的壞影響。 作為半導體器件制造中的雜質(zhì)，大致可以分為粒子、殘渣、金屬 、有機物。粒子會妨礙布線圖案的正常形成，引起信號開路不 良和短路不良。另外，干蝕刻生成的聚合物生成物等殘渣，如 果沒有完全除去，同樣會引起信號開路不良、短
2021-12-29 10:38:32
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、陽離子、元素和有機物質(zhì)的豐富信息。它旨在滿足晶圓制造中日益復雜的新化學工藝的半導體工藝控制和產(chǎn)量管理需求。
2022-03-08 14:06:581412 
提供了一種在單個晶片清潔系統(tǒng)中去除后處理殘留物的方法。該方法開始于向設(shè)置在襯底上方的鄰近頭提供第一加熱流體。然后，在基板的表面和鄰近頭的相對表面之間產(chǎn)生第一流體的彎液面?；逶诮咏^下方線性移動。還提供了單晶片清潔系統(tǒng)。
2022-03-22 14:11:041443 
本發(fā)明涉及一種半導體的制造。在清洗步驟后，“PIRANHA-RCA”清洗順序的“SC 1”步驟中加入了預定濃度的EDTA等絡(luò)合物形成劑，以減少殘留在硅晶片表面的金屬雜質(zhì)。
2022-04-08 13:59:221755 
多年來，半導體晶片鍵合一直是人們感興趣的課題。使用中間有機或無機粘合材料的晶片鍵合與傳統(tǒng)的晶片鍵合技術(shù)相比具有許多優(yōu)點，例如相對較低的鍵合溫度、沒有電壓或電流、與標準互補金屬氧化物半導體晶片的兼容性
2022-04-26 14:07:043113 
本文展示了一種使用連續(xù)濕法化學表面活化(即SPM→RCAl清洗)結(jié)合硅和石英玻璃晶片的鍵合方法。經(jīng)過200 ℃的多步后退火，獲得了無空洞或微裂紋的牢固結(jié)合，基于詳細的表面和鍵合界面表征，建立
2022-05-13 16:08:322356 
本發(fā)明一般涉及清洗和蝕刻硅表面的方法，以及更具體地涉及使用NF在低溫下預清洗晶片，在使用硅晶片制造半導體器件的過程中，在硅晶片的硅表面上可能會形成污染物和雜質(zhì)，如外延硅沉積或氧化物層生長，去除污染物
2022-06-29 17:06:563373 
引言 過氧化氫被認為是半導體工業(yè)的關(guān)鍵化學品。半導體材料的制備和印刷電路板的制造使用過氧化氫水溶液來清洗硅晶片、去除光刻膠或蝕刻印刷電路板上的銅。用于硅晶片表面清洗的最常用的清洗
2022-07-07 17:16:442758 
半導體制造業(yè)面臨的最大挑戰(zhàn)之一是硅的表面污染薄片。最常見的是，硅晶片僅僅因為暴露在空氣中而被污染，空氣中含有高度的有機顆粒污染物。由于強大的靜電力，這些污染物牢固地結(jié)合在硅晶片表面，給半導體制造行業(yè)帶來了許多令人頭痛的問題。
2022-07-08 17:18:503378 
在整個晶圓加工過程中，仔細維護清潔的晶圓表面對于在半導體器件制造中獲得高產(chǎn)量至關(guān)重要。因此，濕式化學清洗以去除晶片表面的污染物是任何LSI制造序列中應用最重復的處理步驟。
2023-03-30 10:00:091940 
機臺及其蝕刻方法，晶片邊緣的蝕刻機臺，適用于對具有正面及背面的晶片的邊緣進行蝕刻。 一種晶片邊緣的蝕刻機臺，適用于對具有正面及背面的晶片的邊緣進行蝕刻，而上述蝕刻機臺包括：一旋轉(zhuǎn)夾盤，具有一工作臺
2018-03-16 11:53:10
和借鑒意義，其中關(guān)于解決有機物正極材料在電解液中的溶解、導電率偏低等問題的方法也有很多可借鑒之處。作為鋰離子正極活性材料的有機化合物分子，要實現(xiàn)優(yōu)良的電化學性能，必須考慮以下三個方面的因素: ①實現(xiàn)
2015-11-17 17:12:07
我想做一個檢測儀，可以檢測出一堆廢舊（垃圾）中的金屬，水，無機物和有機物的比例，這個能做到嗎？
2017-03-09 09:22:59
溶劑中取出后，任其自干。如霉點仍不能完全除去，也不要強行洗擦，只好讓它留著，析光片還可繼續(xù)使用，否則膜層完全損壞，不能再用，造成不必要的損失。析光鏡的另一面若鍍有增透膜，可按上述方法擦洗。表面反射的光學
