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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>濕法清洗過(guò)程中晶片旋轉(zhuǎn)速度的影響

濕法清洗過(guò)程中晶片旋轉(zhuǎn)速度的影響

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2022-02-11 14:44:271442

濕法清洗過(guò)程中硅片表面顆粒的去除

研究了在半導(dǎo)體制造過(guò)程中使用的酸和堿溶液從硅片表面去除粒子。 結(jié)果表明,堿性溶液的顆粒去除效率優(yōu)于酸性溶液。 在堿性溶液中,顆粒去除的機(jī)理已被證實(shí)如下:溶液腐蝕晶圓表面以剝離顆粒,然后顆粒被電排斥到晶圓表面。 實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,需要0.25 nm /min以上的刻蝕速率才能使吸附在晶圓表面的顆粒脫落。
2022-02-17 16:24:272167

半導(dǎo)體晶圓清洗站多化學(xué)品供應(yīng)系統(tǒng)的討論

半導(dǎo)體制造工業(yè)中的濕法清洗/蝕刻工藝用于通過(guò)使用高純化學(xué)品清洗或蝕刻來(lái)去除晶片上的顆?;蛉毕?。擴(kuò)散、光和化學(xué)氣相沉積(CVD)、剝離、蝕刻、聚合物處理、清潔和旋轉(zhuǎn)擦洗之前有預(yù)清潔作為濕法清潔/蝕刻
2022-02-22 13:47:511696

半導(dǎo)體單晶片旋轉(zhuǎn)清洗器中渦流的周期性結(jié)構(gòu)

次數(shù)多,其時(shí)間縮短、高精度化決定半導(dǎo)體的生產(chǎn)性和質(zhì)量。在單張式清洗中,用超純水沖洗晶片 ,一邊高速旋轉(zhuǎn),一邊從裝置上部使干燥的空氣流過(guò)。在該方式中,逐個(gè)處理晶片。上一行程粒子的交錯(cuò)污染少。近年來(lái),由于高壓噴氣
2022-02-22 16:01:08904

晶片清洗是半導(dǎo)體制造中的一個(gè)基礎(chǔ)步驟

清洗都是開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體電子器件的首要和基本步驟。清洗過(guò)程是在不改變或損壞晶圓表面或基片的情況下去除化學(xué)物質(zhì)和顆粒雜質(zhì)。 介紹 半導(dǎo)體是一種固體物質(zhì),其導(dǎo)電性介于絕緣體和導(dǎo)體之間。半導(dǎo)體材料的定義性質(zhì)是,它可以摻雜
2022-02-23 17:44:201426

清洗半導(dǎo)體晶片的方法說(shuō)明

摘要 該公司提供了一種用于清洗半導(dǎo)體晶片的方法和設(shè)備 100,該方法和方法包括通過(guò)從裝載端口 110 中的盒中取出兩個(gè)或多個(gè)晶片來(lái)填充化學(xué)溶液的第一罐將晶片放入。將晶片放入裝滿液體的第一槽(137
2022-02-28 14:56:03927

晶片清洗中分散現(xiàn)象對(duì)清洗時(shí)間的影響

考慮由于流體層上的非均勻速度而導(dǎo)致的徑向分散現(xiàn)象。文章全部詳情:壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁 介紹 更好地了解硅晶片制造中的濕法工藝對(duì)于提高清潔效率以及優(yōu)化水分配和工藝時(shí)間非常重要。在這里,我們專注于沖洗過(guò)程,執(zhí)行
2022-03-01 14:38:07330

濕法清洗系統(tǒng)對(duì)晶片表面顆粒污染的影響

泵(非脈動(dòng)流)中,晶圓清洗過(guò)程中添加到晶圓上的顆粒數(shù)量遠(yuǎn)少于兩個(gè)隔膜泵(脈動(dòng)流)。 介紹 粒子產(chǎn)生的來(lái)源大致可分為四類:環(huán)境、人員、材料和設(shè)備/工藝。晶圓表面污染的比例因工藝類型和生產(chǎn)線級(jí)別而異。在無(wú)塵室中,顆粒污
2022-03-02 13:56:46521

