硅片切割是太陽(yáng)能光伏電池制造工藝中的關(guān)鍵部分。該工藝用于處理單晶硅或者多晶硅的固體硅錠。線鋸首先把硅錠切成方塊，然后切成很薄的硅片。(圖1)這些硅片就是制造
2010-09-10 11:53:43
10339 在本研究中，我們?cè)O(shè)計(jì)了一個(gè)150mm晶片的濕蝕刻槽來(lái)防止硅片的背面蝕刻，并演示了優(yōu)化的工藝配方，使各向異性濕蝕刻的背面沒(méi)有任何損傷，我們還提出了300mm晶圓處理用濕浴槽的設(shè)計(jì)，作為一種很有前途的工藝發(fā)展。
2022-03-28 11:01:491943 
硅片在大口徑化的同時(shí)，要求規(guī)格的嚴(yán)格化迅速發(fā)展。特別是由于平坦度要求變得極其嚴(yán)格，因此超精密磨削技術(shù)得以開(kāi)發(fā)，實(shí)現(xiàn)了無(wú)蝕刻化，無(wú)拋光化。雖然在單晶SiC晶片上晶片磨削技術(shù)的開(kāi)發(fā)也在進(jìn)行，但在包括成本
2022-04-15 14:54:491392 
半導(dǎo)體硅片是制造芯片的載體，因原材料為硅，又稱為硅晶片。規(guī)劃和無(wú)經(jīng)理硅提煉、提純、單晶硅生產(chǎn)、晶圓成型等工藝后，才能進(jìn)入芯片單路蝕刻等后續(xù)環(huán)節(jié)，是制造芯片的最重要的前置工藝。該概念主要包含：研發(fā)
2022-12-12 14:08:217823 
10月26日上午，省重點(diǎn)項(xiàng)目——鄭州合晶硅材料有限公司年產(chǎn)240萬(wàn)片200毫米單晶硅拋光片項(xiàng)目在鄭州航空港經(jīng)濟(jì)綜合實(shí)驗(yàn)區(qū)投產(chǎn)，這是我省首個(gè)單晶硅片生產(chǎn)項(xiàng)目。
2018-10-29 11:36:331716 萬(wàn)股，占公司發(fā)行后總股本的比例不低于10%且不超過(guò)25%，募集50億元資金，用于宜賓25GW單晶硅棒及5GW單晶硅片生產(chǎn)建設(shè)項(xiàng)目等。 ? 高景太陽(yáng)能是一家專(zhuān)注于光伏硅片的企業(yè)，主營(yíng)業(yè)務(wù)為光伏單晶硅棒、單晶硅片的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，主要產(chǎn)品包括182mm、210mm等
2023-06-16 00:15:002393 
156單晶硅不同擴(kuò)散方阻下的功率對(duì)比
2012-08-06 11:00:48
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:48 編輯
單晶硅太陽(yáng)能電池詳細(xì)工藝
2012-08-06 11:49:37
到一塊玻璃板上。4.[IC制造] IC制造是指在單晶硅片上制作集成電路芯片，其流程主要有蝕刻、氧化、擴(kuò)散/離子植入、化學(xué)氣相沉積薄膜和金屬濺鍍。擁有上述功能的公司一般被稱為晶圓代工廠。5.[IC測(cè)試
2019-01-02 16:28:35
各位大俠，小女子在做半導(dǎo)體退火的工藝，不知道哪位做過(guò)有n型單晶硅退火？具體參數(shù)是什么？任何經(jīng)驗(yàn)都可以提，請(qǐng)照顧一下新手，謝謝！:handshake
2011-03-01 09:37:32
各位大神，請(qǐng)問(wèn)哪位做過(guò)，用n型高阻單晶硅做歐姆接觸的實(shí)驗(yàn)的？可以詳細(xì)地講講如何實(shí)現(xiàn)良好的歐姆接觸的嗎？比如用了什么金屬，需要鍍膜嗎？退火的時(shí)候需要什么樣的氣體，多少溫度，多長(zhǎng)時(shí)間？還有其他需要注意的條件？小女子在此表示感謝~
2011-03-02 10:53:41
各位大神，請(qǐng)問(wèn)哪位做過(guò)，用n型高阻單晶硅做歐姆接觸的實(shí)驗(yàn)的？可以詳細(xì)地講講如何實(shí)現(xiàn)良好的歐姆接觸的嗎？比如用了什么金屬，需要鍍膜嗎？退火的時(shí)候需要什么樣的氣體，多少溫度，多長(zhǎng)時(shí)間？還有其他需要注意的條件？小女子在此表示感謝~
2011-03-08 10:43:08