2012-09-25 14:53:21
是平整度高，適合細間距器件，缺點也是保質(zhì)期短
OSP板
OSP就是在潔凈的裸銅表面上，以化學的方法長出一層有機膜。使用的是一種水性有機化合物，選擇性地與銅結(jié)合，并在焊接前提供一層有機金屬層來保護銅
2023-12-12 13:35:04
大多數(shù)銅的氧化物，但強助焊劑本身不易去除，因此業(yè)界一般不采用強助焊劑?！ ∪? 常見的五種表面處理工藝 現(xiàn)在有許多PCB表面處理工藝，常見的是熱風整平、有機涂覆、化學鍍鎳/浸金、浸銀和浸錫這五種工藝
2018-09-17 17:17:11
1、全自動化的在線式清洗機 一種全自動化的在線式清洗機，該清洗機針對SMT/THT的PCBA焊接后表面殘留的松香助焊劑、水溶性助焊劑、免清洗性助焊劑/焊膏等有機、無機污染物進行徹底有效的清洗
2021-02-05 15:27:50
作用外，還有皂化、^^^化、置換、分散等共同作用，使用超聲比在有機溶劑中有效得多； 4） 作為一種天然溶劑，其價格比較低廉，廣泛?！ ∷?b class="flag-6" style="color: red">清洗的缺點是： 1） 在水資源緊缺的地區(qū)，由于該清洗方法需要消耗
2018-09-14 16:39:40
與非極性污染物都容易清洗掉，清洗范圍廣； ?。?） 多重的清洗機理。水是極性很強的極性溶劑，除了溶解作用外，還有皂化、乳化、置換、分散等共同作用，使用超聲比在有機溶劑中有效得多； ?。?） 作為一種
2018-09-13 15:47:25
、分散等共同作用，使用超聲比在
有機溶劑中有效得多; 4) 作為
一種自然溶劑，其價格比較低廉，來源廣泛。 水
清洗的缺點是： 1) 在水資源緊缺的地區(qū)，因為該
清洗方法需要消耗大量的水資源，從而受到當?shù)?/div>
2018-01-15 11:03:23
極性污染物都輕易清洗掉，清洗范圍廣； 3） 多重的清洗機理。水是極性很強的極性溶劑，除了溶解作用外，還有皂化、^^^化、置換、分散等共同作用，使用超聲比在有機溶劑中有效得多； 4） 作為一種自然溶劑
2012-07-23 20:41:56
)、HF 等，已廣泛應用于濕法清洗工藝，以去除硅片表面上的光刻膠、顆粒、輕質(zhì)有機物、金屬污染物和天然氧化物。然而，隨著硅電路和器件架構(gòu)的規(guī)模不斷縮?。ɡ鐝?VLSI 到 ULSI 技術(shù)），探索有效和可靠
2021-07-06 09:36:27
、表面活性劑、有機溶劑及助劑等成分組成的穩(wěn)態(tài)或亞穩(wěn)態(tài)的清洗劑。③有機溶劑清洗劑：以一種或多種有機溶劑組成的清洗劑。限值要求按照不同類型的清洗劑，分四項“揮發(fā)性有機化合物（VOC）含量限值”、“二氯甲烷
2021-05-25 15:03:54
和日本，有多種有機物復配而成，作用快，效果佳，除膠干凈??！ 2。本產(chǎn)品是環(huán)保型產(chǎn)品，無毒，能反復使用。3。本產(chǎn)品只專一的硅膠類產(chǎn)生化學反應，所以不會對你的產(chǎn)品或電子組件產(chǎn)生任何
2010-05-14 15:27:32
顆粒表面氧化層發(fā)生化學反應而使氣體進入焊點； ·PCB中的水汽蒸發(fā)參與了焊接過程當中； ·焊接過程中液態(tài)焊料周圍中的空氣進入到了焊點中： ·金屬焊盤受到有機物污染（如指印等），在焊接
2018-09-06 16:40:06
芯片貼裝于錫膏上不是一種可采用的裝配方法 。業(yè)內(nèi)推出了無須清潔的助焊劑，晶片浸蘸助焊劑工藝成為廣泛使用的助焊技術(shù)。目前主要的替代方法是使用免 洗助焊劑，將元件浸蘸在助焊劑薄膜里讓元件焊球蘸取一
2018-11-23 16:00:22
的，有時甚至是有毒的材料，導致世界范圍內(nèi)嚴重的生態(tài)挑戰(zhàn)。此外，電子產(chǎn)品的生產(chǎn)制備過程中消耗了大量的比如鎵銦等稀缺元素（銦鎵鋅氧化物已廣泛用于許多薄膜晶體管中，例如有源矩陣有機發(fā)光二極管背板，射頻識...