單片濕法刻蝕—《華林科納-半導(dǎo)體工藝》

性,單片濕法刻蝕法是一種有用的技術(shù)。其進(jìn)一步推進(jìn)應(yīng)得到理論計(jì)算的支持。 因此,在我們之前的研究中開(kāi)發(fā)了使用單晶片濕法蝕刻機(jī)進(jìn)行二氧化硅膜蝕刻的數(shù)值計(jì)算模型。首先,通過(guò)水流可視化獲得旋轉(zhuǎn)晶片上的整個(gè)水運(yùn)動(dòng),并進(jìn)行評(píng)估
2022-03-02 13:58:36750

半導(dǎo)體工藝—晶片清洗工藝評(píng)估

摘要 本文介紹了半導(dǎo)體晶片加工中為顆粒去除(清洗)工藝評(píng)估而制備的受污染測(cè)試晶片老化的實(shí)驗(yàn)研究。比較了兩種晶片制備技術(shù):一種是傳統(tǒng)的濕法技術(shù),其中裸露的硅晶片浸泡在充滿顆粒的溶液中,然后干燥;另一種
2022-03-04 15:03:502588

兆聲波對(duì)硅片濕法清洗槽中水和氣泡運(yùn)動(dòng)的影響

研究了兆聲波對(duì)300 mm直徑硅片濕法清洗槽中水和氣泡運(yùn)動(dòng)的影響。使用水溶性藍(lán)色墨水的示蹤劑觀察整個(gè)浴中的水運(yùn)動(dòng)。兆聲波加速了整個(gè)浴槽中的水運(yùn)動(dòng),盡管沒(méi)有兆聲波時(shí)的水運(yùn)動(dòng)趨向于局部化。兆聲波產(chǎn)生的小氣泡的運(yùn)動(dòng)也被追蹤到整個(gè)晶片表面。兆聲波和水流增加了氣泡的傳輸速率。
2022-03-07 15:28:57457

化學(xué)清洗過(guò)程中重金屬污染的監(jiān)測(cè)方法

特別適合于重金屬監(jiān)測(cè)。該方法用于監(jiān)測(cè)BHF中的銅污染,通過(guò)測(cè)量其對(duì)表面重組的影響,并通過(guò)其對(duì)整體重組的影響,快速熱退火步驟用于驅(qū)動(dòng)在清洗過(guò)程中沉積在表面的鐵。鐵表面污染測(cè)量到1X109cm-2水平
2022-03-09 14:38:22714

兆聲清洗晶片過(guò)程中去除力的分析

在半導(dǎo)體器件的制造過(guò)程中,兆聲波已經(jīng)被廣泛用于從硅晶片上去除污染物顆粒。在這個(gè)過(guò)程中,平面硅片被浸入水基溶液中,并受到頻率在600千赫-1兆赫范圍內(nèi)的聲能束的作用。聲波通常沿著平行于晶片/流體界面
2022-03-15 11:28:22460

晶片清洗及其對(duì)后續(xù)紋理過(guò)程的影響

殘留物由不同量的聚乙二醇或礦物油(切削液)、鐵和銅的氧化物、碳化硅和研磨硅,這些殘留物可以通過(guò)鋸切過(guò)程中產(chǎn)生的摩擦熱燒到晶片表面,為了去除這些殘留物,需要選擇正確的化學(xué)物質(zhì)來(lái)補(bǔ)充所使用的設(shè)備。 在晶片清洗并給予
2022-03-15 16:25:37320

半導(dǎo)體制造過(guò)程中刷洗力的研究

為了確保高器件產(chǎn)量,在半導(dǎo)體制造過(guò)程中,必須在幾個(gè)點(diǎn)監(jiān)控和控制晶片表面污染和缺陷。刷式洗滌器是用于實(shí)現(xiàn)這種控制的工具之一,尤其是在化學(xué)機(jī)械平面化工藝之后。盡管自20世紀(jì)90年代初以來(lái),刷子刷洗就已在生產(chǎn)中使用,但刷洗過(guò)程中的顆粒去除機(jī)制仍處于激烈的討論之中。這項(xiàng)研究主要集中在分析擦洗過(guò)程中作用在顆粒上的力。
2022-03-16 11:52:33432

通過(guò)封閉系統(tǒng)和蒸汽方法清潔晶圓

隨著LSI的精細(xì)化,晶片清洗技術(shù)越來(lái)越重要。晶片清洗技術(shù)的一個(gè)重要特性是如何在整個(gè)過(guò)程中去除刨花板或重金屬,以及在這個(gè)清洗過(guò)程本身中抑制刨花板的去除和缺陷的發(fā)生。作為晶片清洗技術(shù),目前也在使用水槽式清洗,用于清洗的藥品從鐘來(lái)看,RCA清洗是主流。
2022-03-18 14:11:12348