各位大蝦，請(qǐng)問(wèn)哪位做過(guò)，用n型高阻單晶硅做歐姆接觸的實(shí)驗(yàn)的？可以詳細(xì)地講講如何實(shí)現(xiàn)良好的歐姆接觸的嗎？比如用了什么金屬，需要鍍膜嗎？退火的時(shí)候需要什么樣的氣體，多少溫度，多長(zhǎng)時(shí)間？還有其他需要注意的條件？小女子在此表示感謝~
2011-03-15 12:25:03
青海堿業(yè)有限公司煅燒車(chē)間從2013年開(kāi)始使用YR-ER101單晶硅差壓變送器，選用該系列變送器是看中昌暉單晶硅變送器的高穩(wěn)定性、低溫度漂移和高精度性能。因現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用環(huán)境惡劣，強(qiáng)腐蝕和強(qiáng)電磁干擾對(duì)任何
2018-02-25 21:56:50
***求購(gòu)廢硅片、碎硅片、廢晶圓、IC藍(lán)膜片、頭尾料 大量收購(gòu)單晶硅~多晶硅各種廢硅片，頭尾料，邊皮料，IC碎硅片，...
2010-10-31 14:01:11
18914951168求購(gòu)廢硅片、碎硅片、廢晶圓、IC藍(lán)膜片、頭尾料 大量收購(gòu)單晶硅~多晶硅各種廢硅片，頭尾料，邊皮料，IC碎硅片，...
2010-10-31 14:00:00
TEL:***回收拋光片、光刻片、晶圓片碎片、小方片、牙簽料、藍(lán)膜片回收晶圓片硅片回收/廢硅片回收/單晶硅片回收/多晶硅片回收/回收太陽(yáng)能電池片/半導(dǎo)休硅片回收
2011-04-15 18:24:29
廠家求購(gòu)廢硅片、碎硅片、廢晶圓、IC藍(lán)膜片、頭尾料 大量收購(gòu)單晶硅~多晶硅各種廢硅片，頭尾料，邊皮料，IC碎硅片，...
2010-10-31 13:58:27
顆粒（如三星，現(xiàn)代，美光，力晶，爾必達(dá)等）有長(zhǎng)期供貨能力（這方面渠道的）請(qǐng)與我公司聯(lián)系采購(gòu)各類(lèi)半導(dǎo)體報(bào)廢晶圓片,IC晶圓、IC硅片、IC裸片、IC級(jí)單晶硅片、單晶硅IC小顆粒、IC級(jí)白/藍(lán)膜片、蕓膜片
2020-12-29 08:27:02
的升高，使硅材料的抗拉強(qiáng)度顯著下降，也影響了單晶硅的組織結(jié)構(gòu)，增加了磨削區(qū)域殘余的熱應(yīng)力，且溫度的升高，降低了磨輪金剛砂粒的硬度，也使磨粒與磨削材料之間產(chǎn)生擴(kuò)散磨損和粘接磨損，使磨粒迅速鈍化，降低了磨
2019-09-17 16:41:44
我對(duì)工藝不是很懂，在氧化層上直接淀積的話是不是非晶硅？如果要單晶硅的話應(yīng)該怎么做？（有個(gè)思路也可以）
2011-06-23 11:06:36
QGM600-8XB 單晶硅棒切方滾磨機(jī)床是在硅單晶棒數(shù)控滾磨機(jī)上開(kāi)發(fā)而成，單晶棒數(shù)控滾磨機(jī)床是我公司獨(dú)立開(kāi)發(fā)研制的。該產(chǎn)品全部替代了日本滾磨機(jī)床，國(guó)內(nèi)很多企業(yè)需單晶硅棒
2009-12-20 09:25:37
42 太陽(yáng)能蓄電池與光照時(shí)間的關(guān)系
例如:有一塊單晶硅電池的組件,最大的輸出功率Pm(額定功率)為25W,峰值電壓(額定電壓)Ump為17.2V,峰值電流(額定電流)為1.45A,開(kāi)路電壓為
2010-10-25 16:15:2822 單晶硅與多晶硅的區(qū)別
單晶硅和多晶硅的區(qū)別是，當(dāng)熔融的單質(zhì)硅凝固時(shí),硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些
2009-03-04 15:13:584212 什么是單晶硅
可以用于二極管級(jí)、整流器件級(jí)、電路級(jí)以及太陽(yáng)能電池級(jí)單晶產(chǎn)品的生產(chǎn)和深加工制造，其后續(xù)產(chǎn)品集成電
2009-03-04 15:14:503428 什么是單晶硅
單晶硅英文名稱：Monocrystalline silicon
分
2009-04-08 17:17:458935 單晶硅電池生產(chǎn)工藝流程詳細(xì)介紹
2009-11-04 09:17:371994
單晶硅太陽(yáng)能電池
硅系列太陽(yáng)能電池中，單晶硅大陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率最高，技術(shù)也最為
