(guò)[氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)
2023-05-17 10:19:13832 
想必各位ICer們?cè)谡衅窲D上專門(mén)看到低功耗設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)的要求，什么是低功耗設(shè)計(jì)呢？對(duì)于后端工程 師來(lái)講，在物理實(shí)現(xiàn)方面就是引入多條電源線
2023-05-15 11:42:52687 
有可以進(jìn)行mesh組網(wǎng)的低功耗藍(lán)牙模塊么？這種低功耗藍(lán)牙模塊組網(wǎng)支持多少個(gè)節(jié)點(diǎn)？是低功耗藍(lán)牙模塊BLE
2023-05-09 17:16:05
低功耗系列模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片ADC?ADX1xx系列主要應(yīng)用于對(duì)直流或低速信號(hào)的高精度檢測(cè)場(chǎng)合，可以實(shí)現(xiàn)電池的電壓/電流檢測(cè)、溫度或壓力信號(hào)的采集并應(yīng)用在對(duì)功耗要求較高的手持類產(chǎn)品中。具有低功耗、高集成度、小體積、高精度、低成本等優(yōu)勢(shì)。
2023-04-27 17:36:02653 GaN/氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料經(jīng)常被用在PD快充里面；氮化鎵（GaN）擁有極高的穩(wěn)定性，將GaN用于充電器的整流管后，能降低開(kāi)關(guān)損耗和驅(qū)動(dòng)損耗，提升開(kāi)關(guān)頻率，附帶地降低廢熱的產(chǎn)生，進(jìn)而減小元器件的體積同時(shí)能提高效率。
2023-04-27 09:44:45173 
由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢(shì)，GaN 充電器的運(yùn)行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領(lǐng)域主要優(yōu)勢(shì)在于高效率、低損耗與高頻率，GaN 材料的這一特性令其在充電器行業(yè)大放異彩。
2023-04-25 15:08:212335 
1A2C-65W氮化鎵（GaN）快充方案，快充方案支持90~264V寬輸入電壓，輸出支持5V/3A，9V/3A，12V/3A，15V/3A，20V/3.25A，內(nèi)置MGZ31N65-650V氮化鎵開(kāi)關(guān)管；采用PD3.0協(xié)議IC。
2023-04-07 09:37:16570 NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵（以下簡(jiǎn)稱“GaN”）功率開(kāi)關(guān)。之前我們簡(jiǎn)單介紹過(guò)氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)
2023-04-03 11:12:17553 
，可直接用于驅(qū)動(dòng)氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開(kāi)啟模式，同時(shí)集成頻率抖動(dòng)功能以優(yōu)化 EMI 性能；當(dāng)負(fù)載降低時(shí)，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優(yōu)化輕載效率，空載待機(jī)功耗
2023-03-28 10:31:57
電壓，可直接用于驅(qū)動(dòng)氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開(kāi)啟模式，同時(shí)集成頻率抖動(dòng)功能以優(yōu)化 EMI 性能；當(dāng)負(fù)載降低時(shí)，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優(yōu)化輕載效率，空載待機(jī)
2023-03-28 10:24:46
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵（以下簡(jiǎn)稱“GaN”）功率開(kāi)關(guān)。之前我們簡(jiǎn)單介紹過(guò)氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)
2023-03-27 09:42:371332 
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