清洗晶片污染物的實(shí)驗(yàn)研究

本研究的目的是為高效半導(dǎo)體器件的制造提出高效的晶圓清洗方法,主要特點(diǎn)是清洗過(guò)程是在室溫和標(biāo)準(zhǔn)壓力下進(jìn)行的,沒(méi)有特殊情況。盡管該方法與實(shí)際制造工藝相比,半導(dǎo)體公司的效率相對(duì)較低,但本研究可以提出在室溫
2022-03-21 15:33:52373

基于RCA清洗的濕式清洗工藝

在半導(dǎo)體制造過(guò)程中的每個(gè)過(guò)程之前和之后執(zhí)行的清潔過(guò)程是最重要的過(guò)程之一,約占總過(guò)程的30%,基于RCA清洗的濕式清洗工藝對(duì)于有效地沖洗清洗化學(xué)物質(zhì)以使它們不會(huì)在學(xué)位處理后殘留在晶片表面上,以及諸如
2022-03-22 13:30:211161

半導(dǎo)體制造過(guò)程中的新一代清洗技術(shù)

VLSI制造過(guò)程中,晶圓清洗球定義的重要性日益突出。這是當(dāng)晶片表面存在的金屬、粒子等污染物對(duì)設(shè)備的性能和產(chǎn)量(yield)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響時(shí)的門(mén)。在典型的半導(dǎo)體制造工藝中,清潔工藝在工藝前后反復(fù)進(jìn)行
2022-03-22 14:13:163579

半導(dǎo)體制造過(guò)程中的硅晶片清洗工藝

在許多半導(dǎo)體器件的制造中,硅是最有趣和最有用的半導(dǎo)體材料。 在半導(dǎo)體器件制造中,各種加工步驟可分為四大類,即沉積、去除、圖形化和電性能的修改。 在每一步中,晶片清洗都是開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體電子器件的首要和基本步驟。 清洗過(guò)程是在不改變或損壞晶圓表面或基片的情況下去除化學(xué)物質(zhì)和顆粒雜質(zhì)。
2022-04-01 14:25:332948

濕法和顆粒去除工藝詳解

本文考慮了范德華相互作用的2個(gè)數(shù)量級(jí)范圍,以考慮了實(shí)際粒子的形狀和材料,將這些相互作用與靜電電荷、阻力、表面張力、沖擊波、高加速度和氣溶膠粒子所產(chǎn)生的排斥力進(jìn)行相互比較,可以預(yù)測(cè)不同清洗過(guò)程的內(nèi)在
2022-04-11 16:48:42520

IPA和超純水混合溶液中晶圓干燥和污染物顆粒去除的影響

,重要的是有效地沖洗,防止清潔化學(xué)液在道工序后在晶片表面殘留,以及防止水斑點(diǎn)等污染物再次污染。因此,最近在濕清洗過(guò)程中,正在努力減少化學(xué)液和超純水的量,回收利用,開(kāi)發(fā)新的清洗過(guò)程,在干燥過(guò)程中,使用超純水和IPA分離層的
2022-04-13 16:47:471239

濕式化學(xué)清洗過(guò)程對(duì)硅晶片表面微粒度的影響

本文利用CZ、FZ和EPI晶片,研究了濕式化學(xué)清洗過(guò)程對(duì)硅晶片表面微粒度的影響。結(jié)果表明,表面微粗糙度影響了氧化物的介電斷裂~特性:隨著硅基底的微粗糙度的增加,氧化物的微電擊穿會(huì)降解。利用
2022-04-14 13:57:20459

一種用濕式均勻清洗半導(dǎo)體晶片的方法

清潔組的步驟、旋轉(zhuǎn)上述沉積的半導(dǎo)體晶片的凸緣區(qū)域,在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)清洗上述旋轉(zhuǎn)的半導(dǎo)體晶片、將上述清潔的半導(dǎo)體晶片浸入上述清潔組之外的步驟。
2022-04-14 15:13:57604

PVA刷接觸式清洗過(guò)程中超細(xì)顆粒清洗現(xiàn)象

的機(jī)械旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)和供給的藥液流動(dòng),附著在表面的納米粒子從晶圓上脫離[3]。在清洗過(guò)程中,觀察表面上的拋光納米粒子的清洗現(xiàn)象。 闡明機(jī)制, 對(duì)于更有效的納米粒子清洗是必不可少的。
2022-04-15 10:53:51516