2009-11-07 16:18:322206 單晶硅太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率達(dá)到23.4％
德國(guó)弗勞恩霍夫太陽(yáng)能系統(tǒng)研究所（Fraunhofer ISE）宣布，該機(jī)構(gòu)研制的以n型半導(dǎo)體為底板，然后在其上面
2010-01-13 09:16:136410 基于嵌入式Linux的晶體生長(zhǎng)控徑系統(tǒng)的研究
1 引言
隨著單晶硅片制造向大直徑化發(fā)展，直拉法單晶硅生長(zhǎng)技術(shù)在單晶硅制造中逐漸顯出其主導(dǎo)地位。為使
2010-03-12 11:14:29435 
1）區(qū)域熔煉法 以高純多晶硅為原料，制成棒狀，并將多晶硅棒垂直固定，在多晶硅棒的下端放置具有一定晶相的單晶硅
2010-07-18 11:22:116552 1、根據(jù)合同要求，驗(yàn)收單晶硅電池片的功率及等級(jí)，例如125的A級(jí)，就只要A1的，功率為2.57~2.7，再此時(shí)得問(wèn)清楚電池片的功率是正公差還是負(fù)公差，選用正公差的。
2010-08-30 12:00:021105 單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無(wú)定形硅，然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長(zhǎng)出棒狀單晶硅。熔融的單質(zhì)硅在凝固時(shí)硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長(zhǎng)成
2011-06-23 10:43:22149 156單晶硅不同方阻的功率對(duì)比 1、方阻越大，擴(kuò)散方阻的偏差就越大，特別是在溫區(qū)四和五的位置(爐尾)比較明顯。 2、平均功率最高的為方阻50-55，主要體現(xiàn)在50-55的方阻制成的電池片開(kāi)
2012-05-11 14:36:369 國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的準(zhǔn)單晶硅片生產(chǎn)商鳳凰光伏近日完成了新一代G6（Generation6）準(zhǔn)單晶硅片的試生產(chǎn)，并且鳳凰光伏計(jì)劃在今年6月份德國(guó)INTERSOLAR展會(huì)期間開(kāi)始全面推廣。
2012-05-21 14:08:47975 晶體硅中的雜質(zhì)或缺陷會(huì)顯著地影響各種硅基器件的性能。用常規(guī)化學(xué)腐蝕法顯示出單晶硅中的缺陷，觀察典型的位錯(cuò)。通過(guò)實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)缺陷分布的一般規(guī)律：中間尺寸大，密度小，邊緣
2012-06-06 15:33:207828 
單晶硅和多晶硅的區(qū)別是，當(dāng)熔融的單質(zhì)硅凝固時(shí)，硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長(zhǎng)成晶面取向相同的晶粒，則形成單晶硅。如果這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的
2012-10-19 17:23:4410035 根據(jù)硅片厚度的不同，可分為晶體硅太陽(yáng)能電池和薄膜硅太陽(yáng)能電池兩大類(lèi)。本文主要論述以下幾種硅基太陽(yáng)能電池的基本原理：單晶硅太陽(yáng)能電池，多晶硅太陽(yáng)能電池，多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池，非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池，微晶硅薄膜太陽(yáng)能電池。
2017-05-09 15:58:2622311 
單晶硅太陽(yáng)電池鋁背場(chǎng)的歐姆接觸影響其輸出特性，采用新的工藝技術(shù)降低電池的串聯(lián)電阻勢(shì)在必行。隨著電池襯底厚度變得越來(lái)越薄，傳統(tǒng)的絲網(wǎng)印刷工藝使鋁背場(chǎng)難以繼續(xù)發(fā)揮其優(yōu)勢(shì)，探索硅片特征參量與鋁背場(chǎng)特性之間