2021-09-16 07:21:41
中央空調(diào)清洗過程 中央空調(diào)清洗一般包括冷凍水、冷卻系統(tǒng)清洗除垢、水處理、溴化鋰機組內(nèi)腔清洗處理、更換新溶液、舊溶液再生、中央空調(diào)風機盤管清洗。結(jié)垢物和堵塞物堅硬較難清洗，列管堵塞嚴重，甚至超過管束
2010-12-21 16:22:40
`工業(yè)相機是一種非常精密的產(chǎn)品，相比一般用相機，其造價要昂貴許多。同樣的，工業(yè)相機使用久了也會出現(xiàn)臟污灰塵，對相機的性能和壽命都會有所影響。因此，就需要定期對相機進行清洗和保養(yǎng),以延長相機的使用壽命
2015-10-22 14:14:47
有機物光纖的特點是什么？一種新型有機物光纖的全光交換系統(tǒng)設(shè)計與實現(xiàn)
2021-06-03 06:45:33
為什么要設(shè)計一種基于物聯(lián)網(wǎng)感知的家居人體健康狀況檢測系統(tǒng)？如何去實現(xiàn)一種基于物聯(lián)網(wǎng)感知的家居人體健康狀況檢測系統(tǒng)設(shè)計？
2021-10-20 06:23:04
智能物聯(lián)網(wǎng)寢室是由哪些部分組成的？如何去實現(xiàn)一種基于STM32的智能物聯(lián)網(wǎng)寢室的設(shè)計？
2021-10-09 07:43:37
使用等離子清洗技術(shù)清洗晶圓去除晶圓表面的有機污染物等雜質(zhì)，但是同時在等離子產(chǎn)生過程中電極會出現(xiàn)金屬離子析出，如果金屬離子附著在晶圓表面也會對晶圓造成損傷，如果在使用等離子清洗技術(shù)清洗晶圓如何規(guī)避電極產(chǎn)生的金屬離子？
2021-06-08 16:45:05
微生物燃料電池是一種利用微生物將有機物中的化學能直接轉(zhuǎn)化成電能的裝置。
2019-09-10 10:44:54
怎樣去設(shè)計一種基于STM32的負壓式玻璃清洗機器人呢？有哪些操作流程？
2021-10-14 08:47:00
ZLG7290的特點及工作原理是什么？怎樣去設(shè)計一種智能儀表面板接口？
2021-05-27 06:23:54
很低，清洗效果差，而且還會帶來如下后果：由于酒精等化學品的腐蝕作用，容易造成線路板的損傷及元器件的損傷，而且殘留大量導電的有機物質(zhì)，這些殘留物將造成持續(xù)的危害。手工操作，容易對元器件造成破壞性的損壞
2020-09-10 08:45:55
火力發(fā)電廠水汽分析方法 第二十八部分：有機物的測定（紫外吸收法）
2009-09-11 01:09:10
特點是： 1） 清洗能力比較強，能同時除去極性污染物和非極性污染物，洗凈能力持久性較強； 2） 清洗和漂洗使用兩種不同性質(zhì)的介質(zhì)，漂洗一般采用純水； 3） 漂洗后要進行干燥。 該技術(shù)不足之處
2018-09-13 15:50:54
在印制線上還可以使用其他涂敷金屬，如鍍錫、鍍鎮(zhèn)，有時還可以在某些印制線區(qū)域鍍銅?！ °~印制線上的另外一種涂層是有機物，通常是一種防焊膜，在那些不需要焊接的地方采用絲網(wǎng)印制技術(shù)覆上一層環(huán)氧樹脂薄膜。這種
2009-04-07 17:07:24
銅印制線上的另外一種涂層是有機物，通常是一種防焊膜，在那些不需要焊接的地方采用絲網(wǎng)印制技術(shù)覆上一層環(huán)氧樹脂薄膜。這種覆上一層有機保焊劑的工藝不需要電子交換，當電路板浸沒在化學鍍液中后，一種具有氮耐受性的化合物可以沾附到暴露的金屬表面且不會被基板吸收。
