次數(shù)多,其時(shí)間縮短、高精度化決定半導(dǎo)體的生產(chǎn)性和質(zhì)量。在單張式清洗中,用超純水沖洗晶片 ,一邊高速旋轉(zhuǎn),一邊從裝置上部使干燥的空氣流過(guò)。在該方式中,逐個(gè)處理晶片。上一行程粒子的交錯(cuò)污染少。近年來(lái),由于高壓噴氣和極低
2021-12-23 16:43:04
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本文討論并演示了痕量污染物分析儀的功能。該分析工具利用電噴霧飛行時(shí)間質(zhì)譜儀對(duì)晶圓清洗溶液進(jìn)行全自動(dòng)在線監(jiān)測(cè)。該分析儀通過(guò)其在正負(fù)模式下提供強(qiáng)(元素)和弱(分子)電離的能力,提供了關(guān)于金屬、陰離子
2022-03-08 14:06:58
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在超大規(guī)模集成(ULSI)制造的真實(shí)生產(chǎn)線中,器件加工過(guò)程中存在各種污染物。由于超大規(guī)模集成電路器件工藝需要非常干凈的表面,因此必須通過(guò)清潔技術(shù)去除污染物,例如使用批量浸漬工具進(jìn)行濕法清潔批量旋轉(zhuǎn)
2022-03-16 11:54:09
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摘要 溶液中晶片表面的顆粒沉積。然而,粒子沉積和清除機(jī)制液體。在高離子中觀察到最大的粒子沉積:本文將討論粒子沉積的機(jī)理酸性溶液的濃度,并隨著溶液pH值的增加而降低,在使用折痕。還研究了各種溶液
2022-06-01 14:57:57
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在整個(gè)晶圓加工過(guò)程中,仔細(xì)維護(hù)清潔的晶圓表面對(duì)于在半導(dǎo)體器件制造中獲得高產(chǎn)量至關(guān)重要。因此,濕式化學(xué)清洗以去除晶片表面的污染物是任何LSI制造序列中應(yīng)用最重復(fù)的處理步驟。
2023-03-30 10:00:09
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在當(dāng)今的器件中,最小結(jié)構(gòu)的尺寸接近于需要從晶片表面移除的粒子的尺寸。在不破壞脆弱設(shè)備的情況下,在工藝步驟之間去除納米顆粒的清洗過(guò)程的重要性正在不斷增長(zhǎng)。兆波清洗可用于單晶片或批量晶片處理。
2023-05-02 16:32:11
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晶片邊緣的蝕刻機(jī)臺(tái),特別是能有效地蝕刻去除晶片邊緣劍山的一種蝕刻機(jī),在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)單元(dynamic random access memory,DRAM)的制造過(guò)程中,為了提高產(chǎn)率,便采用
2018-03-16 11:53:10
蘇州晶淼專業(yè)生產(chǎn)半導(dǎo)體、光伏、LED等行業(yè)清洗腐蝕設(shè)備,可根據(jù)要求定制濕法腐蝕設(shè)備。晶淼半導(dǎo)體為國(guó)內(nèi)專業(yè)微電子、半導(dǎo)體行業(yè)腐蝕清洗設(shè)備供應(yīng)商,歡迎來(lái)電咨詢。電話:***,13771786452王經(jīng)理
2016-09-05 14:26:32
`華林科納濕法設(shè)備分類全自動(dòng)設(shè)備:全自動(dòng)RCA清洗機(jī)全自動(dòng)硅片刻蝕機(jī)全自動(dòng)片盒清洗機(jī)全自動(dòng)石英管清洗機(jī)半自動(dòng)設(shè)備:半自動(dòng)RCA清洗機(jī)半自動(dòng)硅片刻蝕機(jī)半自動(dòng)石英管清洗機(jī)半自動(dòng)有機(jī)清洗機(jī)`
2021-02-07 10:14:51
過(guò)程中,θ相Al2Cu 在Al 晶界聚集成大顆粒,并且在隨后的有機(jī)溶液濕法清洗過(guò)程中原電池反應(yīng)導(dǎo)致Al 被腐蝕而在互連導(dǎo)線側(cè)壁生成孔洞。通過(guò)對(duì)光刻膠去除工藝溫度以及濕法清洗工藝中有機(jī)溶液的水含量控制可以