2017-09-24 10:54:241 硅的材料性能 純凈的單晶硅具有灰色金屬光澤 ，硬而脆，是典型金 剛石結(jié)構(gòu) 的半導(dǎo) 體 ，經(jīng)拋光后 表面光亮如鏡 。硅的熔 點(diǎn)為 1420℃，常溫下硅 的化學(xué)性 質(zhì)穩(wěn)定 ，升 溫時(shí)，很容易
2017-09-28 16:31:3713 單晶硅晶片及單晶硅的制造方法 本發(fā)明的單晶硅晶片及單晶硅的制造方法，是屬于切克勞斯基法（CZ法）生長(zhǎng)單晶硅晶片，其特征為：對(duì)全部晶片進(jìn)行熱氧化處理時(shí)，在環(huán)狀發(fā)生OSF的外側(cè)的N區(qū)域，不存在通過(guò)Cu
2017-09-28 16:35:3018 在單晶硅太陽(yáng)電池的制備過(guò)程中 ，通常利用晶體硅［ 100 ］和［ 111 ］不同晶向在堿溶液中各向異性腐蝕特性 ，在表面形成類(lèi)似于金字塔的絨面結(jié)構(gòu) ，使得入射光在硅片表面多次反射 ，提高入射光
2017-09-30 10:49:528 對(duì)NTD氫區(qū)熔單晶硅進(jìn)行了不同溫度下等時(shí)退火，采用Hall 電學(xué)方法測(cè)量了電阻率、遷移率隨退火溫度的變化規(guī)律。利用紅外吸收技術(shù)測(cè)量了單晶硅氫區(qū)熔退火前后及NTD氫區(qū)熔單晶硅不同退火溫度下與氫、輻照
2017-10-17 15:43:4211 加工流程; 單晶生長(zhǎng)一切斷一外徑滾磨一平邊或V 型槽處理一切片一倒角一研磨一腐蝕一拋光一清洗一包裝 切斷： 目的是切除單晶硅棒的頭部、尾部及超出客戶規(guī)格的部分，將單晶硅棒分段成切片設(shè)備可以處理的長(zhǎng)度，切取試片測(cè)量單晶硅棒的電阻率含氧量。 切斷的設(shè)備： 內(nèi)園切割機(jī)或外園切割機(jī) 切斷用主要進(jìn)口材料： 刀片
2017-10-20 14:38:3422 利用閃光式電池測(cè)試儀在不同溫度和光強(qiáng)條件對(duì)單晶硅太陽(yáng)電池進(jìn)行了測(cè)試。研究發(fā)現(xiàn)。當(dāng)溫度在25~65 C時(shí)，單晶硅太陽(yáng)電池光照特性的主要參數(shù)隨著溫度呈線性變化。隨著溫度的升高，短路電流有小幅度上升，填充
2017-10-21 11:04:4312 一、多晶硅電池與單晶硅電池的比較 多晶硅太陽(yáng)電池與單晶硅太陽(yáng)電池相比有如下特點(diǎn)： （1）比起單晶硅，多晶硅硅片更適合用純度相對(duì)較低的原材料，且有更大的裝填量，目前常見(jiàn)的多晶硅錠達(dá)到 250~270
2017-11-13 14:49:0721 單晶硅作為晶體材料的重要組成部分，目前已經(jīng)得到廣泛的運(yùn)用。本文主要介紹了單晶硅的相關(guān)概念以及全球單晶硅生產(chǎn)商排名狀況。
2017-12-18 17:55:3852310 研究人員最近展示了使用單晶硅對(duì)可見(jiàn)光進(jìn)行精確的顏色控制，該研究成果發(fā)表在納米快報(bào)上。
2018-02-09 14:20:555076 寧夏銀和半導(dǎo)體科技有限公司8英寸半導(dǎo)體硅片項(xiàng)目進(jìn)入設(shè)備裝配期，8英寸半導(dǎo)體級(jí)單晶硅片將于6月份試生產(chǎn)。
2018-04-21 16:44:002095 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體材料與集成電路基礎(chǔ)教程之單晶硅生長(zhǎng)及硅片制備技術(shù)。
2018-11-19 08:00:0021 單晶硅是一種比較活潑的非金屬元素，是晶體材料的重要組成部分，處于新材料發(fā)展的前沿。其主要用途是用作半導(dǎo)體材料和利用太陽(yáng)能光伏發(fā)電、供熱等。由于太陽(yáng)能具有清潔、環(huán)保、方便等諸多優(yōu)勢(shì)，近三十年來(lái)，太陽(yáng)能利用技術(shù)在研究開(kāi)發(fā)、商業(yè)化生產(chǎn)、市場(chǎng)開(kāi)拓方面都獲得了長(zhǎng)足發(fā)展，成為世界快速、穩(wěn)定發(fā)展的新興產(chǎn)業(yè)之一。
2019-02-22 09:01:2311879 研磨：指通過(guò)研磨除去切片和輪磨所造成的鋸痕及表面損傷層，有效改善單晶硅片的翹曲度、平坦度與平行度，達(dá)到一個(gè)拋光過(guò)程可以處理的規(guī)格。