半導(dǎo)體器件制造過(guò)程中清洗技術(shù)

在半導(dǎo)體器件的制造過(guò)程中,由于需要去除被稱為硅晶片的硅襯底上納米級(jí)的異物(顆粒),1/3的制造過(guò)程被稱為清洗過(guò)程。在半導(dǎo)體器件中,通常進(jìn)行RCA清潔,其中半導(dǎo)體器件以一批25個(gè)環(huán)(盒)為單位,依次
2022-04-20 16:10:293200

多化學(xué)品供應(yīng)系統(tǒng)在濕法站的應(yīng)用

半導(dǎo)體制造工業(yè)中的濕法清洗/蝕刻工藝用于通過(guò)使用高純化學(xué)品清洗或蝕刻來(lái)去除晶片上的顆?;蛉毕?。擴(kuò)散、光和化學(xué)氣相沉積(CVD)、剝離、蝕刻、聚合物處理、清潔和旋轉(zhuǎn)擦洗之前有預(yù)清潔作為濕法清潔/蝕刻
2022-04-21 12:27:43589

PVA刷擦洗對(duì)CMP后清洗過(guò)程的影響

介紹 聚乙烯醇刷洗是化學(xué)溶液清洗過(guò)程中常用的方法。聚乙烯醇刷擦洗可分為兩大類,根據(jù)其接觸類型(非接觸,完全接觸)。全接觸擦洗被認(rèn)為是去除晶片表面污染物的最佳有效清潔方法之一。然而,許多研究人員指責(zé)
2022-04-27 16:56:281310

濕法蝕刻過(guò)程中影響光致抗蝕劑對(duì)GaAs粘附的因素

本次在補(bǔ)救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學(xué)腐蝕過(guò)程中光刻膠粘附失效的幾個(gè)實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。確定了可能影響粘附力的幾個(gè)因素,并使用實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(DOE)方法來(lái)研究所選因素的影響和相互作用。確定
2022-05-10 15:58:32504

熱式加速度傳感器超聲波清洗機(jī)

VGT-1409FH熱式加速度傳感器超聲波清洗機(jī)清洗過(guò)程由PLC控制,由不銹鋼材質(zhì)制作的超聲波清洗槽、超聲波漂洗槽、慢拉槽等組成一條連續(xù)工作的裝置。
2022-06-01 16:30:053

溢流晶片清洗工藝中的流場(chǎng)概述

引言 描述了溢流晶片清洗工藝中的流場(chǎng)。該信息被用于一項(xiàng)倡議,其主要目的是減少晶片清洗中的用水量。使用有限元數(shù)值技術(shù)計(jì)算速度場(chǎng)。大部分的水無(wú)助于晶片清洗。 介紹 清洗步驟占工廠中使用的ulaa純水
2022-06-06 17:24:461044

使用脈動(dòng)流清洗毯式和圖案化晶片的工藝研究

表面和亞微米深溝槽的清洗在半導(dǎo)體制造中是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。在這項(xiàng)工作中,使用物理數(shù)值模擬研究了使用脈動(dòng)流清洗毯式和圖案化晶片。毯式晶片清洗工藝的初步結(jié)果與文獻(xiàn)中的數(shù)值和實(shí)驗(yàn)結(jié)果吻合良好。毯式和圖案化晶片的初步結(jié)果表明,振蕩流清洗比穩(wěn)定流清洗更有效,并且振蕩流的最佳頻率是溝槽尺寸的函數(shù)。
2022-06-07 15:51:37291

基板旋轉(zhuǎn)洗過(guò)程中小結(jié)構(gòu)的表面清洗

引言 小結(jié)構(gòu)的清洗和沖洗是微電子和納米電子制造中的重要過(guò)程。最新技術(shù)使用“單晶片旋轉(zhuǎn)清洗”,將超純水(UPW)引入到安裝在旋轉(zhuǎn)支架上的晶片上。這是一個(gè)復(fù)雜的過(guò)程,其降低水和能源使用的優(yōu)化需要更好地理
2022-06-08 17:28:50865