2009-10-06 09:50:58
工作,正交編碼器作為位置反饋??刂?b class="flag-6" style="color: red">轉(zhuǎn)速可以從STMCWB中正常工作。 但是當(dāng)請(qǐng)求更多2500轉(zhuǎn)/分鐘時(shí),速度監(jiān)控圖表中要求的速度會(huì)上升,但電機(jī)的卷軸旋轉(zhuǎn)大約保持2500轉(zhuǎn)/分鐘。這是軟件的限制嗎?我們要調(diào)整
2019-05-13 14:59:39
。它適用于大批量PCBA清洗,采用安全自動(dòng)化的清洗設(shè)備置于電裝產(chǎn)線,通過(guò)不同的腔體在線完成化學(xué)清洗(或者水基清洗)、水基漂洗、烘干全部工序?! ?b class="flag-6" style="color: red">清洗過(guò)程中,PCBA通過(guò)清洗機(jī)的傳送帶在不同的溶劑清洗腔體
2021-02-05 15:27:50
氧化物)中的高質(zhì)量電介質(zhì)。此外,在加工過(guò)程中,熱生長(zhǎng)的氧化物可用作注入、擴(kuò)散和蝕刻掩模。硅作為微電子材料的優(yōu)勢(shì)可歸因于這種高質(zhì)量原生氧化物的存在以及由此產(chǎn)生的接近理想的硅/氧化物界面。濕法蝕刻包括
2021-07-06 09:32:40
。。全自動(dòng)自清洗過(guò)濾器控制系統(tǒng)中的各參數(shù)均可調(diào)節(jié)。3)設(shè)有電機(jī)過(guò)載保護(hù),可有效保護(hù)電機(jī)。4)具有在清洗排污時(shí)不間斷供水、無(wú)需旁路的特點(diǎn),且清洗時(shí)間短,排污耗水量少,不超過(guò)總流量的 1%。5)維修性強(qiáng)、安裝拆卸簡(jiǎn)便易行。6)與用戶管線的連接方式為法蘭連接,法蘭采用國(guó)標(biāo)法蘭,通用性強(qiáng)。
2021-09-13 06:57:56
、功率放大器、數(shù)碼攝像機(jī)。實(shí)驗(yàn)過(guò)程:旋轉(zhuǎn)軟體機(jī)器人的實(shí)驗(yàn)研究:在旋轉(zhuǎn)軟件機(jī)器人的轉(zhuǎn)速測(cè)量實(shí)驗(yàn)中,功率放大器將信號(hào)發(fā)生器發(fā)出的激勵(lì)信號(hào)進(jìn)行放大,然后激勵(lì)信號(hào)施加在機(jī)器人上。為了測(cè)量機(jī)器人的旋轉(zhuǎn)角度,在
2021-04-09 10:02:13
、功率放大器、數(shù)碼攝像機(jī)。實(shí)驗(yàn)過(guò)程:旋轉(zhuǎn)軟體機(jī)器人的實(shí)驗(yàn)研究:在旋轉(zhuǎn)軟件機(jī)器人的轉(zhuǎn)速測(cè)量實(shí)驗(yàn)中,功率放大器將信號(hào)發(fā)生器發(fā)出的激勵(lì)信號(hào)進(jìn)行放大,然后激勵(lì)信號(hào)施加在機(jī)器人上。為了測(cè)量機(jī)器人的旋轉(zhuǎn)角度,在
2021-04-14 09:56:50
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2016-09-05 10:40:27
清洗設(shè)備,太陽(yáng)能電池制絨酸洗設(shè)備,硅晶圓片清洗甩干機(jī)濕法清洗機(jī),硅片清洗機(jī),硅刻蝕機(jī)、通風(fēng)櫥、邊緣腐蝕機(jī)、石英管清洗機(jī),鐘罩清洗機(jī)、晶圓清洗機(jī)、硅片顯影機(jī)、腐蝕臺(tái)、LED晶片清洗機(jī)、硅料切片后清洗設(shè)備
2011-04-13 13:23:10
中央空調(diào)清洗過(guò)程 中央空調(diào)清洗一般包括冷凍水、冷卻系統(tǒng)清洗除垢、水處理、溴化鋰機(jī)組內(nèi)腔清洗處理、更換新溶液、舊溶液再生、中央空調(diào)風(fēng)機(jī)盤(pán)管清洗。結(jié)垢物和堵塞物堅(jiān)硬較難清洗,列管堵塞嚴(yán)重,甚至超過(guò)管束
2010-12-21 16:22:40
使用等離子清洗技術(shù)清洗晶圓去除晶圓表面的有機(jī)污染物等雜質(zhì),但是同時(shí)在等離子產(chǎn)生過(guò)程中電極會(huì)出現(xiàn)金屬離子析出,如果金屬離子附著在晶圓表面也會(huì)對(duì)晶圓造成損傷,如果在使用等離子清洗技術(shù)清洗晶圓如何規(guī)避電極產(chǎn)生的金屬離子?