2019-03-06 11:30:4422995 
單晶硅具有兩種同晶，結(jié)晶和無(wú)定形。晶體硅進(jìn)一步分為單晶硅和多晶硅，兩者都具有金剛石晶格。該晶體硬且脆，具有金屬光澤，并且是導(dǎo)電的，但導(dǎo)電性不如金屬，并且隨溫度增加，并且具有半導(dǎo)體特性。
2019-04-11 13:53:31175542 單晶硅光伏組件是以高純的單晶硅棒為原料的太陽(yáng)能電池板，目前廣泛的應(yīng)用于光伏市場(chǎng)中。單晶硅光伏組件光電轉(zhuǎn)換率較高，在弱光條件下表現(xiàn)比同類(lèi)產(chǎn)品更好。多晶硅光伏組件是由多晶太陽(yáng)能電池片按照不同的串、并陣列排列而構(gòu)成的。多晶硅光伏組件性價(jià)比較高，交大光谷的多晶硅光伏組件的發(fā)電效率通常在17%左右。
2019-04-11 13:55:5063230 單晶硅也稱硅單晶，是電子信息材料中最基礎(chǔ)性材料，屬半導(dǎo)體材料類(lèi)。單晶硅主要用于半導(dǎo)體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽(yáng)能電池。
2019-06-24 14:46:3118951 
24張PPT解讀半導(dǎo)體單晶硅生長(zhǎng)及硅片制備技術(shù)
2019-07-26 18:03:447055 3月25日，隆基發(fā)布單晶硅片價(jià)格公示，單晶硅片P型M6 180μm厚度價(jià)格為3.41元，較上個(gè)月下降0.06元/片。這是隆基11個(gè)月以來(lái)166單晶硅片首次降價(jià)。
2020-03-26 11:02:411585 
不足10日，隆基相繼兩次下調(diào)單晶硅片價(jià)格。為行業(yè)傳遞了什么信號(hào)？
2020-04-18 10:07:01799 
芯片的制作首先要從沙子中高溫萃取單晶硅然后切成薄片，在薄片上涂一層光刻膠，光刻膠是一種在光的照射下能從不溶于水變成溶于水的感光材料。沖洗掉溶于水的部分，便可以通過(guò)蝕刻在單晶硅上留下密密麻麻的刻痕
2020-09-04 16:22:202946 光伏硅片：由于光電效應(yīng)，且單晶硅優(yōu)勢(shì)明顯，所以人們使用硅片完成太陽(yáng)能到電能的轉(zhuǎn)換。在光伏領(lǐng)域使用的一般為圓角方形的單晶硅電池片。價(jià)格較便宜的電多晶硅片也有使用，但轉(zhuǎn)換效率較低。
2020-09-14 10:17:1646022 隨著單晶硅片制造向大直徑化發(fā)展，直拉法單晶硅生長(zhǎng)技術(shù)在單晶硅制造中逐漸顯出其主導(dǎo)地位。為使結(jié)晶過(guò)程更加穩(wěn)定和實(shí)用有效，則需提高對(duì)工藝參數(shù)的控制精度，基于CCD攝像掃描識(shí)別技術(shù)的單晶硅等徑生長(zhǎng)速度控制技術(shù)得到業(yè)界的重視。
2020-10-04 17:57:001804 
10月26日，隆基在官網(wǎng)發(fā)布單晶硅片價(jià)格，與隆基上月宣布的P型M10、P型M6以及P型158．75價(jià)格相比，這次價(jià)格沒(méi)有任何變動(dòng)。 自8月初以來(lái)，單晶硅片價(jià)格維持三個(gè)月平穩(wěn)狀態(tài)。 8月25
2020-10-27 11:33:111723 電子發(fā)燒友為你提供區(qū)分單晶硅和多晶硅電池板的方法免費(fèi)下載
2020-11-24 18:30:4019 11月19日晚間，中環(huán)股份發(fā)布公告稱，中環(huán)股份子公司環(huán)歐國(guó)際與天合光能簽訂單晶硅片銷(xiāo)售框架合同，該公司在2021年度向天合光能銷(xiāo)售210尺寸單晶硅片（下稱“G12硅片”）合計(jì)數(shù)量不少于12億片，合同交易總額以最終成交金額為準(zhǔn)。
2020-11-20 11:04:131791 近日，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體分立器件用硅單晶材料供應(yīng)商中晶科技的IPO首發(fā)申請(qǐng)，已獲證監(jiān)會(huì)法定程序核準(zhǔn)，中晶科技及其承銷(xiāo)商與交易所協(xié)商確定發(fā)行日程，不日將在深交所中小板正式掛牌上市。