使用清洗溶液實(shí)現(xiàn)蝕刻后殘留物的完全去除

應(yīng)用。該化學(xué)品提供了在單晶片工具應(yīng)用的清洗過(guò)程中原位控制錫拉回或者甚至完全去除錫掩模的途徑。這些化學(xué)品不含NH4OH或TMAH,因此非常方便用戶使用。
2022-06-14 10:06:242210

旋轉(zhuǎn)超聲霧化液中新型處理GaAs表面濕法

,和(2)在熱清洗后必須完全去除表面氧化層,和(3)必須提供光滑的表面。清洗過(guò)程采用旋轉(zhuǎn)超聲波霧化技術(shù)。首先,通過(guò)有機(jī)溶劑去除雜質(zhì);第二次NH4OH∶H2O 2∶H2O = 1∶1∶10的溶液和HCl∶H2O 2∶H2O = 1∶1∶20的溶液連續(xù)蝕刻非常薄的GaAs層,該步驟的目標(biāo)是去除金屬
2022-06-16 17:24:02793

濕法清洗中去除硅片表面的顆粒

用半導(dǎo)體制造中的清洗過(guò)程中使用的酸和堿溶液研究了硅片表面的顆粒去除。
2022-07-05 17:20:171683

不同的濕法晶片清洗技術(shù)方法

雖然聽(tīng)起來(lái)可能沒(méi)有極紫外(EUV)光刻那么性感,但對(duì)于確保成功的前沿節(jié)點(diǎn)、先進(jìn)半導(dǎo)體器件制造,濕法晶片清洗技術(shù)可能比EUV更重要,這是因?yàn)槠骷目煽啃院妥罱K產(chǎn)品的產(chǎn)量都與晶片的清潔度直接相關(guān),因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">晶片要經(jīng)過(guò)數(shù)百個(gè)圖案化、蝕刻、沉積和互連工藝步驟。
2022-07-07 16:24:231578

晶片清洗技術(shù)

的實(shí)驗(yàn)和理論分析來(lái)建立晶片表面清潔技術(shù)。本文解釋了金屬和顆粒雜質(zhì)在硅片表面的粘附機(jī)理,并提出了一些清洗方法。 介紹 LSI(大規(guī)模集成電路)集成密度的增加對(duì)硅片質(zhì)量提出了更高的要求。更高質(zhì)量的晶片意味著晶體精度、成形質(zhì)量和
2022-07-11 15:55:451025

濕法刻蝕和清洗(Wet Etch and Cleaning)

濕法刻蝕是集成電路制造工藝最早采用的技術(shù)之一。雖然由于受其刻蝕的各向同性的限制,使得大部分的濕法刻蝕工藝被具有各向異性的干法刻蝕替代,但是它在尺寸較大的非關(guān)鍵層清洗中依然發(fā)揮著重要的作用。
2022-11-11 09:34:187250

什么是編碼器呢?如何測(cè)量旋轉(zhuǎn)量和旋轉(zhuǎn)速度?

為了快速,準(zhǔn)確地控制這些設(shè)備,必須檢測(cè)設(shè)備的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)。因此,使用稱為編碼器的傳感器來(lái)檢測(cè)旋轉(zhuǎn)角度,移動(dòng)距離和旋轉(zhuǎn)/移動(dòng)速度。
2022-11-16 11:47:095290

電機(jī)的旋轉(zhuǎn)速度為什么能夠自由地改變?

感應(yīng)式交流電機(jī)(以后簡(jiǎn)稱為電機(jī))的旋轉(zhuǎn)速度近似地取決于電機(jī)的極數(shù)和頻率。由電機(jī)的工作原理決定電機(jī)的極數(shù)是固定不變的。
2023-03-14 10:19:50486

氮化鋁單晶的濕法化學(xué)蝕刻

清洗過(guò)程在半導(dǎo)體制造過(guò)程中,在技術(shù)上和經(jīng)濟(jì)上都起著重要的作用。超薄晶片表面必須實(shí)現(xiàn)無(wú)顆粒、無(wú)金屬雜質(zhì)、無(wú)有機(jī)、無(wú)水分、無(wú)天然氧化物、無(wú)表面微粗糙度、無(wú)充電、無(wú)氫。硅片表面的主要容器可分為顆粒、金屬雜質(zhì)和有機(jī)物三類。
2023-03-31 10:56:19314

晶片的酸基蝕刻:傳質(zhì)和動(dòng)力學(xué)效應(yīng)