2019-12-13 16:41:14
的耐磨性和很低的接觸電阻，這就需要在其上鍍一層稀有金屬，其中最常使用的金屬就是金。另外在印制線上還可以使用其他涂敷金屬，如鍍錫、鍍鎮(zhèn)，有時還可以在某些印制線區(qū)域鍍銅。 銅印制線上的另外一種涂層是有機物
2018-11-22 17:15:40
涂層是有機物，通常是一種防焊膜，在那些不需要焊接的地方采用絲網(wǎng)印制技術(shù)覆上一層環(huán)氧樹脂薄膜。這種覆上一層有機保焊劑的工藝不需要電子交換，當電路板浸沒在化學鍍液中后，一種具有氮耐受性的化合物可以站附到暴露
2023-06-09 14:19:07
的另外一種涂層是有機物，通常是一種防焊膜，在那些不需要焊接的地方采用絲網(wǎng)印制技術(shù)覆上一層環(huán)氧樹脂薄膜。這種覆上一層有機保焊劑的工藝不需要電子交換，當電路板浸沒在化學鍍液中后，一種具有氮耐受性的化合物可以
2012-10-18 16:29:07
】：1引言電子元器件在生產(chǎn)過程中由于手印、焊劑、交叉污染、自然氧化等，其表面會形成各種沾污。這些沾污包括有機物、環(huán)氧樹脂、焊料、金屬鹽等，會明顯影響電子元器件在生產(chǎn)過程中的相關(guān)工藝質(zhì)量，例如繼電器的接觸電阻，從而降低了電子元器件的可靠性和成品合格率。等離子體是全文下載
2010-06-02 10:07:40
的耐磨性和很低的接觸電阻，這就需要在其上鍍一層稀有金屬，其中最常使用的金屬就是金。另外在印制線上還可以使用其他涂敷金屬，如鍍錫、鍍鎮(zhèn)，有時還可以在某些印制線區(qū)域鍍銅?！ °~印制線上的另外一種涂層是有機物
2018-09-07 16:26:43
最大部分，這就是為什么在考慮一種清潔工具時必須首先考慮助焊劑殘留的原因。根據(jù)化學性質(zhì)，J-STD-004可將助焊劑分為四類：松香，樹脂，有機和無機，然后根據(jù)助焊劑/助焊劑殘留活性水平和鹵化物的重量將
2023-04-21 16:03:02
物聯(lián)網(wǎng)服務(wù)器的工作原理是什么？怎樣去設(shè)計一種物聯(lián)網(wǎng)服務(wù)器？
2021-05-24 07:02:21
）.金屬 眾所周知，金屬棒材經(jīng)擠壓成絲后，金屬絲的外部往往有一層碳化膜和油，用酸清洗或其它清洗方法，很難讓污物去除（尤其整盤絲），超聲波洗絲機是根據(jù)實際生產(chǎn)需要而設(shè)計的一種連續(xù)走絲，高效清洗設(shè)備
2009-06-18 08:55:02
鋰錳電池在生產(chǎn)過程中使用了低沸點的有機物溶劑，其中有一種叫乙二醇二甲醚（DME）的物質(zhì)，其閃點溫度較低。在充電過程中，如果電池密封不好，電池發(fā)熱造成該物質(zhì)的揮發(fā)，遇到電火花將有可能發(fā)生燃燒，產(chǎn)生危險。
2019-11-06 09:10:46
。但其峰值能量低，清洗效果及應用范圍一般低于脈沖式清洗機。 激光清洗除銹機工作原理 激光清洗除銹機是一種、環(huán)保的清洗
2023-10-31 10:39:49
表面黏著晶片零件焊點檢查，表面黏著晶片零件焊點檢查
2015-11-19 11:23:13
0 表面黏著晶片排阻零件焊點檢查，表面黏著晶片排阻零件焊點檢查