2020-12-10 09:35:154204 近日，記者從云南省工業(yè)和信息化廳了解到，近年來(lái)云南著力推動(dòng)產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)優(yōu)化調(diào)整，產(chǎn)業(yè)集聚態(tài)勢(shì)逐步顯現(xiàn)，目前云南省已形成30萬(wàn)噸單晶硅拉制和41吉瓦切片生產(chǎn)能力，今年前10個(gè)月已生產(chǎn)單晶硅12萬(wàn)噸，云南已經(jīng)成為全球最大的綠色單晶硅光伏材料生產(chǎn)基地，并正在成為全球最大的綠色硅材加工一體化制造基地。
2020-12-23 17:02:352011 單晶硅具有基本完整的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的晶體。不同的方向具有不同的性質(zhì)，是一種良好的半導(dǎo)材料。純度要求達(dá)到99.9999%，甚至達(dá)到99.9999999%以上。用于制造半導(dǎo)體器件、太陽(yáng)能電池等。用高純度的多晶硅在單晶爐內(nèi)拉制而成。
2021-02-24 15:56:2026179 書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：單晶的濕法蝕刻和紅外吸收 編號(hào)：JFKJ-21-206 作者：炬豐科技 摘要 采用濕法腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法生長(zhǎng)AlN單晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00118 單晶硅的各向異性蝕刻是硅器件和微結(jié)構(gòu)加工中經(jīng)常使用的技術(shù)。已經(jīng)制造的三角形和矩形凹槽、棱錐體、薄膜和微孔，它們?cè)谄骷杏泻艽蟮膽?yīng)用。
2021-12-17 15:26:07857 
半導(dǎo)體行業(yè)需要具有超成品表面和無(wú)損傷地下的硅晶片。因此，了解單晶硅在表面處理過(guò)程中的變形機(jī)制一直是研究重點(diǎn)。
2021-12-22 17:35:40724 
摘要 采用濕法腐蝕、x射線衍射(XRD)和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法(PVT)生長(zhǎng)AlN(0001)單晶的缺陷和晶格完善性。 一個(gè)正六邊形的蝕刻坑密度(EPD)約為4000厘米在AlN
2022-03-14 14:40:34286 
本文研究了用金剛石線鋸切和標(biāo)準(zhǔn)漿料鋸切制成的180微米厚5英寸半寬直拉單晶硅片與蝕刻時(shí)間的關(guān)系，目的是確定FAS晶片損傷蝕刻期間蝕刻速率降低的根本原因，無(wú)論是與表面結(jié)構(gòu)相關(guān)，缺陷相關(guān)，由于表面存在的氧化層，還是由于有機(jī)殘差。
2022-03-16 13:08:09619 
在本文章中，研究了球形試樣的尺寸參數(shù)，以確定哪種尺寸允許可靠地測(cè)量各向異性蝕刻中的方向依賴性，然后進(jìn)行了一系列的實(shí)驗(yàn)，測(cè)量了所有方向的蝕刻速率。這導(dǎo)致建立了一個(gè)涵蓋廣泛的氫氧化鉀蝕刻條件范圍的蝕刻
2022-03-22 16:15:00411 
為了形成膜結(jié)構(gòu)，單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進(jìn)行了各向異性蝕刻，觀察到蝕刻速率強(qiáng)烈依賴于蝕刻劑溫度和濃度，用于蝕刻實(shí)驗(yàn)的掩模圖案在硅晶片的主平面上傾斜45°。根據(jù)圖案方向和蝕刻劑濃度
2022-03-25 13:26:342503 
，并添加化學(xué)物質(zhì)來(lái)調(diào)整粘度和單晶圓旋轉(zhuǎn)加工的表面潤(rùn)濕性。 當(dāng)硅被蝕刻并并入蝕刻溶液時(shí)，蝕刻速率將隨時(shí)間而降低。 這種變化已經(jīng)建模。 這些模型可以延長(zhǎng)時(shí)間，補(bǔ)充化學(xué)物質(zhì)，或者兩者兼而有之。
2022-04-07 14:46:33751 