拋光硅晶片是通過(guò)各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先,硅單晶錠被切成圓盤(pán)(晶片),然后是一個(gè)稱為拍打的扁平過(guò)程,包括使用磨料清洗晶片。通過(guò)蝕刻消除了以往成形過(guò)程中引起的機(jī)械損傷,蝕刻之后是各種單元操作,如拋光和清洗之前,它已經(jīng)準(zhǔn)備好為設(shè)備制造。
2023-05-16 10:03:00584

臭氧清洗系統(tǒng)的制備及其在硅晶片清洗中的應(yīng)用

在半導(dǎo)體和太陽(yáng)能電池制造過(guò)程中,清洗晶圓的技術(shù)的提升是為了制造高質(zhì)量產(chǎn)品。目前已經(jīng)有多種濕法清洗晶圓的技術(shù),如離子水清洗、超聲波清洗、低壓等離子和機(jī)械方法。由于濕法工藝一般需要使用含有有害化學(xué)物質(zhì)的酸和堿溶液,會(huì)產(chǎn)生大量廢水,因此存在廢物處理成本和環(huán)境監(jiān)管等問(wèn)題。
2023-06-02 13:33:211021

助焊劑在焊接過(guò)程中需要清洗嗎?

現(xiàn)在很多人在反應(yīng)焊接過(guò)程出現(xiàn)很多焊渣,然而又不好清洗,不知道是不是產(chǎn)品本身的問(wèn)題,助焊劑(膏)在焊接過(guò)程中一般并不能完全揮發(fā),均會(huì)有殘留物留于板上。對(duì)于該殘留物是否需要清洗區(qū)除,需要根據(jù)所選助焊劑
2022-01-07 15:18:121181

工業(yè)清洗新格局:球磨機(jī)滑履瓦冷卻水路水垢無(wú)腐蝕清洗,這種環(huán)保清洗技術(shù)靠譜

介紹了水泥磨的球磨機(jī)滑履冷卻水循環(huán)系統(tǒng)的清洗,以及結(jié)垢原因的分析,對(duì)比了傳統(tǒng)清洗工藝與福世藍(lán)清洗工藝為何選用福世藍(lán)清洗工藝,并圖文描述其清洗過(guò)程。
2022-06-06 18:12:22385

虹科案例 | 基于虹科EtherCAT接口卡和IO模塊的晶圓清洗機(jī)

WaferCleaner晶圓清洗機(jī)晶圓清洗是芯片生產(chǎn)過(guò)程中最繁瑣的工序,其作用主要是去除晶圓表面包括細(xì)微顆粒、有機(jī)殘留物和氧化層等在內(nèi)的沾污。在芯片生產(chǎn)過(guò)程中,晶圓表面的沾污會(huì)嚴(yán)重影響到最終的芯片
2022-09-30 09:40:51620

錫膏廠家告訴你:焊錫絲免清洗是什么意思?

在以往電子工業(yè)的整個(gè)生產(chǎn)過(guò)程中,傳統(tǒng)的焊接工藝往往存在殘留量大、腐蝕性大、外觀差等缺點(diǎn)。焊接后,需要用洗板水清洗。在清洗過(guò)程中,由于細(xì)間隙和高密度元器件的組裝,會(huì)造成清洗困難,即增加清洗成本,浪費(fèi)
2022-10-18 15:54:02955

電機(jī)的旋轉(zhuǎn)速度為什么能夠自由地改變(電機(jī)與變頻器的關(guān)系)?

本文中所指的電機(jī)為感應(yīng)式交流電機(jī)。感應(yīng)電動(dòng)機(jī)又稱“異步電動(dòng)機(jī)(asynchronousmotor)”,即轉(zhuǎn)子置于旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)中,在旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的作用下,獲得一個(gè)轉(zhuǎn)動(dòng)力矩,因而轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)動(dòng)。r/min電機(jī)旋轉(zhuǎn)速度
2024-02-02 16:47:53121

超聲波清洗四大件:清洗機(jī)、發(fā)生器、換能器、清洗

超聲波清洗四大件:清洗機(jī)、發(fā)生器、換能器、清洗槽在超聲波清洗過(guò)程中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。它們共同協(xié)作,將電能轉(zhuǎn)換為超聲波能,并通過(guò)清洗液的作用,實(shí)現(xiàn)對(duì)物品的高效、環(huán)保清洗。
2024-03-06 10:21:2874

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