2015-11-19 11:24:090 當鍍層受彎曲或受到某種程度的磨損時，通常會顯露出鍍層的脆性，這就表明存在有機物或重金屬物質(zhì)污染。添加劑過多，使鍍層中夾帶的有機物和分解產(chǎn)物增多，是有機物污染的主要來源，可用活性炭加以處理;重金屬雜質(zhì)可用電解等方法除去。
2019-07-11 14:34:411960 
本發(fā)明的工藝一般涉及到半導體晶片的清洗。更確切地說，本發(fā)明涉及到可能存在于被研磨的單晶硅晶片的表面上的有機殘留物、金屬雜質(zhì)和其它特定的沾污物的清洗處理步驟的順序。 集成電路制造中所用的半導體晶片
2020-12-29 14:45:211999 的氧化物去除 ， 從而實現(xiàn)對晶片進行清洗的目的。采用這種先氧化再剝離的方法 ，可有效去除附著在晶片表面的雜質(zhì)及各種沾污物。對于不同的材料 ， 氧化過程以及剝離過程可以在不同的溶液中相互獨立地進行 ; 也可以組合在一起 ， 使用一種混合液同時實現(xiàn)
2021-04-08 14:05:3949 水體有機物在線熒光監(jiān)測儀設(shè)計方案
2021-06-19 15:37:2419 揮發(fā)性有機物在線監(jiān)測系統(tǒng)【恒美儀器】符合國家標準，可進行實時數(shù)據(jù)監(jiān)測；揮發(fā)性有機物在線監(jiān)測系統(tǒng)【恒美儀器】采用模塊化設(shè)計，實現(xiàn)統(tǒng)一管理，體積小、重量輕，安裝維護方便，可進行點位遷移。同時具備拓展
2021-06-30 09:55:03387 本方法涉及南通華林科納清洗除去牢固附著在玻璃基板表面的聚有機硅氧烷固化物。一般粘合劑等中含有的、附著在玻璃等基板上的有機硅樹脂等有機物或無機物，可以使用酸、堿、有機溶劑等藥液除去。
2021-12-21 11:21:321989 等離子清洗是通過使用稱為等離子體的電離氣體從物體表面去除所有有機物質(zhì)的過程。這通常在使用氧氣和/或氬氣的真空室中進行。清潔過程是一種環(huán)境安全的過程，因為不涉及刺激性化學品。等離子體通常會在被清潔的表面上留下自由基，以進一步增加該表面的粘合性。
2021-12-22 14:35:074946 ，表面準備是獲得干凈、鏡面拋光、未受損硅表面的關(guān)鍵步驟?；瘜W清洗是一種行之有效的方法，用于去除晶圓表面的污染物。最常見的工藝是RCA清洗，通過兩個連續(xù)的標準溶液清洗晶圓。標準清潔1 SC1浴(或氨過氧化物混合物APM)由N
2022-01-05 17:36:58266 摘要 表面處理和預清洗在半導體工業(yè)中的重要性是眾所周知的。為了確保良好的薄膜粘附性和金屬半導體觸點的低電阻，某些溶劑或等離子體清洗以及酸或堿處理對于去除有機殘留物和表面氧化物至關(guān)重要。已知多種蝕刻
2022-02-18 16:36:413051 
摘要 該公司提供了一種用于清洗半導體晶片的方法和設(shè)備 100，該方法和方法包括通過從裝載端口 110 中的盒中取出兩個或多個晶片來填充化學溶液的第一罐將晶片放入。將晶片放入裝滿液體的第一槽(137
2022-02-28 14:56:03927 
摘要 研究了吸附在硅片表面的有機污染物的吸附行為。污染物是由潔凈室環(huán)境和塑料儲物箱中存在的揮發(fā)性有機污染物引起的。晶片上的污染物通過將它們?nèi)芙庠谌軇┲衼硎占?，并通過氣相色譜-質(zhì)譜分析進行表征。發(fā)現(xiàn)有機
2022-03-01 14:38:531167 