2021-06-08 16:45:05
電機(jī)的旋轉(zhuǎn)速度為什么能夠自由地改變? *1: r/min 電機(jī)旋轉(zhuǎn)速度單位:每分鐘旋轉(zhuǎn)次數(shù),也可表示為rpm. 例如:2極電機(jī) 50Hz 3000 [r/min] 4極電機(jī) 50Hz 1500
2016-01-29 10:01:07
一:直通式反沖洗過(guò)濾器簡(jiǎn)介 直通式反沖洗排污過(guò)濾器是一種集通用的過(guò)濾功能和在系統(tǒng)運(yùn)行不停機(jī)的前提下對(duì)濾筒進(jìn)行清洗并排污的多功能使用產(chǎn)品,它設(shè)計(jì)了全新的結(jié)構(gòu)形式,在濾筒的前段設(shè)置閥板,通過(guò)
2021-06-30 08:06:52
其中國(guó)市場(chǎng)的開(kāi)發(fā)、推廣。公司自有產(chǎn)品包括半導(dǎo)體前段、后段、太陽(yáng)能、平板顯示FPD、LED、MEMS應(yīng)用中的各種濕制程設(shè)備,例如硅片濕法清洗、蝕刻,硅芯硅棒濕法化學(xué)處理,液晶基板清洗,LED基片顯影脫膜等
2015-04-02 17:23:36
各位同仁好!我最近在芯片清洗上遇到一個(gè)問(wèn)題,自己沒(méi)辦法解決,所以想請(qǐng)教下。一個(gè)剛從氮?dú)獍b袋拿出來(lái)的晶圓片經(jīng)過(guò)去離子水洗過(guò)后,在強(qiáng)光照射下或者顯微鏡下觀察,片子表面出現(xiàn)一些顆粒殘留,無(wú)論怎么洗都
2021-10-22 15:31:35
hi,調(diào)試電機(jī)時(shí),閉環(huán)以9000rpm旋轉(zhuǎn),不能按要求轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)。改變速度環(huán) pi 會(huì)引起調(diào)整動(dòng)作,但速度仍會(huì)增加。我可以知道要調(diào)整哪個(gè)參數(shù)嗎?
2023-05-19 09:29:43
KMI 15/16 傳感器模塊系列為汽車電子和工業(yè)控制領(lǐng)域提供了結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、性能優(yōu)良、價(jià)格低廉的旋轉(zhuǎn)速度測(cè)量的方案。本文詳細(xì)介紹磁敏電阻元件的結(jié)構(gòu)和原理、KMI 模塊的原理和結(jié)構(gòu)、
2009-07-13 09:51:48
53 旋轉(zhuǎn)速度估計(jì)是高速旋轉(zhuǎn)目標(biāo)成像的基礎(chǔ),論文提出一種新的旋轉(zhuǎn)速度估計(jì)方法,該算法基于旋轉(zhuǎn)目標(biāo)在距離時(shí)間域所具有的特性,在利用傅里葉變換粗略估計(jì)旋轉(zhuǎn)速度的基礎(chǔ)上,
2009-11-09 14:59:47
8 敘述了凝汽器銅管化學(xué)清洗的優(yōu)點(diǎn)和在清洗過(guò)程中必須注意的幾個(gè)問(wèn)題,并且用實(shí)例進(jìn)一步說(shuō)明化學(xué)清洗還能夠有效防止凝汽器銅管的腐蝕。
2010-02-03 11:43:55
8 電機(jī)旋轉(zhuǎn)速度單位:r/min每分鐘旋轉(zhuǎn)次數(shù),也可表示為rpm。例如:2極電機(jī)50Hz3000[r/min] 4極電機(jī)50Hz1500[r/min] 結(jié)論:電機(jī)的旋轉(zhuǎn)速度同頻率成比例
2020-12-14 23:47:16
916 本發(fā)明的工藝一般涉及到半導(dǎo)體晶片的清洗。更確切地說(shuō),本發(fā)明涉及到可能存在于被研磨的單晶硅晶片的表面上的有機(jī)殘留物、金屬雜質(zhì)和其它特定的沾污物的清洗處理步驟的順序。 集成電路制造中所用的半導(dǎo)體晶片
2020-12-29 14:45:21
1999 電機(jī)旋轉(zhuǎn)速度單位:r/min每分鐘旋轉(zhuǎn)次數(shù),也可表示為rpm。例如:2極電機(jī)50Hz3000[r/min] 4極電機(jī)50Hz1500[r/min] 結(jié)論:電機(jī)的旋轉(zhuǎn)速度同頻率成比例
2021-01-21 07:50:44
2 】 濕法清洗 有機(jī)藥液 槽式 單片式 滾筒式在集成電路生產(chǎn)過(guò)程中,WET ?濕法工藝主要是指使用超純水及超純酸堿 , 有機(jī)等化學(xué)藥液 , 完成對(duì)晶圓的清洗刻蝕及光刻膠剝離等工藝 ??[1]。伴隨著集成電路設(shè)計(jì)線寬越來(lái)越窄,使得集成電路高
2023-04-20 11:45:00
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旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的轉(zhuǎn)速在電動(dòng)機(jī)實(shí)際運(yùn)行過(guò)程中只與磁極對(duì)數(shù)有關(guān),我國(guó)規(guī)定標(biāo)準(zhǔn)電源頻率為f=50周/秒,所以磁極對(duì)數(shù)多,旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的轉(zhuǎn)數(shù)成就低。一般情況下,由于轉(zhuǎn)差率的存在,電機(jī)實(shí)際轉(zhuǎn)速略低于旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的轉(zhuǎn)速,旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的轉(zhuǎn)速n=3000。
2021-10-09 11:25:06
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評(píng)論