用氟化氫-氯化氫-氯氣混合物進(jìn)行各向異性酸性蝕刻是一種有效的方法 單晶硅晶片紋理化的替代方法 在晶片表面形成倒金字塔結(jié)構(gòu)[1，2]形貌取決于以下成分 蝕刻混合物[3]硅在HF-HCl[1]Cl2
2022-04-12 14:10:22361 
本研究根據(jù)蝕刻條件的變化，對(duì)蝕刻特性——蝕刻率和蝕刻系數(shù)進(jìn)行了球面分析，并使用速度、液滴大小、沖擊力(PDA)系統(tǒng)分析了噴嘴、噴射壓力、線短距離、工質(zhì)物性值變化時(shí)的噴霧特性，并考察了與蝕刻特性的相互關(guān)系。
2022-04-14 14:02:00394 
我們研究了堿性刻蝕表面形貌對(duì)p型單晶硅片少數(shù)壽命的影響，在恒溫下分別使用30%和23%的氫氧化鈉和氫氧化鉀溶液，表面狀態(tài)通過(guò)計(jì)算算術(shù)平均粗糙度(Ra)和U-V-可見(jiàn)光-近紅外光學(xué)反射率來(lái)表征，而電學(xué)
2022-04-24 14:59:54441 
拋光的硅片是通過(guò)各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先，通過(guò)切片將單晶硅錠切成圓盤(pán)(晶片)，然后進(jìn)行稱為研磨的平整過(guò)程，該過(guò)程包括使用研磨漿擦洗晶片。 在先前的成形過(guò)程中引起的機(jī)械損傷通過(guò)蝕刻是本文的重點(diǎn)。在準(zhǔn)備用于器件制造之前，蝕刻之后是各種單元操作，例如拋光和清潔。
2022-04-28 16:32:37666 
為了形成膜結(jié)構(gòu)，單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進(jìn)行了各向異性蝕刻，觀察到蝕刻速率強(qiáng)烈依賴于蝕刻劑的溫度和濃度，用于蝕刻實(shí)驗(yàn)的掩模圖案在硅晶片的主平面上傾斜45°。根據(jù)圖案方向和蝕刻
2022-05-05 16:37:362656 
被認(rèn)為是一個(gè)速度源，這是我們提出的一個(gè)數(shù)學(xué)概念，也適用于位錯(cuò)和晶界，速度源的活動(dòng)取決于相關(guān)的M111N平面與掩模之間的夾角，因此在微觀機(jī)械結(jié)構(gòu)中蝕刻的薄壁相對(duì)的M111N側(cè)可以有不同的值。 在圖1a中，示出了S 100T單晶硅爐和部分覆蓋它的惰性掩
2022-05-20 17:12:59853 
半導(dǎo)體級(jí)多晶硅通過(guò)在單晶爐內(nèi)的晶體生長(zhǎng)，生成單晶硅棒，這個(gè)過(guò)程稱為晶體生長(zhǎng)。半導(dǎo)體硅片則是指由單晶硅棒切割而成的薄片。下游在硅片上進(jìn)行光刻、刻蝕、離子注入等后續(xù)加工。
2022-09-29 11:08:496749 單晶硅錠經(jīng)過(guò)切片、研磨、蝕刻、拋光、外延（如有）、鍵合（如有）、清洗等工藝步驟，制造成為半導(dǎo)體硅片。在生產(chǎn)環(huán)節(jié)中，半導(dǎo)體硅片需要盡可能地減少晶體缺陷，保持極高的平整度與表面潔凈度，以保證集成電路或半導(dǎo)體器件的可靠性。
2022-11-02 09:26:274255 半導(dǎo)體指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料，是電子產(chǎn)品的核心。在電子半導(dǎo)體器件制造中，單晶硅的氧濃度會(huì)嚴(yán)重影響單晶硅產(chǎn)品的性能，也是單晶硅生長(zhǎng)過(guò)程中較難控制的環(huán)節(jié)。因此，對(duì)硅片承載區(qū)域氧氣含量
2023-03-29 11:48:39453 FinFET三維器件也可以用體硅襯底制作，這需要更好地控制單晶硅刻蝕工藝，如CD、深度和輪廓。
2023-03-30 09:39:182459 硅片是一種薄而平整的硅材料，通常以6英寸、8英寸、12英寸等規(guī)格制造而成。
2023-05-18 10:33:472135 
過(guò)去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻，這是制造硅中微結(jié)構(gòu)的一種非常有用的技術(shù)。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過(guò)程，測(cè)量了沿多個(gè)矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數(shù)據(jù)，提出了一種預(yù)測(cè)不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618 