摘要 研究了泵送方法對晶片清洗的影響。兩種類型的泵，例如隔膜泵和離心泵，用于在濕浴和單晶片工具中循環(huán)和供應用于晶片清潔的去離子水。清洗研究表明，泵送方法對清洗性能有很大影響。實驗研究表明，在 MLC
2022-03-02 13:56:46521 
摘要 已開發(fā)出一種稱為硅板法的方法，該方法使用具有清潔簡單過程的小型取樣裝置，以直接評估來自潔凈室空氣的硅晶片表面上的有機污染物。使用這種方法，首次通過實驗表明，硅片表面鄰苯二甲酸二（2-乙基
2022-03-02 13:59:29407 
摘要 本文介紹了半導體晶片加工中為顆粒去除(清洗)工藝評估而制備的受污染測試晶片老化的實驗研究。比較了兩種晶片制備技術(shù):一種是傳統(tǒng)的濕法技術(shù)，其中裸露的硅晶片浸泡在充滿顆粒的溶液中，然后干燥；另一種
2022-03-04 15:03:502588 
殘留物由不同量的聚乙二醇或礦物油(切削液)、鐵和銅的氧化物、碳化硅和研磨硅，這些殘留物可以通過鋸切過程中產(chǎn)生的摩擦熱燒到晶片表面，為了去除這些殘留物，需要選擇正確的化學物質(zhì)來補充所使用的設(shè)備。 在晶片清洗并給予
2022-03-15 16:25:37320 
實驗研究了預清洗對KOH/IPA溶液中單晶硅表面紋理化的影響。如果沒有適當?shù)念A清洗，表面污染會形成比未污染區(qū)域尺寸小的金字塔，導致晶片表面紋理特征不均勻，晶片表面反射率不均勻。根據(jù)供應商的不同，晶片的表面質(zhì)量和污染水平可能會有所不同，預清洗條件可能需要定制，以達到一致和期望的紋理化結(jié)果。
2022-03-17 15:23:08501 NH4OH和H2O2，和/或四甲基氫氧化銨(TMAH)和乙二胺四乙酸(EDTA)的一步清洗溶液對硅表面粗糙度和刻蝕速率的影響。討論了TMAH溶液與硅表面的相互作用機理。此外，還分析了顆粒、有機物和金屬雜質(zhì)，以評估清潔效率。還評價了用這種新型清洗液清洗后柵氧化層的電特性
2022-03-21 13:39:405472 
隨著器件的集成化，對Si晶片的要求也變得更加嚴格，降低晶片表面的金屬污染變得重要，這是因為Si晶片表面的金屬污染被認為是氧化膜耐壓和漏電流等電特性劣化的原因。在Si晶圓的清洗中RCA清洗被廣泛
2022-03-21 13:40:12469 
隨著器件的集成化，對Si晶片的要求也變得更加嚴格，降低晶片表面的金屬污染變得重要，這是因為Si晶片表面的金屬污染被認為是氧化膜耐壓和漏電流等電特性劣化的原因。在Si晶圓的清洗中RCA清洗被廣泛
2022-03-28 15:08:53990 
本文研究了外延沉積前原位工藝清洗的效果，該過程包括使用溶解的臭氧來去除晶片表面的有機物，此外，該過程是在原位進行的，沒有像傳統(tǒng)上那樣將晶圓從工藝轉(zhuǎn)移到?jīng)_洗罐。結(jié)果表明，與不使用溶解臭氧作為表面處理
2022-04-12 13:25:49559 
硅晶片的蝕刻預處理方法包括:對角度聚合的硅晶片進行最終聚合處理，對上述最終聚合的硅晶片進行超聲波清洗后用去離子水沖洗，對上述清洗和沖洗的硅晶片進行SC-1清洗后用去離子水沖洗，對上述清洗和沖洗的硅晶片進行佛山清洗后用去離子水沖洗的步驟，對所有種類的硅晶片進行蝕刻預處理，特別是P(111)。
2022-04-13 13:35:46852 
本文利用CZ、FZ和EPI晶片，研究了濕式化學清洗過程對硅晶片表面微粒度的影響。結(jié)果表明，表面微粗糙度影響了氧化物的介電斷裂~特性：隨著硅基底的微粗糙度的增加，氧化物的微電擊穿會降解。利用
2022-04-14 13:57:20459 
本發(fā)明公開了一種用濕式均勻清洗半導體晶片的方法,所公開的本發(fā)明的特點是:具備半導體晶片和含有預定清潔液的清潔組、對齊上述半導體晶片的平坦區(qū)域，使其不與上述清潔組的入口相對、將上述對齊的半導體晶片浸入
2022-04-14 15:13:57604 本文介紹了新型的全化學晶片清洗技術(shù)，研究它們是否可以提供更低的水和化學消耗的能力，能否提供每種技術(shù)的工藝應用、清潔機制、工藝效益以及考慮因素、環(huán)境、安全、健康(ESH)效益、技術(shù)狀態(tài)和供應商信息的可用信息。
2022-04-21 12:28:40258 
為了將硅晶片中設(shè)備激活區(qū)的金屬雜質(zhì)分析為ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸對硅晶片進行不同厚度的重復蝕刻，在晶片內(nèi)表面附近，研究了定量分析特定區(qū)域中消除金屬雜質(zhì)的方法。
2022-04-24 14:59:23497 
摘要 本文展示了一種通過兩步濕化學表面清洗來結(jié)合硅和石英玻璃晶片的簡易結(jié)合工藝。在200℃后退火后，獲得沒有缺陷或微裂紋的強結(jié)合界面。在詳細的表面和結(jié)合界面表征的基礎(chǔ)上，對結(jié)合機理進行了探索和討論
2022-05-07 15:49:061091 
本文闡述了金屬雜質(zhì)和顆粒雜質(zhì)在硅片表面的粘附機理，并提出了一些清洗方法。
2022-05-11 16:10:274 本文提出了一種拋光硅片表面顆粒和有機污染物的清洗方法，非離子型表面活性劑可以有效地去除表面上的顆粒，因為它可以顯著降低液體的表面張力和界面張力，非離子型表面活性劑分子具有親水和疏水兩部分，實驗選擇了脂肪醇-聚氧乙烯醚作為一種非離子型表面活性劑，這種非離子表面活性劑不能被電離，因此不會帶來離子污染物。
2022-05-18 16:01:22829 
引言 描述了溢流晶片清洗工藝中的流場。該信息被用于一項倡議，其主要目的是減少晶片清洗中的用水量。使用有限元數(shù)值技術(shù)計算速度場。大部分的水無助于晶片清洗。 介紹 清洗步驟占工廠中使用的ulaa純水
2022-06-06 17:24:461044 
表面和亞微米深溝槽的清洗在半導體制造中是一個巨大的挑戰(zhàn)。在這項工作中，使用物理數(shù)值模擬研究了使用脈動流清洗毯式和圖案化晶片。毯式晶片清洗工藝的初步結(jié)果與文獻中的數(shù)值和實驗結(jié)果吻合良好。毯式和圖案化晶片的初步結(jié)果表明，振蕩流清洗比穩(wěn)定流清洗更有效，并且振蕩流的最佳頻率是溝槽尺寸的函數(shù)。
2022-06-07 15:51:37291 
本發(fā)明涉及一種在集成電路制造中減少漏電流的方法，更具體地說，涉及一種在集成電路制造中通過新的預氧化清洗順序減少超薄柵氧化物漏電流的方法。 根據(jù)本發(fā)明的目的，實現(xiàn)了一種預氧化清洗襯底表面的新方法。我們
2022-06-17 17:20:40783 
本文描述了我們?nèi)A林科納單晶片超電子清洗方法的開發(fā)、測試和驗證，該傳感器設(shè)計滿足極端顆粒中性、顆粒去除效率(PRE)和生產(chǎn)規(guī)模晶片粘合的可重復性要求，以及其他需要極低顆粒水平的應用。不同的微電子過程
2022-06-28 17:25:04809 