單晶硅光伏板和多晶硅光伏板都是太陽(yáng)能電池板的類(lèi)型，其主要區(qū)別在于材料。
單晶硅光伏板是由單個(gè)晶體制成的硅片組成。該類(lèi)型的太陽(yáng)能電池板具有較高的轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性，因此在太陽(yáng)能發(fā)電領(lǐng)域中應(yīng)用較為廣泛。但是，制造過(guò)程成本較高，價(jià)格較貴。
2023-06-08 16:04:414916 什么是單晶硅，什么是多晶硅，二者究竟是怎么形成的，單晶硅和多晶硅有什么區(qū)別，多晶矽與單晶硅的主要差異體現(xiàn)在物理性質(zhì)方面，主要包括力學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)等方面，下面具體來(lái)了解下。
2023-06-12 16:44:423981 萬(wàn)股，占公司發(fā)行后總股本的比例不低于10%且不超過(guò)25%，募集50億元資金，用于宜賓25GW單晶硅棒及5GW單晶硅片生產(chǎn)建設(shè)項(xiàng)目等。 高景太陽(yáng)能是一家專(zhuān)注于光伏硅片的企業(yè)，主營(yíng)業(yè)務(wù)為光伏單晶硅棒、單晶硅片的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，主要產(chǎn)品包括182mm、210mm等大
2023-06-16 17:35:03794 
根據(jù)太陽(yáng)能電池種類(lèi)的差異，不同太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)工藝也會(huì)有所不同，抉擇一塊電池性能的重要環(huán)節(jié)是制作太陽(yáng)能電池的清洗制絨。單晶硅太陽(yáng)能電池生產(chǎn)工藝的優(yōu)劣可判斷其在應(yīng)用過(guò)程中是否具有超高的使用價(jià)值
2023-08-19 08:36:27811 
硅太陽(yáng)能電池一般可分為單晶、多晶和非晶硅太陽(yáng)能電池，其中單晶硅電池是當(dāng)前開(kāi)發(fā)最快的一種太陽(yáng)能電池，它的構(gòu)造和生產(chǎn)工藝已經(jīng)定型，且廣泛用于空間和地面。「美能光伏」生產(chǎn)的美能四探針電阻測(cè)試儀，可以對(duì)最大
2023-08-22 08:36:291280 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《單晶硅太陽(yáng)電池的溫度和光強(qiáng)特性.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-02 11:16:370 單晶硅光伏板是一種基于單晶硅材料制造的太陽(yáng)能光電設(shè)備，常用于太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)中。單晶硅光伏板由多個(gè)單晶硅太陽(yáng)能電池片組成，每個(gè)電池片都被覆蓋在透明的防反射玻璃上，并使用鋁框架進(jìn)行支撐和保護(hù)。
2023-11-29 09:46:061005 擴(kuò)散硅、單晶硅、電容式壓力差壓變送器的區(qū)別與選擇? 擴(kuò)散硅、單晶硅和電容式壓力差壓變送器是常用于工業(yè)領(lǐng)域中測(cè)量流體壓力的儀器。它們各自具有不同的特點(diǎn)和適用場(chǎng)景。下面將詳細(xì)介紹這三種壓力變送器的區(qū)別
2024-01-30 15:06:28577 力夫就來(lái)說(shuō)說(shuō)單晶硅和擴(kuò)散硅的壓力變送器區(qū)別？ 一、傳感元件 單晶硅壓力變送器的傳感元件是單晶硅片，通過(guò)微機(jī)械加工技術(shù)制成。單晶硅片具有良好的機(jī)械性能和穩(wěn)定性，能夠承受高壓力和溫度變化，并且具有較高的精度和靈
2024-03-15 11:53:3958 
正在加载...
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論