本文講述了我們?nèi)A林科納的一種在單個晶圓清洗工藝中使用新型清洗溶液的方法，該方法涉及在單一晶片模式下使用清洗溶液，并且清洗溶液包括至少包括氫氧化銨（NH-OH）、過氧化氫(HO)、水(HO)和螯合劑
2022-06-30 17:22:112101 
雖然聽起來可能沒有極紫外(EUV)光刻那么性感，但對于確保成功的前沿節(jié)點、先進半導體器件制造，濕法晶片清洗技術(shù)可能比EUV更重要，這是因為器件的可靠性和最終產(chǎn)品的產(chǎn)量都與晶片的清潔度直接相關(guān)，因為晶片要經(jīng)過數(shù)百個圖案化、蝕刻、沉積和互連工藝步驟。
2022-07-07 16:24:231578 
摘要 隨著越來越高的VLSIs集成度成為商業(yè)實踐，對高質(zhì)量晶片的需求越來越大。對于表面上幾乎沒有金屬雜質(zhì)、顆粒和有機物的高度潔凈的晶片來說，尤其如此。為了生產(chǎn)高清潔度的晶片，有必要通過對表面雜質(zhì)行為
2022-07-11 15:55:451025 
溶液中顆粒和晶片表面之間發(fā)生的基本相互作用是范德華力(分子相互作用)和靜電力(雙電層的相互作用)。近年來，與符合上述兩種作用的溶液中的晶片表面上的顆粒粘附機制相關(guān)的研究蓬勃發(fā)展，并為闡明顆粒粘附機制做了大量工作。
2022-07-13 17:18:441491 
低壓紫外汞燈發(fā)射的雙波段短波紫外光照射到試件表面后，與有機污染物發(fā)生光敏氧化作用,不僅能去除污染物而且能改善表面的性能，從而提高物體表面的浸潤性和粘合強度，或者使材料表面得到穩(wěn)定的表面性能。根據(jù)
2022-08-18 16:16:301080 
可以對各種材料進行清洗，包括有機物和無機物。 ? 例如，在文物修復領(lǐng)域，激光清洗設(shè)備可以用來清洗金屬表面的氧化物和其他污垢，以及石材表面的污垢和霉菌等。在工業(yè)領(lǐng)域，激光清洗設(shè)備可以用來清洗金屬表面的氧化物、油漬
2023-05-08 17:11:07571 
隨著半導體科技的發(fā)展，在固態(tài)微電子器件制造中，人們對清潔基底表面越來越重視。濕法清洗一般使用無機酸、堿和氧化劑，以達到去除光阻劑、顆粒、輕有機物、金屬污染物以及硅片表面上的天然氧化物的目的。然而，隨著硅電路和器件結(jié)構(gòu)規(guī)模的不斷減小，英思特仍在專注于探索有效可靠的清潔方法以實現(xiàn)更好的清潔晶圓表面。
2023-06-05 17:18:50437 
關(guān)于VOCs揮發(fā)性有機物的處理技術(shù)有哪些呢？談及這個話題，可能很多小伙伴都是一頭霧水，今天小編就來跟大家具體介紹一下VOCs揮發(fā)性有機物的處理技術(shù)吧。眾所周知，VOCs揮發(fā)性有機物一般都有
2022-01-10 10:53:52648 
上海伯東代理美國 KRi 考夫曼離子源適用于安裝在 MBE 分子束外延, 濺射和蒸發(fā)系統(tǒng), PLD 脈沖激光系統(tǒng)等, 在沉積前用離子轟擊表面, 進行預清潔 Pre-clean 的工藝, 對基材表面有機物清洗, 金屬氧化物的去除等, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應力, 工藝效率等！
2023-05-25 10:10:31378 
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